自己早网上搜索了一些关于这个的说明，特此转载给大家分享。一起学习。KEIL RVMDK编译后的信息Program Size: Code=2334 RO-data=4392 RW-data=1022 ZI-data=64Code是代码占用的空间，RO-data是 Read Only 只读常量的大小，如const型，RW-data是（Read Write） 初始化了的可读写

1、  同相放大电路加在两输入端的电压大小接近相等2、  反相放大电路的重要特征是“虚地”的概念3、  PN结具有一种很好的数学模型：开关模型à二极管诞生了à再来一个PN结，三极管诞生了4、  高频电路中，必须考虑PN结电容的影响（正向偏置为扩散电容，反相偏置为势垒电容）5、  点接触型二极管适用于整流，面接触型二极管适用于高频电路6、  硅管正向导通压降0.7V,锗管为0.2

下面是在自己重新复习模拟电路和数字电路时的一些学习经验和想法、知识，分享出来一起学习！

我们平常所使用的CPU为定点CPU，意思是进行整点数值运算的CPU。当遇到形如1.1+1.1的浮点数运算时，定点CPU就遇到大难题了。对于32位单片机，利用Q化处理能发挥他本身的性能，但是精度和速度仍然不会提高很多。    现在设计出了一个新的CPU，叫做FPU，这个芯片专门处理浮点数的运算，这样处理器就将整点数和浮点数分开来处理，整点数交由定点CPU处理而浮点数交由FPU处理。我们见到过TI

1、  AHB系统总线分为APB1（36MHz）和APB2（72MHz），其中2>1，意思是APB2接高速设备2、  Stm32f10x.h相当于reg52.h（里面有基本的位操作定义），另一个为stm32f10x_conf.h专门控制外围器件的配置，也就是开关头文件的作用3、  HSE Osc（High Speed External Oscillator）高速外部晶振，一般为8MHz，H

C语言命名法1 常见命名规则比较著名的命名规则首推匈牙利命名法，这种命名方法是由Microsoft程序员查尔斯·西蒙尼(Charles Simonyi) 提出的。 其主要思想是“在变量和函数名中加入前缀以增进人们对程序的理解”。匈牙利命名法关键是：标识符的名字以一个或者多个小写字母开头作为前缀；前缀之后的是首字母大写的一个单词或多个单词组合，该单词要指明变量的用途。

74系列集成电路大致可分为6大类： 　　　　 74××（标准型）； 　　　　 74LS××（低功耗肖特基）； 　　　　 74S××（肖特基）； 　　　　 74ALS××（先进低功耗肖特基）； 　　　　 74AS××（先进肖特基）； 　　　　 74F××（高速）。 近年来还出现了高速CMOS电路的74系列，该系列可分为3大类： 　　　　 HC为COMS工作电平；

TTL和COMS电平匹配以及电平转换的方法一．TTLTTL集成电路的主要型式为晶体管－晶体管逻辑门（transistor-transistor logic gate），TTL大部分都采用5V电源。1.输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh≥2.4V,Uol≤0.4V2.输入高电平和输入低电平Uih≥2.0V，Uil≤0.8V二．CMOSCMOS电路是电

不要轻视小小电容哦。他的作用很大，你看有没有用过他的电子产品不。。什么地方都有如果用得不好，死得难看的，所以首先介绍电容的作用作为无源元件之一的电容，其作用不外乎以下几种：1、应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能方面电容的作用，下面分类详述之：1）滤波滤波是电容的作用中很重要的一部分。几乎所有的电源电路中都会用到。从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越

下面是自己在学习AVR单片机时的学习经验，分享出来给大家，一起学习。1、  AVR单片机采用RISC架构，8051单片机采用CISC架构。前者速度为后者的2~4倍，为流水线操作指令2、  AVR单片机有32个通用寄存器(地址在RAM区从$0000开始到$001F)，其中有6个(最后6个)合并为3个16位的X,Y,Z寄存器，用来存放地址指针，Z寄存器还可以寻址程序存储器3、  哈

下面是我在学习C#时，写的一些心得，大家一起学习哈！1、 对象=属性+行为2、 事件（消息）：向对象发出的服务请求；方法：对象能完成的服务的操作功能。用通俗的话来讲就是一个对象可以接收来自其他对象或者人的服务请求（成为事件），然后对象采取相应的方法（操作）去完成指定的功能。3、 类是对象的一种抽象表达，是具有相同属性和行为的一组对象的集合；而对象是类的一个实例。用通俗的话来

前一段时间笔者学习uCOS-III，第一次接触OS这个概念吧。下面把个人的学习笔记分享出来，仅供参考。