STM32CUBEMX | STM32L431RCT6的内部Flash操作

STM32L4系列芯片Flash操作指南

最新推荐文章于 2025-09-26 09:55:51 发布

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#stm32 #单片机 #arm

本文详细介绍了如何使用STM32CUBEMX配置STM32L4系列芯片的时钟源和时钟树，以及如何进行Flash的解锁、擦除、写入和读取操作。通过示例代码展示了如何使用HAL库进行Flash的页擦除、数据写入，并提供了实验现象的描述。

一、STM32CUBEMX配置

1、选择芯片型号：

在这里插入图片描述

2、配置时钟源

1、如果选择使用外部高速时钟（HSE），则需要在System Core中配置RCC；
2、如果使用默认内部时钟（HSI），这一步可以略过；

在这里插入图片描述

3、配置时钟树

STM32L4的最高主频到80M，所以配置PLL，最后使HCLK = 80Mhz即可：

在这里插入图片描述

4、代码生成设置

在这里插入图片描述
点击GENERATE CODE即可生成MDK-V5工程：

在这里插入图片描述

二、在MDK中编写、编译、下载用户代码

1、STM32内部Flash及HAL库API

查看所使用芯片的信息，Flash起始地址为0x08000000，大小为0x00040000（256KB）：
在这里插入图片描述
STM32L4x1芯片内部的Flash存储器内存分布如下：

在这里插入图片描述
STM32L431RCT6的Flash容量是256KB,所以只有Bank1，有128页，每页2KB。

2、解锁/上锁Flash操作

擦除或者写入内部Flash的时候，需要先解锁再操作，操作完毕之后上锁：

HAL_StatusTypeDef  HAL_FLASH_Unlock(void);
HAL_StatusTypeDef  HAL_FLASH_Lock(void);

3、擦除操作

HAL库中定义了一个Flash初始化结构体，如下：

/**
  * @brief  FLASH Erase structure definition
  */
typedef struct
{
   
   
  uint32_t TypeErase;   /*!< Mass erase or page erase.
                             This parameter can be a value of @ref FLASH_Type_Erase */
  uint32_t Banks;       /*!< Select bank to erase.
                             This parameter must be a value of @ref FLASH_Banks
                             (FLASH_BANK_BOTH should be used only for mass erase) */
  uint32_t Page;        /*!< Initial Flash page to erase when page erase is disabled
                             This parameter must be a value between 0 and (max number of pages in the bank - 1)
                             (eg : 255 for 1MB dual bank) */
  uint32_t NbPages;     /*!< Number of pages to be erased.
                             This parameter must be a value between 1 and (max number of pages in the bank - value of initial page)*/
} FLASH_EraseInitTypeDef;

3.1 第一个参数TypeErase是参数类型，分为页擦除和块擦除：

/** @defgroup FLASH_Type_Erase FLASH Erase Type
  * @{
  */
#define FLASH_TYPEERASE_PAGES     ((uint32_t)0x00)  /*!<Pages erase only*/
#define FLASH_TYPEERASE_MASSERASE ((uint32_t)0x01)  /*!<Flash mass erase activation*/
/**
  * @}
  */