SRAM、DRAM与SDRAM

SRAM可以不用讨论了， CPU 的缓存就是 SRAM ，速度极快，但是成本极高，所以容量非常小，现在的基本是和 CPU 主频同速，早先 Slot1/A 的 P3/K7 是 1/2,1/3,2/5 速

 

SDRAM是 Synchronous Dynamic Random Access Memory, 同步动态随机存储器 , 采用 3.3v 工作电压，带宽 64 位， SDRAM 将 CPU 与 RAM 通过一个相同的时钟锁在一起，使 RAM 和 CPU 能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作。 SDRAM 基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当 CPU 从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。

 

DRAM包含 SDRAM,DDR SDRAM ，如果你说的是 Rumbus 的 RDRAM ，那个是串联形式的内存，位宽只有 16/32bit ，但是工作频率极高， 00 年就能达到 800MHz 的速度，同期 DDR 只有 266MHz ，不过这个内存属于 Rumbus 专利技术，授权费极高，所以现在已经退出桌面市场，部分服务器还在使用，另外现在他最大的客户是 SONY PS3 ，不过规格进一步升级，叫 YellowStone

 

DDRSDRAM前面DDR就是Dual Data Rate，双倍速率，2bit预读，上下同时读写，相当于SDRAM的频率X2，所以现在DDR400的实际频率只有200MHz，但是等效400MHz，同理现在的DDR2是4bit预读

 

 

 

 

DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。 
而且是行列地址复用的，许多都有页模式。 
SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据 
不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。 
SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。 
DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。 
但是读写速度不如SRAM， 
但是现在，SDRAM的速度也已经很快了，时钟好像已经有 
150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。

SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛。SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新 时能够保持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的 多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使 用SRAM。

 

 

 

 

特点简介：

SRAM ：    静态 RAM ，不用刷新，速度可以非常快，像 CPU 内部的 cache ，都是静态 RAM ，缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多，因而价格昂贵，容量不大。
DRAM：    动态 RAM ，需要刷新，容量大。
SDRAM ：同步动态 RAM ，需要刷新，速度较快，容量大。
DDR SDRAM：    双通道同步动态 RAM ，需要刷新，速度快，容量大。


具体解释一：

   什么是 DRAM
　　DRAM  的英文全称是 ‘Dynamic RAM’ ，翻译成中文就是 ‘ 动态随机存储器 ‘ 。 DRAM 用于通常的 数据 存取。我们常说内存有多大，主要是指DRAM 的容量。

　  什么是 SRAM
　　SRAM  的英文全称是 ‘Static RAM’ ，翻译成中文就是 ‘ 静态随机存储器 ‘ 。 SRAM 主要用于制造 Cache 。
　  什么是 SDRAM
　　SDRAM  的英文全称是 ‘Synchronous DRAM’ ，翻译成中文就是 ‘ 扩充数据 输出 内存’ ，它比一般 DRAM 和 EDO RAM 速度都快，它已经逐渐成为 PC 机的标准内存配置。
　  什么是 Cache
　　 Cache  的英文原意是 ‘ 储藏 ‘ ，它一般使用 SRAM 制造，它与 CPU 之间交换数据的速度高于 DRAM ，所以被称作 ‘ 高速缓冲存储器 ‘ ，简称为 ‘ 高速缓存 ‘ 。由于 CPU 的信息处理速度常常超过其它部件的信息传递速度，所以使用一般的 DRAM 来作为信息存储器常常使 CPU 处于等待状态，造成资源的浪费。 Cache 就是为了 解决 这个问题而诞生的。在操作 系统 启动以后，CPU 就把 DRAM 中经常被调用的一些系统信息暂时储存在 Cache 里面，以后当 CPU 需要调用这些信息时，首先到 Cache 里去找，如果找到了，就直接从 Cache 里读取，这样利用 Cache 的高速性能就可以节省很多时间。大多数 CPU 在自身中集成了一定量的 Cache ，一般被称作 ‘ 一级缓存 ‘ 或 ‘ 内置 Cache’ 。这部分存储器与 CPU 的信息交换速度是最快的，但容量较小。大多数主板上也集成了 Cache ，一般被称作 ‘ 二级缓存 ‘ 或 ‘ 外置 Cache’ ，比内置 Cache 容量大些，一般可达到 256K ，现在有的主板已经使用了 512K ～ 2M 的高速缓存。在最新的 Pentium 二代 CPU 内部，已经集成了一级缓存和二级缓存，那时主板上的 Cache 就只能叫作 ‘ 三级缓存 ‘ 了。
　什么是闪存
　　闪存  目前主板上的 BIOS 大多使用 Flash Memory 制造，翻译成中文就是 ‘ 闪动的存储器 ‘ ，通常把它称作 ‘ 快闪存储器 ‘ ，简称 ‘ 闪存 ‘ 。这种存储器可以直接通过调节主板上的 电压 来对BIOS 进行升级操作。

解释为什么dram 要刷新， sram 不需要：
        这个是由于 ram 的 设计 类型决定的，dram 用了一个 t 和一个 rc 电路 ，导致 电容 毁漏电和缓慢放电。所以需要经常的刷新来保持数据

具体解释二：

DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。   而且是行列 地址 复用的，许多都有页模式。 
SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。  
SDRAM，同步的 DRAM ，即数据的读写需要 时钟 来同步。 

DRAM和 SDRAM 由于实现工艺问题，容量较 SRAM 大。但是读写速度不如 SRAM ，但是现在， SDRAM 的速度也已经很快了，时钟好像已经有 150 兆的了。那么就是读写周期小于 10ns 了。 SDRAM 虽然工作频率高，但是实际吞吐率要打折扣。以 PC133 为例，它的时钟周期是 7.5ns ，当 CAS latency=2  时，它需要 12 个周期完成 8 个突发读操作， 10 个周期完成 8 个突发写操作。不过，如果以交替方式访问 Bank ， SDRAM 可以在每个周期完成一个读写操作（当然除去刷新操作）。其实现在的主流高速存储器是 SSRAM （同步 SRAM ）和 SDRAM （同步 DRAM ）。目前可以方便买到的 SSRAM 最大容量是 8Mb/ 片，最大工作速度是 166MHz ；可以方便买到的 SDRAM 最大容量是 128Mb/ 片，最大工作速度是 133MHz 。
SRAM是 Static Random Access Memory 的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。 “ 静态 ” 是指只要不掉电，存储在 SRAM 中的数据就不会丢失。这一点与动态 RAM （ DRAM ）不同， DRAM 需要进行周期性的刷新操作。   然后，我们不应将 SRAM 与只读存储器（ ROM ）和 Flash Memory 相混淆，因为 SRAM 是一种易失性存储器，它只有在 电源 保持连续供应的情况下才能够保持数据。“ 随机访问 ” 是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。  
       SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为 0 和 1 。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个 MOSFET 。对称的电路结构使得 SRAM 的访问速度要快于 DRAM 。 SRAM 比 DRAM 访问速度快的另外一个原因是 SRAM 可以一次接收所有的地址位，而 DRAM 则使用行地址和列地址复用的结构。  
       SRAM不应该与 SDRAM 相混淆， SDRAM 代表的是同步 DRAM （ Synchronous DRAM ），这与 SRAM 是完全不同的。 SRAM 也不应该与 PSRAM 相混淆， PSRAM 是一种伪装成 SRAM 的 DRAM 。  
       从晶体管的类型分， SRAM 可以分为双极性与 CMOS 两种。从 功能 上分，SRAM 可以分为异步 SRAM 和同步 SRAM （ SSRAM ）。异步 SRAM 的访问独立于时钟，数据 输入 和输出都由地址的变化控制。同步SRAM 的所有访问都在时钟的上升 / 下降沿启动。地址、数据输入和其它控制 信号 均于时钟信号相关。
DRAM：动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
SRAM：静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。
SDRAM：同步的 DRAM ，即数据的读写需要时钟来同步。
    主要是存储单元结构不同导致了容量的不同。一个 DRAM 存储单元大约需要一个晶体管和一个电容（不包括行读出放大器等），而一个 SRAM 存储单元大约需要六个晶体管。 DRAM 和 SDRAM 由于实现工艺问题，容量较 SRAM 大，但是读写速度不如 SRAM 。
    一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息，而动态的是用 电子 ，要不时的刷新来保持。
    内存（即随机存贮器 RAM ）可分为静态随机存储器 SRAM ，和动态随机存储器 DRAM 两种。我们经常说的 “ 内存 ” 是指 DRAM 。而 SRAM 大家却接触的很少。  
    SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛。 SRAM 的速度非常快，在快速读取和刷新时能够保
持数据完整性。SRAM 内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以 SRAM 的电路结构非常复杂。制造相同容量的 SRAM 比 DRAM 的成本高的多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前 SRAM 基本上只用于 CPU 内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的 网络 服务器以及路由器上能够使用SRAM 。