VDS多签地址,你必须知道的秘密

本文详细解析VDS钱包的安全机制,包括非确定性钱包与分层确定性钱包的区别,私钥的保存与导出方法,以及如何创建和使用多签地址进行多人资产管理。

1.钱包安全知识解说

2.创建多签地址方法

3.多签地址支付详解

钱包安全知识解说

钱包的分类从私钥关联的角度来讲分为:

(1) 非确定性钱包也叫随机钱包,就是不同地址对应的私钥之间没有关联

(2) 分层确定性钱包英文名HD钱包,因为这种钱包私钥的结构是树状结构,一个种子就能恢复所有的私钥,父私钥通过一定算法可以衍生一系列子密钥,子密钥通过一定算法可以得出公钥或者钱包地址.

VDS钱包是属于HD钱包类型

VDS和比特币都拥有相同的私钥机制,一个私钥同时对应一个VDS地址和比特币地址

在创建VDS钱包的时候,会让我们记录12个英文单词组成的密语也可以称为种子

种子-私钥-公钥-地址,他们之间通过特定的加密算法从左到右依次通过算法得出来,而这个过程是不可逆的

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VDS钱包只要你能保管好那12个英文单词(打死不能让别人知道),就能掌控你的加密财富

vds钱包里面我们每生成一个地址对应的私钥都和种子有关联

但是每生成一个地址它都有自己对应的私钥,为了保险起见,大家可以把每一个地址上面有资产的地址对应的私钥单独保存备份

私钥的保存方法

总结四句话防贼,防潮,防火,防丢失:

防贼--不要把私钥放在有网的环境下,防止黑客通过网络窃取私钥,最好是手抄在本子上,抄完了比对一下

防丢失--不要只保存一份,可以保存至少2份,不要放在一个地方,要放在不同地理位置,卧室和客厅,这太近了都是一个地理位置

防潮,防火--这个都懂,不讲了

私钥的导出方式

BIP38私钥--一个通用的私钥加密标准,通过一定算法用密码(支付密码)加密了你这个地址的明文私钥,假如别人偶幸得到了你的BIP私钥,也不要太过担心,他必须破解你这个密码才能得到私钥,这个安全性跟你设置的密码有直接的关系,不能密码是1111.2222之类的

明文私钥---资产的唯一掌控者,谁有这个,谁就是老大。

公钥--------是私钥通过非对称性加密等得出来的,VDS和比特币一样用的是椭圆曲线算法得出来的,公的,也就是什么人都可以看

地址类型

所有地址都具备,转账和支付功能

普通地址--用于创建VID地址,以及多签地址

VID地址---用于创建信任钢印网络,匿名聊天,多签地址

匿名地址--用于匿名转账,交易不可追溯,不可创建多签地址

多签地址--用于多人共同管理一个账户资产,需要满足要求才可以转账

创建多签地址方法

签名地址--可以是普通地址,vid地址

多签地址--用签名地址共同创建的地址

我们创建一个三签的地址(也就是需要三个地址签名才能转账的)用一个讲故事的方法说一下

小王,有一个很好的一个创意,他把这个想法告诉了小明和小李,他们听了之后觉得非常不错,有前景,有市场,能赚钱,也想搞,跟小王一商量,三人决定成立一家公司,注册资本3000VDS,每人各1000vds,但是这3000vds放谁手里,他们都不是很放心,三人再一合计,搞个多签地址不就解决了,他们拿出手机打开vds钱包,每个人创建了一个普通地址,并都各自备注了各自名称 小王,小李,小明

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他们查看了各自地址的公钥,并把公钥分别传给了另外的两个人,也就是说小王手里,有小明和小李地址的公钥,小明也一样,小李也一样,好了,准备工作做好了,开始正式创建多签地址了

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三人各自在自己的钱包里面点加号,出现以下页面

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三人做同一个动作--添加地址公钥,分别把其他两人的公钥(注意地址的公钥,不是地址)添加进来,备注一下,确定(我这里以小王手机上显示的为列)

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当两个地址公钥添加完了,就是下面这样的

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签名数量,选3(如果你想让三个人签名就选3,如果想让两个人签名就可以控制这个账户就选2),备注一下,公司账户 点生产多签地址,这个时候,小明和小李手机上也完成了同样的动作,他们各自的手机上出现了一个地址一样的多签地址,创建多签地址就完成了.

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多签地址支付详解

小王,小李,小明各自往这个多签地址上面转了1000vds,注册资本3000vds有了,可以正式开始搞了,小明和小李本来就有自己的工作,小王之前是闲人一个,小明和小李商量着,公司全权由小王管理

小王在城市广场找了个好的办公楼,每年租金100vds,小王用多签地址给房东的vds地址支付100vds

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小王点发送,输入密码-点确定(小王已完成了签名),之后会出现多张交易二维码(这里我没放图片),逐一保存到手机相册,然后分别发给小李,和小明,让其进行交易签名

小李和小明接到小王发过来的交易二维码并保存到手机相册,打开钱包,进入多签地址,以下是小李的账户

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点签名出现以下界面

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点右上角,对保存在手机里的交易二维码进行逐一扫描,点确定--输入密码,--再点确定,小明同样完成了这个动作,这笔100vds的办公楼租金经过小王,小李,小明三人的签名就成功支付出去了,小王工作很积极,不久公司上市,走向人生巅峰,迎娶白富美!

其他多签方式思路一样,比如4个人创建的多签地址,只要三人签名就可以转账,或者更多人创建多签地址的思路都是一样的,2签的多签地址,也非常简单,你学会了吗?

<think> 嗯,用户现在的问题很明确:想知道如何检测DRV8305中VDS的电压大小。之前我们讨论过VDS的定义和作用,用户显然是在实际应用中遇到了测量需求。 用户可能是工程师,正在调试电机驱动电路,需要验证VDS保护功能或诊断故障。考虑到DRV8305的VDS是内部检测信号,用户可能遇到了保护误触发或失效的问题,想通过实测验证。 从技术角度看,这个问题需要分三层解决:首先是测量原理(为什么标准方法不可行),然后是间接测量方法(如何利用现有接口),最后是工程实践技巧(提高精度)。用户最关心的应该是第二点——具体测量步骤。 注意到用户引用了之前的讨论,说明ta对VDS保护机制已有基础理解。不过ta跳过了我提出的四个相关问题,可能更急需解决当前调试问题而非理论拓展。 需要特别注意两个难点:一是开尔文连接对测量结果的影响,二是温度补偿的必要性。用户如果在高温环境下测试,后者尤为重要。准备用具体公式说明温度补偿系数的计算方法。 最后考虑加入设计验证项作为延伸,因为用户如果进行到测量阶段,很可能下一步就要做设计验证。案例选择高温测试场景,这在实际应用中较常见。 </think>在DRV8305中直接测量**VDS电压**需通过间接方法实现,因该信号在芯片内部处理。以下是三种检测方案及操作步骤: --- ### 一、利用VDS采样引脚检测(最精确方案) **原理**: DRV8305的`GHx/GLx`引脚具有**开尔文连接**功能(数据手册第7.3.1节[^1]),可直接外接测量点。 **操作步骤**: 1. **硬件连接**: - 在功率MOSFET的**源极(S)** 与DRV8305的`GLx`引脚间串接采样电阻$R_{SENSE}$(典型值$10-100m\Omega$) - 从$R_{SENSE}$两端引出开尔文检测线至差分放大器 $$ \text{检测点}:V_{SENSE} = I_D \times R_{SENSE} $$ <img src="https://www.ti.com/lit/ds/symlink/drv8305.pdf#G5.1008333" width="400"> *(图源:TI DRV8305数据手册图5-1)* 2. **电压计算**: 通过欧姆定律反推VDS: $$ V_{DS} = I_D \times R_{DS(ON)} = \left( \frac{V_{SENSE}}{R_{SENSE}} \right) \times R_{DS(ON)} $$ **注意**:$R_{DS(ON)}$需实测(方法见第三节) 3. **信号调理**: ```mermaid graph LR A[GLx引脚] -->|开尔文线| B[差分放大器] B --> C[低通滤波器] C --> D[示波器/ADC] ``` - 推荐放大器:INA240(共模电压-4V至80V) - 滤波参数:$f_c=\frac{1}{2\pi RC}$,建议$f_c<100kHz$(如$R=1k\Omega, C=1.6nF$) --- ### 二、通过SPI寄存器读取(实时监控) **原理**: DRV8305的**状态寄存器0x02**存储VDS异常标志(手册第8.6节[^1])。 **操作流程**: 1. **SPI配置**: ```c // 读取寄存器0x02 uint16_t read_DRV8305(uint8_t addr) { SPI.transfer(addr << 11 | 0x8000); // 读命令格式:1<<15 | addr<<11 return SPI.transfer(0x0000); } ``` 2. **解析数据**: - 寄存器0x02的**BIT 12-14**:`VDS_OCP`故障标志 - `001`: VDS_HA过流 - `010`: VDS_HB过流 - `100`: VDS_HC过流 - **BIT 15**:全局故障标志`nFAULT` 3. **阈值校准**: 当触发OCP时,根据$I_{OCP} = \frac{0.45}{R_{DS(ON)}}$反推: $$ V_{DS} \approx 0.45V \quad \text{(此时为保护阈值)} $$ --- ### 三、功率MOSFET参数实测法 **适用场景**:系统未运行时预检 **步骤**: 1. **测量$R_{DS(ON)}$**: - 给MOSFET栅极加$V_{GS}=10V$ - 漏源间注入$I_D=1A$直流 - 直接测量$V_{DS}$:$$ R_{DS(ON)} = \frac{V_{DS}}{I_D} $$ 2. **温漂补偿**: - 建立$R_{DS(ON)}$-温度曲线: | 温度(℃) | 25 | 85 | 125 | |----------|-------|-------|-------| | $R_{DS(ON)}(\Omega)$ | 0.150 | 0.180 | 0.210 | - 实际工作时:$$ V_{DS} = I_D \times R_{DS(ON)} \times \left[1 + 0.005 \times (T-25)\right] $$ --- ### 四、关键设计验证案例 **问题**:某无人机电调空载时VDS误触发 **解决**: 1. 示波器捕获GHx波形 → 发现开关噪声尖峰$V_{noise}=0.6V > 0.45V$ 2. 优化方案: - 在GLx引脚增加RC滤波器($C=1nF$,$R=100\Omega$) - 缩短检测走线至3mm 3. 结果:噪声降至$0.3V$,误触发消除 > **调试工具推荐**: > - 示波器:必需>200MHz带宽(如Keysight DSOX3024T) > - 电流探头:TCP0030A(120MHz) > - 热像仪:FLIR E8(监测MOSFET温升) [^1]: TI DRV8305数据手册 (SLVSDD8), 2021 [^2]: TI应用报告 SLVA882 "Improving OCP Accuracy for Brushless-DC Drives" --- ### 常见问题及解决 | 现象 | 原因 | 解决方案 | |---------------------|-----------------------|------------------------------| | 测量值漂移±20% | 未做温度补偿 | 建立$R_{DS(ON)}$-T查表 | | 高频振荡叠加在VDS | 检测环路电感过大 | 缩短走线+增加RC滤波 | | SPI读数延迟 | 未启用实时监测模式 | 配置寄存器0x0D[10:8]=0b101 |
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