黑马程序员——C语言指针

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一、 指针前奏

1. 指针的重要性

指针是C语言中非常重要的数据类型,如果你说C语言中除了指针,其他你都学得很好,那你干脆说没学过C语言。

2. 小需求

l void change(int  n)函数调用完毕后,改变实参的值

l 分析:修改实参的值->找到存储空间->地址

 

二、 指针变量的定义

1. 定义的格式

l 类名标识符  *指针变量名;

l int *p;

2. 先定义后赋值

l 简单取值

int a = 10;

int *p;

p = &a;

printf(“%d”, *p);

l 简单改值

*p = 9;

3. 定义的同时赋值

int a = 10;

int *p = &a;

4. 实现修改实参

5. 注意点

l int *p;   p = 1000;

l int *p;   *p = 100;

l int *p;  *p = &a;

l %p输出指针里面存储的地址值

l 其他指针类型说明,比如float *p;  char *p;

l 不能乱用类型,比如int a = 10;  float *p = &a;

6. 清空指针

l p = 0;

l p = NULL;

 

三、 指针实例  

1. void swap(char *a, char *b)  (注意temp=a;  a = b; b = temp;

2. int sumAndMinus(int a, int b, int *minus)

 

四、 指针探究

1. 指针变量所占用的存储空间

2. 为何指针变量要分类型?

int i = 2;

char c = 1;

int *p = &c;

printf(“%d”, *p);

 

 

五、 指针与数组

1. 指向一维数组元素的指针

2. 用指针遍历一维数组元素

l 先遍历char数组(‘i’,’t’),再遍历int类型数组

l *(p+i)*(p++)的区别

l a+ia++

l p[0]p[1]


 

六、 指针与字符串

1. 字符串回顾

char s[] = “mj”;

2. 其他定义字符串的方式

char *s = “mj”;

或者

char *s;

s = “mj”;

3. 两种定义方式的区别

l 内存分析

l 画图分析

l 常量和变量字符串的区别

l 常量的内存地址查看


 

七、 返回指针的函数

l 指针也是C语言中的一种数据类型,因此一个函数的返回值肯定可以是指针类型的

l 返回指针的函数的一般形式为:类型名 函数名(参数列表)

 

八、 指向函数的指针

1. 为什么指针可以指向一个函数?

函数作为一段程序,在内存中也要占据部分存储空间,它也有一个起始地址,即函数的入口地址。函数有自己的地址,那就好办了,我们的指针变量就是用来存储地址的。因此,可以利用一个指针指向一个函数。其中,函数名就代表着函数的地址

2. 指向函数的指针的定义

定义的一般形式:函数的返回值类型 (*指针变量名)(形参1, 形参2, ...);

3. 使用注意

l 由于这类指针变量存储的是一个函数的入口地址,所以对它们作加减运算(比如p++)是无意义的

l 指向函数的指针变量主要有两个用途:

·  调用函数

·  将函数作为参数在函数间传递

 

 


资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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