ROM RAM

浅谈：ROM       RAM  ---    (1)DRAM　(2)SRAM     FLASH

 概念：  

ROM RAM都属于半导体存储器。

 （1） ROM (read only  memory)只读存储器，RAM(random access memory )。顾名思义。ROM在断电之后可以继续的存储数据，     RAM在断电之后数据就丢失了。计算机的内存就是RAM。

  （2）RAM又分为静态RAM- SRAM和动态RAM- DRAM ,SRAM运算速度十分的快，只是在计算机的一级二级缓存中使用，价格自然就  十分的昂贵了。

DRAM运算速度相对慢很多（比ROM快很多），但是其大存储的特点是SRAM难以比拟的，价格相对便宜很多。计算机中使用的就是DRAM

 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
  DDR RAM（data-rate  RAM）又称为DDR SDRAM 和改进型的SDRAM和RAM基本是一致的，但是其在一个时钟周期可以读取两次数据，大大的加快了数据的读取速度，这是目前电脑使用最多的内存，在加载了DDRRAM的显卡可以极大增加数据传输的带宽，在流行的3D画面中可以数据的处理速度显著T提高。

SRAM基本使用：

  标准的SRAM控制信号可以分为三个，片选信号，读信号，写信号

片选：动词，单片机学科词汇，可以理解成选片。很多芯片挂在同一总线上的时候，有一个信号来区别总线上的数据和地址由哪个芯片来处理，这个信号就叫做片选信号CS（chip select）。片选这个词即由此而来，指通过设置跳线,利用与门、或门、非门的组合来决定到底是哪几部分进入工作状态。

　　片选信号一般是在划分地址空间时，由逻辑电路产生的。在数字电路设计中，一般开路输入管脚呈现为高电平，因此片选信号绝大多数情况下是一个低电平。

所谓时序图，可以理解为按照时间顺序进行的图解，在时序图上可以反应出某一时刻各信号的取值情况。时序图可以这样看：按照从上到下，从左到右的顺序，每到一个突变点（从0变为1，或从1变为0）时，记录各信号的值，就可获得一张真值表，进而分析可知其相应的功能。

对于单片机，看懂时序图的最终目标是要用编程实现时序图的功能，进而得到所需的实际功能。如果时序图真的不容易看懂，可以先找些简单的时序图，再找些现成的程序，对应起来看，这样的话往往事半功倍，更容易理解。单片机中对于液晶（如LCD1602）的控制时序图相对容易，适合初学入门，认真理解是很有好处的！

 

 

读图就是要看懂一个电原理图，即弄清电路由哪几部分组成及它们之间的联系和总的性能(如有可能，还要粗略估算性能指标)。电子电路的主要任务是对信号进行处理，只是处理的方式(如放大、滤波、变换等)及效果不同而已，因此读图时，应以所处理的信号流向为主线，沿信号的主要通路，以基本单元电路为依据，将整个电路分成若干具有独立功能的部分，并进行分析。具体步骤可归纳为：了解用途、找出通路、化整为零、分析功能、统观整体。

通常主板上为单BIOS芯片，因此CE始终为低电平，也就是一直为选中；

OE是输出允许，也是低电平时有效，当OE为低电平时，允许数据输出，也就是可以读取芯片中的内容，当OE是高电平时，输出被禁止，无法读取内容；

WE为编程允许，也是低电平有效，当WE为低电平时可以对芯片进行编程（写入），当WE为高电平时不能对芯片进行编程（我们可将此脚接为高电平，那么芯片就无法写入，无敌锁即是将此脚升为高电平，来保护芯片的.）

CE chip select（片选）

OE output ready（输出允许）

WE   write  ready （写入允许）