猿来这样-谢厂节的博客

配置 CSCDR2[LCDIF1_PRE_CLK_SEL]，bit[17:15]，值为2，表示选择 LCDIF_CLK_ROOT 为时钟源；在初始化的时候，先读取ID来识别屏幕。继续设置 CCM_CSCDR[LCDIF1_CLK_SEL]，bit[9:11]，值为0，表示LCDIF的最终时钟源来源于 pre-muxed LCDIF clock。配置 CBCMR[LCDIF1_PODF]，bit[25:23] 为LCDIF_PODF，设置第二级分频，可以设置0~7，表示1 ~ 8分频。

SRAM（Static Random - Access Memory）即静态随机存取存储器，是一种半导体存储器。SRAM 存储单元通常由 6 个晶体管组成（CMOS 工艺）。这种结构可以在不进行刷新操作的情况下保持数据的存储状态，容量小、价格高、速度快。在传统的51单片机、STM32中，会有芯片内部RAM，即SRAM。在高级一点单片机，可以使用外扩RAM。以 IS62WV51216 SRAM为例，这是一个1M Byte存储器，从数据手册可以看到其功能框图：A0-A18：19根地址线。

在《IMX6U参考手册》P3561UART（Universal Asynchronous Receiver/Trasmitter），通用异步串行收发器。它可以通过电平转换器和 RS - 232 电缆或外部电路提供与外部设备的串行通信能力。外部电路可以将红外信号转换为电信号（用于接收），或将电信号转换为驱动红外 LED 的信号（用于传输），以提供低速 IrDA 兼容性。NRZ（非归零）编码格式RS485 兼容的 9 位数据格式IrDA 兼容的红外低速数据率（SIR）格式。

GPT 有一个 32 位的向上计数器。定时器的计数值可以通过外部引脚上的事件被捕获到一个寄存器中。捕获触发可以被编程为上升沿和/或下降沿。GPT 还可以在输出比较引脚上生成一个事件，并在定时器达到编程值时产生一个中断。GPT 有一个 12 位的预分频器，它从多个时钟源中提供一个可编程的时钟频率。32位向下计数器没有捕获功能。

如果按键电平与之前检测到的变化后的电平一致，说明按键已经稳定，此时可以认为是一次有效的按键动作，执行相应的按键处理程序，比如执行某个功能函数。但这种方式并不适合在真正项目中使用，因为中断中不可以让CPU执行无意义的耗时操作，导致占用了CPU，CPU没办法执行其它更重要的任务。如果在中断服务程序中读取到按键电平与之前变化后的电平不一致，说明在定时期间按键又发生了抖动，此时就不进行按键处理，并且重新启动定时器计数，等待下一次稳定的按键电平。在定时器计数期间，如果按键电平再次发生变化，就重新启动定时器计数。

若要直接初始化计数器而不是等待计数达到零，需设置 EPIT 计数器覆写使能位（EPIT_CR [IOVW]），并使用所需的初始化值写入 EPIT_LR。当 EPIT_EPITCMPR 值与 EPIT_EPITCNR 中的值相匹配时，会设置一个比较状态标志 ， 如果控制寄存器中的OCIEN 位被置位，还会产生一个中断。要直接初始化计数器，也需要设置 EPIT 计数器覆盖使能位（EPIO_EPITCL [IOVW] ），并将所需要的初始化值写入 EPIT_LR。如果分频值是1，则1秒进中断 66M次。

*** @brief 中断触发类型枚举*/kGPIO_NoIntmode = 0U, // 无中断kGPIO_IntLowLevel = 1U, // 低电平触发kGPIO_IntHighLevel = 2U, // 高电平触发kGPIO_IntRisingEdge = 3U, // 上升沿触发kGPIO_IntFallingEdge = 4U, // 下降沿触发kGPIO_IntRisingOrFallingEdge = 5U, // 上升沿或下降沿触发。

push 指令可以一次性将多个寄存器的值压入堆栈，这是因为 ARM 处理器支持多寄存器操作指令，这些指令可以同时对多个寄存器进行操作，从而提高效率。当正在执行 0x2000时，PC里保存的是0x2008地址，如果这时发生了中断，LR保存的是0x2008。指令将 LR 寄存器的值减去 4，并将结果赋值给 PC（程序计数器）寄存器，从而实现从中断处理程序返回到中断发生时的指令地址。保存的是 GIC的CPU接口端基地址，这个位置保存的是 GIC_EDIR寄存器。IRQ中断模式主要用于处理中断。

I.MX6ULL的中断系统介绍、中断向量表概念及中断的编写方法。

AHB_CLK_ROOT是AHB总线的主时钟源。AHB总线用于连接处理器、内存和外设等模块，提供高性能的总线通信。AHB_CLK_ROOT的频率直接影响系统的性能和功耗。通过《IMX6ULL参考手册》P643的表格：可以看到AHB_CLK_ROOT的默认频率是6MHz，最大132MHz。

在 I.MX6ULL 处理器中，PLL（锁相环）用于生成各种频率的时钟信号，以满足不同模块的需求。

据教程描述，问题现象是编译后烧录的程序无法正常工作，检查 beep.dis，发现 _bss_start 段的地址不是四字节 对齐的。Pull / Keep Enable Field（拉/保持使能字段）用于设置引脚的拉/保持功能。Pull / Keep Select Field（拉/保持选择字段）用于设置引脚的拉/保持功能。， 这句的意思是在这里加定位计数器，. 是四字节对齐的，再把点赋值给__bss_start。默认情况下，KEY0 为高，当按下KEY0 时， UART1_CTS 拉为低。

这里可以看到 , BEEP 接的引脚是SNVS_TAMPER1 引脚，该引脚通常用于安全非易失性存储器（SNVS）模块中的防篡改检测功能，本实验将其设置复用为GPIO口。从前一章08_ledc_bsp的基础上开发，复制前一章所有文件到新文件夹： 09_beep。可以看到 SNVS_TAMPER1 可以复用为GPIO5_IO01。开发板上的蜂鸣器是有源蜂鸣器，内部有振荡源，通电即可发声。当BEEP为低的时候，三级管导通，蜂鸣器会叫。当BEEP为高的时候，三级管截止，蜂鸣器不叫。编译烧写程序运行即可。

前面的章节源文件直接放在根目录下，不利于大型项目的文件组织。BSP（Board Support Package）是一种比较常见的工程管理模式，最早由 嵌入式系统软件公司 Wind River Systems 提出。BSP 是其 VxWorks 实时操作系统的一部分，用于支持特定硬件平台的初始化和配置。BSP（Board Support Package）工程管理涉及到为特定硬件平台（如开发板）提供必要的软件支持，以便操作系统和应用程序能够正常运行。启动代码：初始化硬件，设置堆栈，跳转到主程序。设备驱动。

在正点原子给的资料包 《【正点原子】阿尔法Linux开发板（A盘）-基础资料》找到：07、I.MX6U参考资料\03、I.MX6ULL SDK包，下面有两个文件，分别是Linux和Windows下的SDK包。主要用于配置 I.MX6U 处理器的 IOMUXC（输入/输出复用控制器），包含了 IOMUXC 寄存器的定义和相关的宏，用于设置引脚的复用功能和电气属性。是 NXP 提供的 I.MX6U 处理器的头文件，包含了对处理器寄存器、外设的定义（如 GPIO、UART、I2C、SPI 等）和控制宏。

通过 《IMX6ULL参考手册》 P 658，可以看到相关结构体的地址：/* GPIO寄存器结构体定义 */} CCM_Type;类似的对IOMUX_SW_MUX 、CCM_ANALOG、 IOMUX_SW_PAD进行定义，完整文件参考正点原子教程代码。

I.MX6U裸机开发准备C语言环境，并使用C语言控制 LED，知识点有准备C环境 、SP指针 、CPSR寄存器、启动文件编写、链接文件编写。

SEC_CONFIG 的出厂设置为开放配置，在这种配置中，ROM/HAB 执行镜像认证，但所有认证错误都会被忽略，镜像仍然被允许执行。DCD（设备配置数据）是一种包含在程序镜像中的配置信息（位于ROM外部），ROM会解释这些信息以配置芯片上的各种外设。通过上述代码，可以将 ROM 中的异常向量表映射到 RAM 中的重复异常向量表，从而在启动后可以根据需要覆盖这些向量。IVT 包含了启动所需的各种数据组件，包括程序镜像入口点、设备配置数据（DCD）的指针以及启动过程中 ROM 使用的其他指针。

I.MX6U的时钟寄存器，首先到IMX6ULL参考手册找到 CCGR0~CCGR6地址，通过设置为0xFFFFFFFF把时钟全部使能。本系列博文，链接地址使用了0x87800000，这是以后要学到的Uboot的链接地址就是0x87800000，这里沿用其设置。这里我们要添加一个头部，在这个头部实现 从指定存储中读取头部、初始化DDR，并将bin拷贝到指定地方。I.MX6U 支持 SD卡、EMMC、NAND、NOR、SPI Flash，本例程使用烧写到SD卡。这一步不是为了烧写，而是为了方便以后调试代码。

官网地址：点击：根据其官网介绍：i.MX 6ULL 是一个高能效且成本优化的应用处理器系列，采用单个 Arm Cortex-A7 内核的高级实现，运行速度高达 900 MHz。i.MX 6ULL 应用处理器包括一个集成的电源管理模块，可降低外部电源的复杂性并简化电源排序。

开发环境搭建；汇编驱动开发；驱动开发；本系列文章学习过程代码开源地址： https://gitee.com/xundh/learn_i.mx6u学习资源主要来源于正点原子官方教程。EMMC核心板： 容量大、速度快，8GB EMC，DDR：512M字节。NANO FLASH：工业级，512M字节 FLASH，DDR：256M字节。