般来讲
,
三极管是电流驱动的
,MOSFET
是电压驱动的
,
因为我是
用
CPLD
来驱动这个开关
,
所以选择了用
MOSFET
做
,
这样也可以节省系
统功耗吧
,
在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端
间的管压降问题
,
比如一个
5V
的电源
,
经过管子后可能变为了
4.5V,
这时候要考虑负载能不能接受了
,
我曾经遇到过这样的问题就是负载
的最小工作电压就是
5V
了
,
经过管子后发现系统工作不起来
,
后来才
想起来管子上占了一部分压降了
,
类似的问题还有在使用二极管的时
候
(
尤其是做电压反接保护时
)
也要注意管子的压降问题
开关电路原则
a.
BJT
三极管
Transistors
只要发射极
e
对电源短路
就是电子开关用法
N
管
发射极
E
对电源负极短路
.
(
搭铁
)
低边开关
;b-e
正向电流
饱和导通
P
管
发射极
E
对电源正极短路
.
高边开关
;b-e
反向电流
饱和导通
b.
FET
场效应管
MOSFET
只要源极
S
对电源短路
就是电子开关用法
N
管
源极
S
对电源负极短路
.
(
搭铁
)
低边开关
;
栅
-
源
正向电压
导通
P
管
源极
S
对电源正极短路
.
高边开关
;
栅
-
源
反向电压
导通
总结
:
低边开关用
NPN
管
高边开关用
PNP
管
三极管
b-e
必须有大于
C-E
饱和导通的电流
场效应管理论上栅
-
源有大于
漏
-
源导通条件的电压就
就
OK
假如原来用
NPN
三极管作
ECU
氧传感器
加热电源控制低边开关
则直接用
N-Channel
场效应管代换
;
或看情况修改
下拉或上拉电阻
基极
--
栅极
集电极
--
漏极
发射极
--
源极
上面是在一个论坛上摘抄的
,
语言通俗
,
很实用
用
PMOSFET
构成的电源自动切换开关
在需要电池供电的便携式设备中,
有的电池充电是在系统充电,
即充电时电
池不用拔下来。
另外为了节省功耗,
需要在插入墙上适配器电源时,
系统自动切
换为适配器供电,
断开电池与负载的连接;
如果拔掉适配器电源,
系统自动切换
为电池供电。本电路用一个
PMOSFET
构成这种自动切换开关。
图中的
V_BATT
表示电池电压,
VIN_AC
表示适配器电压。当插入适配器电源
时,
VIN_AC
电压高于电池电压(否则适配器电源就不能对电池充电),
Vgs>0,MOSFET
截止,系统由适配器供电。拔去适配器电源,则栅极电压为零,
而与
MOSFET
封装在一体的施特基二极管使源极电压近似为电池电压,导致
Vgs
小于
Vgsth
,
MOSFET
导通,从而系统由电池供电。
这是从方佩敏老师写的文章
里摘抄的一个开关电路图
,
用
PMOSFET
构成的电源自动切换开关
在需要电池供电的便携式设备中,
有的电池充电是在系统充电,
即充电时电
池不用拔下来。
另外为了节省功耗,
需要在插入墙上适配器电源时,
系统自动切
换为适配器供电,
断开电池与负载的连接;
如果拔掉适配器电源,
系统自动切换
为电池供电。本电路用一个
PMOSFET
构成这种自动切换开关。
图中的
V_BATT
表示电池电压,
VIN_AC
表示适配器电压。当插入适配器电源
时,
VIN_AC
电压高于电池电压(否则适配器电源就不能对电池充电),
Vgs>0,MOSFET
截止,系统由适配器供电。拔去适配器电源,则栅极电压为零,
而与
MOSFET
封装在一体的施特基二极管使源极电压近似为电池电压,导致
Vgs
小于
Vgsth
,
MOSFET
导通,从而系统由电池供电。