NandFlash驱动调试笔记(K9F1G08

最新推荐文章于 2024-10-17 13:59:02 发布

xuefeng_baggio

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文章标签： flash cmd byte command 文档三星

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/xuefeng_baggio/article/details/5465738

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本文详细记录了三星K9F1G08NandFlash的驱动调试过程，包括其结构、读写分析、寻址方式以及读命令的执行步骤。同时介绍了初始化、读取FlashID、读扇区和擦除块的函数实现，对理解NandFlash的操作具有指导意义。

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NandFlash驱动调试笔记(K9F1G08)
Nand Flash结构与读写分析

NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8 个或者16 个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device 的位宽。这里1g08有两种128M*8bit和64M*16bit，这里要根据数据线来区分。这些Line 会再组成Page，(Nand Flash 有多种结构，我使用的Nand Flash 是K9F1G08,下面内容针对三星的K9F1G08U0M)，每页2KByte，每64 个page 形成一个Block， Sizeof(block)=128kByte 。1 block=128kbyte， Numberof(block)=1024 1block=64page, 1page=2064byte=2kbyte(Main Area)+64byte(Spare Area)。
Nand flash 以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址： --Block Address -- Page Address --Column Address(即为页内偏移地址)
对于1g08来说，每一页有2kByte，所以A[0-11]就是Column Address ，而64个page占用了A[12-27] page address(文档中有说明)。地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。
Nand Flash的寻址
Nand Flash的地址寄存器把一个完整的Nand Flash地址分解成Column Address与Page Address.进行寻址。
Column Add

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