STM32 Flash读写

本文深入解析Flash存储器的工作原理,包括其擦除、写入和读取数据的过程。阐述了Flash存储器每次写入前必先擦除的特性,以及以页为单位的擦除方式。介绍了如何定义存储起始地址,并提供了具体的Flash写入和读出数据的函数实现,包括参数说明和操作步骤。

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flash每次写入之前要先擦除,而且擦出方式都是以页进行擦出。

flash存储的数据都是16位的。

一般写入的起始地址可以从最后的主存地址作为用户的存储地址.

例如:#define FLASH_START_ADDR  0x0801f000

 

//FLASH写入数据

void FLASH_W(u32 add,u16 dat)

{ //参数1:32位FLASH地址。参数2:16位数据

//  RCC_HSICmd(ENABLE); //打开HSI时钟  一般使用外部高速时钟,所以一般内部时钟不用

 FLASH_Unlock();  //解锁FLASH编程擦除控制器

     FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位

     FLASH_ErasePage(add);     //擦除指定地址页

     FLASH_ProgramHalfWord(add,dat); //从指定页的addr地址开始写

 //写入多个数据

 //FLASH_ProgramHalfWord(add+1,dat1); //从指定页的addr地址开始写

 //FLASH_ProgramHalfWord(add+2,dat2); //从指定页的addr地址开始写

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位

     FLASH_Lock();    //锁定FLASH编程擦除控制器

}

 

//FLASH读出数据

u16 FLASH_R(u32 add){ //参数1:32位读出FLASH地址。返回值:16位数据

u16 a;

    a = *(u16*)(add);//从指定页的addr地址开始读

return a;

}

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