MOSFET和IGBT的对比

MOSFET和IGBT的对比

MOSFET工作原理

MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）全称金属-氧化物半导体场效应晶体管。

首先以我们最常用的N沟道增强型MOSFET进行分析

电气符号如上图所示

总共有三个电极S（source）源极，D（drain）漏极，G（grid）栅极，如图所示，其中P区是一个杂志浓度低的P型硅材料作为衬底，其上有两处高掺杂的N型区域，分别通过金属铝（图中棕黄色）引出作为漏极和源极，通常将衬底和源极接在一起使用。相互隔离的两个N区的表面覆盖有金属氧化物SiO₂绝缘层，栅极与其他两个电极被绝缘开来，因此该结构称之为绝缘栅型。
当外部不加电压时，内部可视为两个反向的PN结，无法导电；当GS两端施加一个电压U_GS>0时，对于P型衬底，靠近栅极G的空穴因为外电场的作用移动到下方，上方留下了很多自由电子，当增大到某一个值U_GS（