Logback日志配置

一直用log4j记日志多无聊。换个Logback来管理日志看看。

一、在pom文件中添加依赖的jar包:


......

<!-- 版本配置 -->
<properties>
<slf4j.version>1.7.21</slf4j.version>
<logback.version>1.1.7</logback.version>
</properties>

......

<!-- slf4j+LOGBack依赖包 -->
<dependency>
<groupId>org.slf4j</groupId>
<artifactId>slf4j-api</artifactId>
<version>${slf4j.version}</version>
</dependency>
<dependency>
<groupId>org.slf4j</groupId>
<artifactId>log4j-over-slf4j</artifactId>
<version>${slf4j.version}</version>
</dependency>
<dependency>
<groupId>ch.qos.logback</groupId>
<artifactId>logback-core</artifactId>
<version>${logback.version}</version>
</dependency>
<dependency>
<groupId>ch.qos.logback</groupId>
<artifactId>logback-classic</artifactId>
<version>${logback.version}</version>
</dependency>


二、添加 logback.xml文件到编译目录。具体内容如下:


<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<configuration>
<property name="LOG_HOME" value="c:/log" />

<!-- 控制台输出 -->
<appender name="STDOUT" class="ch.qos.logback.core.ConsoleAppender">
<Encoding>UTF-8</Encoding>
<layout class="ch.qos.logback.classic.PatternLayout">
<pattern>%d{HH:mm:ss.SSS} [%thread] %-5level %logger{50} - %msg%n
</pattern>
</layout>
</appender>

<!-- 按照每天生成日志文件 -->
<appender name="FILE"
class="ch.qos.logback.core.rolling.RollingFileAppender">
<Encoding>UTF-8</Encoding>
<rollingPolicy class="ch.qos.logback.core.rolling.TimeBasedRollingPolicy">
<FileNamePattern>${LOG_HOME}/myApp.log.%d{yyyy-MM-dd}.log</FileNamePattern>
<MaxHistory>30</MaxHistory>
</rollingPolicy>
<layout class="ch.qos.logback.classic.PatternLayout">
<pattern>%d{HH:mm:ss.SSS} [%thread] %-5level %logger{50} - %msg%n
</pattern>
</layout>
</appender>

<root level="DEBUG">
<appender-ref ref="STDOUT" />
<appender-ref ref="FILE" />
</root>
</configuration>
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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