3.3-5v转换

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#电平转换

3.3-5v(转载)

 

当你使用3.3V的单片机的时候,电平转换就在所难免了,经常会遇到3.3转5V或者5V转3.3V的情况,这里介绍一个简单的电路,他可以实现两个电平的相互转换

(注意是相互哦,双向的,不是单向的!).电路十分简单,仅由3个电阻加一个MOS管构成,电路图如下:

上图中,S1，S2为两个信号端,VCC_S1和VCC_S2为这两个信号的高电平电压.另外限制条件为:
1，VCC_S1<=VCC_S2.
2，S1的低电平门限大于0.7V左右(视NMOS内的二极管压降而定).
3，Vgs<=VCC_S1.
4，Vds<=VCC_S2
   对于3.3V和5V/12V等电路的相互转换,NMOS管选择AP2306即可.原理比较简单,大家自行分析吧!此电路我已在多处应用,效果很好.

I2C总线3.3V与5V双向电平转换电路
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3.7V升压5V，3.7V转5V电路图芯片
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锂离子电池在如今是广泛应用存在我们生活中的方方面面的电子产品中。如，电子玩具，美容仪，医疗产品，智能手表，手机，笔记本，电动汽车等等非常多。 锂电池3.7V升压到5V，3.7V转5V稳压输出的电子产品电路设计，由于锂电池的供电范围是3V-4.2V之间，无法持续提高恒定的电压输出，给到后级电路供电，保障稳定性。 3.7V升压5V的电源管理电路方式有七种： 1，升压类型，小电流250MA类型 2，升压类型，低功耗8uA，600MA类型 3，升压类型，升压可达12V，1.2A类型 ...
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3.3-5V电路转换技巧和诀窍
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单节锂电池升压方案：3V-3.7V 输入升 5V 输出，DC-DC芯片选型关键参数探讨
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异步升压芯片 FP6291/6293/6298 输入电压 2.6-5.5V，以电路简单、成本低为优势，针对小功率 5V 设备设计。其中 FP6291、FP6293、FP6298 分别适配低功耗、传感器节点、简易开发板等场景，适合 USB 小风扇等成本敏感型产品。同步升压芯片 FP6276B/6277 输入 2.4-4.5V，通过内置 MOS 管提升效率与输出电流，FP6276B 和 FP6277 分别满足智能设备稳定供电和医疗设备大电流需求，适用于对能效和稳定性要求高的中功率场景。
3.3-5v(转载)
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当你使用3.3V的单片机的时候,电平转换就在所难免了,经常会遇到3.3转5V或者5V转3.3V的情况,这里介绍一个简单的电路,他可以实现两个电平的相互转换 (注意是相互哦,双向的,不是单向的!).电路十分简单,仅由3个电阻加一个MOS管构成,电路图如下: 上图中,S1，S2为两个信号端,VCC_S1和VCC_S2为这两个信号的高电平电压.另外限制条件为:1，VCC_S1<=...
简单的3.3V与5V之间电平相互转换的电路
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文章目录前言一、电路图总结 前言 有时候我们需要5V转3.3V给单片机使用，有时候我们又需要把单片机的3.3V转成5V来驱动其他器件，这个时候就需要用到转换电路，当然也有现成的转换芯片，以及LDO可以直接使用。 那么我们要介绍的就是大部分实验室都可以快速搭建的。 一、电路图 三极管我们知道工作在线性放大区是放大信号的，那么我们当开关使用的话是工作在我们的非线性区，比如说就是我给一个高电平三极管就导通，给一个低电平三极管就不导通，这就是一个开关。 当左边VIN输入3.3V时，Q1导通，那么此时Q1的集电极
3.3V--5V简单实用的双向电平转换电路(非常实用_)-综合文档
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标题中的“3.3V--5V简单实用的双向电平转换电路”指的是在电子设计中，当系统中存在3.3伏特和5伏特电压域通信时，需要一个能够将这两种不同电平信号相互转换的电路。这种电路允许低电压设备与高电压设备之间进行有效...
比较实用的多种1.8V-3.3V双向电平转换电路
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双向电平转换电路是指在不同的电平之间进行转换的电路，例如1.8V到3.3V或反之。这种电路在数字电路设计中非常常见，特别是在不同电压的器件之间进行通信时。下面我们将讨论多种1.8V-3.3V双向电平转换电路的设计与...
简单实用的双向电平转换电路(非常实用!)3.3V--5V.zip-综合文档
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3.3与5V 电平转换
#elseif
08-11 6772
1.简介 现在大多数的MCU基本都是3.3V供电，而外围器件依旧存在一些5V供电的，两者之间的通信不可避免的需要电平之间的转换。 2.电路设计 这里介绍一个可以实现两个电平的相互转换的电路，网上相关的介绍也很多，近期的一个项目设计刚好用的，特此记录一下。 TR1、TR2为分立的 NMOS 三极管，S为源极，D为漏极，G为栅极。Rp为上拉电阻，一个连接在S与VDD1之间；另一个连接D与VDD2之间。G端连接VDD1。 除了3.3V VDD1 和5V VDD2 的电源电压外，还可以是：2V VDD1 和10V
3.3 V与 5V连接问题技巧大全.
04-12
我们对处理速度需求日益增长，构建单片机的尺寸在持续减小，晶体管击穿电压变得更低，随着速度的提高和复杂程度上升，对于高密度器件而言，不可避免的后果就是电源电压将从5v降至3.3V，甚至1.8V。 做为设计人员，我们现在面临着连接3.3V和5V系统的任务，此外，这个任务不仅包含逻辑电平转换，还包括3.3V系统供电，转换模拟信号使之跨越3.3V/5V的障碍。 本书提供了一些电源供电组件，数字电平转换组件甚至模拟转换组建，以解决所面临的挑战。对各种转换提供多种选择方案。
3.3V和5V电平双向转换——NMOS管
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3.3V数字信号转5V信号（低成本）
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在调一次LED屏驱动的时候，用到了一款LED驱动芯片TM1629，供电5V，如何将单片机高电平3.3v的数字信号，转换成5V高电平的数字信号给LED屏呢？采用低成本的方案考虑。     1：硬件上，单片机引脚输出端外加5V上拉，上拉电阻10K（可选） 2：单片机输出高电平：将引脚配制成输入模式，因为输入状态单片机处于高阻输出状态，5V上拉，确保给LED驱动芯片的信号为５V高电平 　单片机
三极管（8050）3.3v转5v电平转换及转换速率的测试
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选用8050,（NPN型三极管）做电平转换可以将3.3v高电平输出转换成5v高电平输出，但是输入和输出高低电平相反，即输入为1，输出为0；输入为0，输出为1。 3,输入不同频率的PWM脉冲测定电平的大致转换速率用STM32F103ZET6的定时器PWM输出功能，通过程序设置不同的输入脉冲，用示波器观察电平转换后的波形与转换前的波形进行比较。
【模拟电路】3.3V供电的STM32如何输出5V电压，通过NPN三极管提供两种方法解决问题。
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我们都知道STM32的供电电压是3.3V，但有时我们需要5V输出，这时应该怎么办呢，下面提供两种比较常见的用法。 我们都知道S8050是NPN三极管，即开关特性为高电平导通，低电平截至。 1.如下图，通过一个S8050即可以实现输出5V的目的。（反向输出） 当IO_IN为高电平1时，Q1导通，OUT接地，即输出低电平0； 当IO_IN为低电平0时，Q1截至，OUT上拉为5V，即输出高电平1； 可以看到输入和输出反向。 2.如下图，通过两个S8050即可以实现输出5V的目的。（同向输出） 当IO_IN为高电
3.3V转5V电平转换电路验证
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最近工作要用到3.3V控制5V，需要实现电平转换，搜索了网上一些常用的电路，并进行了模拟测试。 1.用一个三极管，在集电极输出5V电平。测试电路如下。 可以看到，基极导通时，输出低电平，只有0.07V，符合使用要求。 当三极管断开时，此时R2和负载R3形成了一个串联电路，加载在R3上的电压也可以简单用分压计算出来。所以输出只有4.16V。由此可以指导，三极管电平转换只适合高...
3.3-5v电平转换电路
02-23
### 3.3V 到 5V 电平转换电路设计与工作原理 #### 设计需求分析 在现代电子设备中，不同模块可能运行在不同的电源电压下。当需要将信号从较低的工作电压（如3.3V）传输到较高工作电压（如5V）的系统时，就需要使用电平转换电路来确保兼容性和可靠性。 #### 基本设计方案 一种常见的解决方案是采用开漏输出结构配合上拉电阻实现逻辑电平转换。具体来说： 对于从低电压侧(3.3V)向高电压侧(5V)发送数据的情况，可以利用具有开漏输出特性的器件作为接口芯片。这类器件的特点是在输出高电平时会呈现高阻态而不是直接输出供电轨电压，在这种情况下可以通过外部连接一个适当大小的上拉电阻至目标系统的电源线(Vcc=5V)，从而完成高低电平之间的转变[^1]。 ```circuitikz \begin{circuitikz}[american voltages] \draw (0,2) node[left]{GND} -- ++(4,0); \draw (0,0) node[left]{3.3V Logic Input} to[R=$R_{pull-up}$,*-*] ++(2,2) coordinate(A); \node at (A)[right]{5V}; \draw (A) -- ++(2,0); % MOSFET symbol \draw (2,-1) node[nmos](nmos){Q1} (nmos.G) node[anchor=south west] {Gate} (nmos.S) node[anchor=north east] {Source} (nmos.D) node[anchor=south west] {Drain}; \draw (nmos.S) |- (0,0); \draw (nmos.D) -| (A); \draw[dashed] (-1,-1.5) rectangle (3,2.5); \node at (1,-1.7) {Level Shifter Circuit}; \end{circuitikz} ``` 在这个例子中，选择了NMOS晶体管作为开关元件。当输入端为低电平（即接近地电位），MOSFET导通，使得输出被拉低；而当输入变为高电平（约等于3.3伏特），则MOSFET截止，此时通过外接的上拉电阻使输出达到大约5伏特的水平。 #### 工作原理说明 该方法依赖于两个关键因素：一是选用合适的MOSFET，其阈值电压应低于源极和栅极端子间的最大预期压差（在这里指3.3V）。二是合理选择上拉电阻值，既要保证足够的电流驱动能力又要避免功耗过大。 值得注意的是，上述描述仅适用于单方向通信场景下的简单应用场合。如果应用场景涉及到双向通讯，则需考虑更复杂的拓扑结构比如双向电平移位器ICs等更为专业的集成电路产品[^2]。
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