典型电路-----DRAM

本文介绍了SRAM与DRAM两种内存技术的特点与应用。SRAM由6个MOS管构成,利用双稳态触发器实现数据存储,具有读取速度快但成本高的特点,适用于CPU内部或与CPU主存之间的高速缓存。DRAM的基本单元包括1个MOS管和1个电容,虽然速度较慢但功耗低、容量大。

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 DRAM;速度慢,功耗小,容量大
SRAM:速度快,功耗大,容量小
 

(1) DRAM 基本单元由1MOS管和1个电容构成

(2) SRAM  基本单元由6MOS管构成,利用双稳态触发器的两个状态表示10,达到存储数据的功能。

 
 

 SRAM  基本单元由6MOS管构成,利用双稳态触发器的两个状态表示10,达到存储数据的功能。

      当写入1时,列地址选中后,T7/T8 打开,IO为高,/IO为低,行地址选中后

      T5/T6 打开,这时 T1/T4 导通,T2/T3截止,这样数据”1”就保存T1/T3/T2/T4

      构成的锁存器中,不掉电的话数据可以一直保存而不需要进行刷新。

      SRAM 读取速度快,但是体积大,成本高,适合做为小容量的高速缓存,

      比如CPU  内部或与CPU主存之间的高速缓存cache

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