wyj7260的专栏

原文地址：http://phys.org/news8896.html尔必达公司的Hitachi, Ltd.,宣布他们已经找到影响dram 单元保存时间(retention time)波动的主要原因--三极管pn结泄漏电流的波动。由于Dram的功耗受保存时间的影响很大，所以确定影响保存时间的因素，对降低dram功耗非常重要。一个Dram单元有一个三极管和一个电容构成。

转载自：http://it.21cn.com/mobile/guide/a/2013/0501/09/21401798.shtml手机硬件性能的提升，需要更大的信息吞吐量，而RAM无疑是沟通信息的重要“桥梁”。目前主流的智能手机的RAM已经达到了2GB，基本可以满足我们的日常需求。不过未来智能手机的RAM能否再提升呢？答案当然是肯定的。三星开始生产4GB LPDDR3 DRAM

DEVICE_WIDTH表示设备的带宽（单位bit），每个列（column）包含DEVICE_WIDTH 位(bit)，每一行(row)包含NUM_COLS个column。 而每一个bank包含NUM_ROWS个行(row)。所以一个设备(device)的存储容量为PER_DEVICE_STORAGE =NUM_ROWS*NUM_COLS*DEVICE_WIDTH*NUM_BANKS (i

In typical modern DRAM systems, thememory controller periodically issues anauto-refresh (auto-refreshis sometimes called CAS-before-RAS refresh)command to the DRAM.The DRAM chip thenchooses which ro