NorFlash和NandFlash

Flash编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写成1.所以在Flash编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程，块内的所有字节变为0xFF.因此可以说，编程是将相应位写0的过程，而擦除是将相应位写1的过程，两者的执行过程完全相反.

SoC常用外存：

一.

NorFlash：总线式访问，接到SROM bank，优点是可以直接总线访问，一般用来启动。
NandFlash：（SLC和MLC）不能总线访问。（后面支持NandFlash启动，NorFlash成本高）
SLC的特点是成本高、容量小、速度快，而MLC的特点是容量大成本低，但是速度慢。

二.

NorFlash闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；
NandFlash闪存是连续存储介质，适合存放大的数据.

三.

Norflash像内存一样是直接挂在系统总线上的，这样有足够多的地址线使得CPU能够寻址到每一个存储单元上去，这也意味着CPU能够直接通过总线访问Norflash上存储的内容，同时他还支持XIP(即片上执行，不用将代码搬到内存中，直接在Norflash上就能运行)。 而Nandflash它并不是直接挂载系统总线上，而是通过Nandflash控制器(这个一般集成在CPU内部)来完成读写操作的。如果我们把Norflash的那种寻址方式叫直接寻址的话(不是汇编里的那个直接寻址，这里指CPU能够直接通过地址线访问存储器的存储单元)，那么这里的Nandflash就是间接寻址(这里需要Nandflash控制器来寻址)。所以我们在使用Nandflash之前，一定要初始化Nandflash控制器。