twisted单线程多任务

本文通过实践测试,澄清了单线程多任务的概念,并详细解释了如何在Twisted框架中使用defer和reactor实现任务的异步处理。

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关于单线程多任务刚开始的理解是有偏差的,并且偏差的很大:以为是在单个线程中实现请求并发;

 

随后写了段代码测试了一下,发现不是这样的:

代码如下:

 

from twisted.internet import protocol, reactor, defer
import dbconsolethread,time

PORT = 5001

class SMGServProtocol(protocol.Protocol):
    def connectionMade(self):
        print 'client connected port:',self.transport.getPeer().host
    
    def dataReceived(self, data):
        try:
            if data:
                print 'data:',data
                defer = self.factory.dataConsole(data)
                defer.addErrback(self.transport.loseConnection())
                defer.addCallback(self.repConsole(returndata))
        except:
            self.transport.loseConnection()
            
    def repConsole(self,returndata):
        print 'returndata:',returndata
       
    def connectionLost(self, reason):
        print 'client connected lost'
        print reason

class SMGServFactory(protocol.ServerFactory):
    protocol = SMGServProtocol
    def __init__(self):
        self.dbcontrol = dbconsolethread.DBcontral()
    
    def dataConsole (self, data):
        return defer.succeed(self.loadData())
    
    def loadData(self):
        time.sleep(3)
        return 'sleep over'
    
if __name__ == '__main__':
    reactor.listenTCP(PORT, SMGServFactory())
    reactor.run()
 然后在cmd下向服务器端请求,发现是一次只能处理一个,只有第一个处理完毕,程序才会接收第二个请求;

 

而我原来的认为是:程序最起码能够接收第二次发送的请求数据,接收之后才进入等待第一个请求处理完毕的时间

 

测试之后的结果是:对于第一次请求没有处理完成前提下的第二个请求,程序是根本不接收的。只有等到第一个请求处理完毕

才会接收下面的请求数据。

 

而所谓的并发,也只是在定义了 defer.addCallback(self.repConsole(returndata))方法之后,调用

reactor.callback方法才会同时指定多长时间之后调用,才会进入并发执行状态

 

那么所谓的单线程多任务是什么意思呢?

首先得明白,是单线程,那么从计算机本身的原理来讲,在单个线程中,是不可能实现并发的,那么就可以总结为,单线程中的多任务是纵向的多任务

而不是横向的。

在一个线程中,纵向执行多个任务。而如果想让某个任务并发执行,那么是可以利用reactor去实现并发的;前提是定义了defer的addcallback方法

 

提示:以上是鄙人的学习总结,如有错误之处,还望各位勘正,本文之所以进入论坛,也是为了听取python大牛们意见的

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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