7、半导体存储与制造技术全解析

半导体存储与制造技术全解析

在半导体领域，不同的存储和制造技术各有特点，它们在数字电路和定制微电子领域发挥着重要作用。下面将详细介绍ROM、RAM、FRAM等存储技术，以及BiCMOS、镓 - 砷化物等制造技术，并对这些技术进行对比分析。

1. 只读存储器（ROM）相关技术

ROM在存储技术中占据重要地位，不同类型的ROM具有不同的特性和应用场景。

• 可编程只读存储器（PROM）

  • 原理 ：PROM和可擦除可编程ROM采用相同的基本制造技术，但允许IC购买者选择阵列中的所需连接。在双极型PROM中，用户通过每个发射极连接中的可熔链路进行编程。
  • 编程过程 ：这种链路可以是掺杂硅或镍铬等金属。编程操作是向单个电路施加约20 mA的短持续时间脉冲，足以熔断“保险丝”链路，但不会损坏电路的其余部分。
  • 特点 ：一旦熔断，保险丝路径无法修复，因此这种存储器是永久性（非易失性）且不可重新编程的。

• 可擦除可编程只读存储器（EPROM）

  • 原理 ：商用单极型PROM不使用可熔链路，而是通过施加短电压脉冲激活FET栅极，使器件在需要时发挥功能。
  • 编程与擦除 ：通常可以通过相反极性的电脉冲或紫外线擦除