MOS管

最新推荐文章于 2025-03-11 15:19:19 发布
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1.pmos和nmos 三个极判断
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2.Pmos和Nmos 识别
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3.pmos和nmos 寄生二极管方向判断
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4.电路的接法
D极和S极这两个引脚一定是输入和输出，不论是pmos还是nmos，输入总是与寄生二极管的方向是相反的（输入总是与s极交叉的那个箭头方向相反）
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5.导通条件
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MOS管的知识，看这一篇就可以了
记得诚
11-20 1万+
文章目录1.场效应管分类2.N和P区分3.寄生二极管4.导通条件5.基本开关电路6.与三极管的区别7.G和S极串联电阻的作用8.G极串联电阻的作用9.MOS管的米勒效应10.选型要点 今天的文章简单总结一下MOS管，如下是本文目录。 1.场效应管分类 场效应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。 JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。 MOSFET英文全称是Metal-Oxide-
pmos管的应用_【知识】MOS管的分类、区分和寄生二极管
weixin_29672983的博客
01-24 1075
在之前的文章《【知识】三极管和MOS管驱动电路的正确用法》和《揭开mos管损坏之谜，看完觉得太值了！》中，小编有介绍MOS管驱动电路的正确用法以及损坏的类型原因等内容，今天转载这篇文章来详细地介绍一下MOS管的分类、区分和寄生二极管的内容。一、分类场效应管分为结型(JFET)和金属-氧化物-半导体型(MOSFET)两种类型，MOSFET应用广泛，结型管(JFET)几乎不用，MOSFET一...
DC-DC开关电源学习（一）---NMOS与PMOS内部结构，寄生/体二极管应用与参数，简单自举电路
m0_74041486的博客
01-31 9181
记录学习NMOS和PMOS管的硬件结构、工作原理和应用场景，以及简单自举电路与MOS管的应用
电路小白学习MOS管
asdfghaaaab的博客
10-12 5327
mos管
NMOS&PMOS&&ADC/示波器采样率
woshizuopie的博客
08-01 6122
目录 一. NMOS和PMOS 1. 导通特性： PMOS： NMOS： 2.超经典MOS管电平转换电路 3. 电源切换电路（略） 4. MOS管体二极管 二. ADC采样原理 三.示波器基本原理 一. NMOS和PMOS 只需记住一点： NMOS：电流D->S，G电位比S电位高，就会导通。 PMOS：电流S->D，S电位比G电位高，就会导通。 区分PMOS管和NMOS管的巧妙记忆方法_tanguohua_666的博客-优快云博客_nmos管...
MOS管的那些事儿-mos管的工作原理
06-06
MOS管，全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是电子电路中的一种关键元件，广泛应用于主板、电源管理和其他电子设备中。本文主要探讨MOS管的工作原理及其...
超经典MOS管电路工作原理及详解
09-19
‌‌MOS管是一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）‌，简称金氧半场效晶体管。 它是一种半导体器件，具有高输入阻抗、制造工艺简单、使用灵活方便等特点， 非常有利于高度集成化。MOS管根据导电沟道的类型...
mos_能给mos管编程_SilvacoTCAD_silvaco做mos管_slivaco中MOS工艺_mos管编程_源码
10-02
"mos_能给mos管编程_SilvacoTCAD_silvaco做mos管_slivaco中MOS工艺_mos管编程_源码"这个标题和描述揭示了使用Silvaco TCAD工具进行MOS管建模、模拟和编程的过程。 Silvaco TCAD（Technology Computer-Aided Design...
电力电子技术中MOS管关断负压尖峰的成因与对策
12-26
内容概要：本文详细探讨了MOS管在关断瞬间产生负压的原因及其解决办法。文章首先介绍了三个主要原因：感性负载导致的反电动势、米勒效应以及电路中的寄生参数。接着详细阐述了每种原因的物理原理及其带来的具体影响...
mos管保护电路图_mos管防静电保护电路图
07-15
MOS管，全称金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种电压控制器件，广泛应用于放大、开关、信号调制和许多其他电子电路中。MOS管根据沟道类型的不同可分为N...
MOS管寄生二极管的方向如何判断呢？
07-14
1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。 图1 左边是N沟道的MOS管，右边是P沟道的MOS管寄生二极管的方向如何判断呢？**它的判断规则就是对于N沟道，由S极指向D极；对于P沟道，由D极指向S极。 如何分辨三个极？D极单独位于一边，而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。它们的位置是相对固定的，记住这一点很有用。请注意：不论NMOS管还是PMOS管，上述PIN脚的确定方法都是一样的。 MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性：Vgs大于某一值管子就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V就可以了。PMOS的特性：Vgs小于某一值管子就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。 下
MOS管的寄生电容和寄生二极管
weixin_46251230的博客
10-14 3539
这是一个用单片机引脚控制NMOS管导通和截止，从而控制继电器的电路，这里NMOS管的寄生二极管是从S极到D极的，假如NMOS管接反了，二极管负极在下，正极在上，则线圈的电路始终是导通的，电流从12V出来经过线圈，再经过MOS管的寄生二极管到GND，因为内部寄生二极管无法控制，无论单片机引脚输出高电平还是低电平，MOS管始终导通，无法起到控制作用。在NMOS管的构造中，衬底B与源极S、漏极D均存在PN结，由于源极S与衬底B相连，左边的二极管无效，源极S与漏极D存在寄生二极管，方向为S指向D。
MOS管电流方向能反吗？体二极管能过多大电流？
weixin_42005993的博客
08-17 2万+
今天来说两个问题： 1、MOS管导通电流能否反着流？D到S，S到D方向随意？ 2、MOS管体二极管能过多大的电流？ 为啥会有这两个问题？ 我们在最开始学习MOS管的时候，应该都是从NMOS开始的，电流的方向都是从D到S的。 而实际应用电路，NMOS会有电流从S到D的情况，比如下面这个NMOS管防电源反接电路（仅仅是个示意图，实际电路需要多考虑一些因素）。 原理我还是先大致说下。 1、在电源正常接入的时候 电源正极VCC经过后级负载电路接到体二极管，那么体二极管就会导通，于是.
硬件---7MOS管---开关电路设计、寄生电容、寄生二极管、做开关电源注意事项
weixin_44176501的博客
11-20 4261
一般情况下MOS管的源级都会连接GND，当不直接连接GND时就会存在一些注意事项，对这个电路进行简单说明，其实也是MOS管的一些特性，当没有上电的时候，所有极都是0V，上电后栅极为5V，假设MOS管导通电压是3V，Vgs大于导通电压，MOS管导通，导通后电流从D极流向S极，因为源级不接GND，所以源级电压会逐渐升高，直到Vgs小于饱和导通电压，从而进入放大区，这个时候MOS管相当于一个电阻，无论D极电压怎么改变，MOS管也不会在进入饱和导通区，一直处于放大区。但是电源不是凭空出现的，这就会导致预算的增加。
MOS管符号如何记忆
kenmobai5363的博客
03-11 1879
PMOS符号如图。NMOS符号如图。由上图可以看出，MOS管符号主要由3部分组成：GDS管脚、箭头方向以及体二极管方向。
NMOS和PMOS管 电流方向和应用电路
学海无涯的专栏
03-25 3万+
1、分辨MOS管的方法 对于NMOS我们看下图中的箭头，都是远离源头。 对于PMOS我们看箭头，都是指向源头 P：POSITIVE积极的寻找自己的起源 N：NEGTIVE消极的远离自己的源头 首先明确一点，S是源极，D是漏极 对于NMOS，载流子是电子，我们知道电子的流向都是从源极到漏极，但是电流的流向是从漏极到源极。 对于PMOS，载流子是空穴对，空穴对的流向也是从源极到漏极，与NMOS不同的是PMOS电流的方向也是从源极到漏极，注意区分。 上图出现的二极管为体二极管，在驱动...
三极管
10-08 2695
三个极怎么判定 G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边 N沟道还是P沟道 箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道 寄生二极管方向如何判定 不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向S MOS开关实现的功能 1>信号切换 2>电压通断 MOS管用作开关时在电路..
NMOS与PMOS的区分及使用
热门推荐
10-21 5万+
1、箭头指向栅极G的为NMOS，反之为PMOS 2、箭头的方向代表了电子的运动方向，电流方向与之相反 3、P Channel mosfet current direction 源極的源是指載流子的起點；漏極的漏是指載流子的終點。載流子從源極出發，穿過溝道，到達漏極，從外部看，載流子最終從漏極漏出去了。顯然，NMOS和PMOS的載流子是不同的，因此導致了令人困惑的電流方向問題。盯住載流子即可，別被電流方向迷惑。 可以簡單地認為，柵極和襯底間的電壓超過閾值後，漏極和源極就接通了，而電流大小則
NMOS和PMOS的简单介绍
GodArtemis的博客
06-26 1万+
四是GS之间的寄生电容Cgs，所有的NMOS管都有，这是制造工艺的问题无法被避免，Cgs影响NMOS管的打开速度，因为栅极处的电压会首先给Cgs充电，导致GS之间的电压不能一下子到达给定值，有一个爬升的过程，当然因为Cgs比较小，所以我们平时感觉不到它，但Cgs对高速的PWM控制场景是致命的，当PWM的周期接近于这个爬升时间时，波形就会失真，Cgs与Rds之间成反比。NMOS管和PMOS管最主要的区别就是当栅极G为高电平时，NMOS管导通，为低电平时，NMOS管关闭，而PMOS管恰恰相反。
mos管
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06-10
### MOS管的电子元器件应用电路 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛应用的电子元器件，其具有多种类型和应用场景。以下是MOS管在不同场景中的...
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