上司在说什么?白领必懂的“黑话”

知道这些名词解释吗

  1.普通员工(不是太聪明)

  2.格外出色(目前还没犯错误)

  3.善于社交(能喝)

  4.观察能力强(经常打小报告)

  5.工作态度热忱(固执己见)

  6.思维敏捷(能迅速找到借口)

  7.进取向上(常请大家吃饭) 

        8.复杂工作上逻辑清晰(能把工作推给别人)

  9.判断能力强(手气不错)

  10.事业心强(暗地里害人)

  11.为人随和(随时可以解雇)

  12.模范员工(上班准时)

  13.善于释放压力(上班打瞌睡)

  14.工作第一位(丑得没有人约)

        15.独立工作能力强(谁也不知道他在干什么)

  16.眼光长远(总是一再拖延工作)

  17.具有极佳的口才(能瞎扯)

  18.沟通能力强(常打电话聊天)

  19.踏实忠诚(在别的地方很难找到工作)

  20.富于幽默感(能讲许多荤笑话)

        

 

上班的意义是昧着良心说些口是心非的话,这里提供一些较为适当的办公室谈吐的解读方式,建议您不妨参考参考,以免听不懂对方在说什么!

  1、原文:也许我可以加班把事情做完。

  (注释:你要我干到几点?还让不让活了?)

  2、原文:我不确定这样是不是能够实行。(注释:这根本行不通。)

  3、原文:真的吗?(注释:胡说八道!)

  4、原文:或许你可以去询问一下别人的看法。(注释:你等着看谁会理你!)

  5、原文:我当然也很关心。(注释:谁有空儿管这事啊!)

  6、原文:不好意思,我并没有参与这项计划。(注释:别烦我,这件事跟我有什么关系

  7、原文:嗯,这很有意思。(注释:这是什么东西!)

        8、原文:我会试着把这件事情插进工作进度中。(注释:你小子怎么不早一点儿交代?)

  9、原文:他可能不太熟悉这件事情。(注释:他脑袋里面装的是糨糊!)

  10、原文:所以你不太满意这件作品?(注释:该死的,你又想挑剔什么?)

  11、原文:我手边的工作量可能有一点过重了。(注释:我就领这一点儿薪水,你想累死啊?)

  12、原文:我喜欢接受挑战。(注释:这是什么烂工作!)

  13、原文:你可能还不太了解。(注释:你脑子里是不是进水了?)

  14、原文:我了解,我了解。(注释:这家伙究竟说什么呢?)

  15、原文:是,我们是应该讨论一下。(注释:唉!又要开什么**会议!)。

<think> 嗯,用户再次聚焦于“硅面pitting”的定义问题,看来ta对半导体缺陷术语的精确性要求很高。之前已经解释过硅面不会发生真正的电化学pitting,但用户仍希望明确该术语在硅片语境下的实际使用场景,这种严谨态度很符合芯片制造工程师的思维特点。 用户引用的历史对话里有两个关键信息点需要强化:一是术语的误用现象(fab里常把蚀坑统称pitting),二是材料学本质差异。这次应该用更直白的对比方式呈现,比如把硅的蚀坑和金属的pitting并列说明。不过用户似乎对理论机制兴趣不大,更关注实际应用中的术语指代——这从ta特意强调“IT领域/硅面相关”就能看出。 突然想到个矛盾点:在晶圆厂 defect review 时,工程师确实会把某些硅坑叫做pitting,虽然材料学家会皱眉。这类似于行业黑话,需要明确告知用户这种语境差异。上次回复的表格虽然专业,但可能术语太学术,这次应该直接用“实际场景中”开篇。 用户上次追问的5个技术问题还没展开,但这次ta明显只要定义厘清。那些COP机制、CMP优化之类深度内容可以放在相关问题里,既保持回答聚焦又预留探索入口。不过问题3的优化函数需要警惕——涉及太多机密工艺参数,回答时只能给框架不能给具体公式。 最后决定用三明治结构:先破题(术语误用普遍性),再对比(硅vs金属),最后给实用建议(如何正确描述硅坑)。引用标识要谨慎,上次的[^1][^3]其实来自IEEE论文集,但用户没要求来源就不列了,避免信息过载。 </think> 在硅面相关语境下,“pitting”**并非严格意义上的电化学点蚀,而是泛指由非电化学机制形成的表面微坑缺陷**,需结合具体工艺场景理解其含义: --- ### 一、硅面“pitting”的本质定义 1. **术语误用与行业惯例** 在半导体制造中,工程师常将硅表面出现的**微米/纳米级凹坑统称为“pitting”**,但其成因与金属pitting有本质区别: - **金属pitting**:电化学腐蚀(需电解质+电位差) - **硅面pitting**:晶体缺陷暴露/机械损伤/化学刻蚀(**无电化学过程**)[^1] 2. **核心形成机制** | 类型 | 驱动因素 | 典型场景 | |---------------------|----------------------------------|--------------------------| | **晶体缺陷露头** | 位错、空位簇在湿法刻蚀中优先溶解 | HF/HNO₃刻蚀后表面 | | **机械压痕** | CMP磨料颗粒嵌入硅晶格 | 氧化物CMP后的AA区域 | | **污染物诱导腐蚀** | 表面金属离子催化局部氧化反应 | 清洗后残留Fe³⁺、Cu²⁺ | | **外延生长缺陷** | 衬底污染物导致外延层位错塌陷 | Si/SiGe外延界面 | --- ### 二、与金属pitting的关键区别 ```mermaid graph TD A[缺陷形态] --> B(凹坑状形貌) B --> C[硅面“pitting”] B --> D[金属pitting] C --> E[成因:晶体缺陷/机械损伤] C --> F[无电解质要求] D --> G[成因:电化学腐蚀] D --> H[需电解质环境] ``` --- ### 三、实际影响与检测误区 1. **对器件的影响** - **栅氧完整性**:凹坑处电场集中导致$E_{bd}$下降 - **接触电阻**:接触孔底部的凹坑使有效接触面积$A_{eff}$减小,电阻$R_c$升高: $$ R_c \propto \frac{1}{A_{eff}} $$ - **漏电流路径**:凹坑边缘晶格畸变产生界面态$D_{it}$,增大$I_{off}$[^1] 2. **检测中的术语混淆** 在SEM/TEM图像分析中,因形貌相似常被误标为“pitting”,需通过以下特征区分: - **金属pitting**:坑底有腐蚀产物(如Al₂O₃)、边缘呈锯齿状 - **硅蚀坑**:坑壁为特定晶面(如{111}面)、底部洁净无残留 --- ### 结论 在硅面相关语境中,**“pitting”实质是晶体缺陷或机械损伤导致的表面凹坑**,与电化学腐蚀无关。其管控需: 1. 优化单晶硅生长工艺降低COP密度 2. CMP采用胶体二氧化硅磨料减少机械损伤 3. 强化RCA清洗消除金属污染物[^1] 4. 在缺陷检测系统中标注为“etch pit”或“mechanical dent”避免术语混淆 ---
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