Stm32F407——LED闪烁(2)

最新推荐文章于 2025-04-13 00:18:43 发布

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#stm32 #嵌入式

本文介绍了STM32F407中位带和位带别名区的概念，详细阐述了如何进行位带操作，并通过实例展示了如何计算GPIOF_ODR的bit9在位带别名区的地址，从而实现LED0的闪烁控制。通过定义LED0的宏，简化了代码操作。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

位带及位带别名区的关系:
位带是指在存储区中可以按位操作的地带；
位带别名区(Bit Band Alias)是指存储区的另一个区域，该区域中的每1个字与位带中的1个位一一对应。
对位带区的1个位的操作和对对应的别名区中的】个字的操作结果一样，但对位带别名区操作代码效率更高。STM32F407中有两个区域支持位带，一个是SRAM区的最低1MB范围(0x2000 0000~0x200FFFFF)，另一个是片内外设区的最低1MB范围(0x4000 0000~0x400F FFFF)。这两个区中的地址除了可以像普通的 RAM一样使用，它们还都有自己的“位带别名区”，位带别名区把位带区的每个位膨胀成一个32 位的字，即每个位带别名区有 32MB。其中,SRAM的位带别名区的地址范围为:0x22000000~0x23FF FFFF;片内外设的位带别名区的地址范围为:0x4200 0000~0x43FF FFFF。

GPIOF_ODR的bit9映射到位带别名区的地址的计算：
0x4002 1414&0xf000 0000 + 0x200 0000 +(0x4002 1414&0xfffff)<<5 + 9<<2 = 0x4242 82A4
> 故定义：
#define LED0 (*(volatile unsigned *)0x424282A4)
方便以下LED0的使用.

LED0定义宏

 #define LED0 (*(volatile unsigned *)0x424282A4)

main.c

//GPIOF口相关寄存器的定义
/*将项目2-1中的7)、regdef.h文件下//GPIOF口相关寄存器的定义拷贝过来*/
//注意，只需复制定义，不用复制条件编译
//GPIOF口相关寄存器的定义
	#define GPIOF_MODER    (*(volatile unsigned *)0x40021400) //端口x输入输出模式配置寄存器，控制位=00输入，=01通用输出，=10复用，=11模拟
	#define GPIOF_OTYPER    (*(volatile unsigned *)0x40021404) //端口输出类型配置寄存器。=0推挽输出，=1开漏输出
	#define GPIOF_OSPEEDR    (*(volatile unsigned *)0x40021408) //端口x输出速度配置寄存器。=00，2MHz；=01，25M；=10，50M；=11，30pF时为100M.
	#define GPIOF_PUPDR    (*(volatile unsigned *)0x4002140C)  //端口上拉下拉配置寄存器。=00无上下拉，=01上拉，=10下拉，=11保留
	#define GPIOF_ODR    (*(volatile unsigned *)0x40021414) //端口输出数据寄存器，某位=0对应端口输出低电平，=1输出高电平。
	//时钟系统相关寄存器的定义
	#define RCC_CR  		  (*(volatile unsigned *)0x40023800)
	#define RCC_PLLCFGR    (*(volatile <

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