weixin_51473227的博客

如果芯片中的IR drop过大，则stdcel就有功能障碍. 具体来说是怎么导致gate延迟增加的呢，可以理解为电压减少，电流减少，对器件的充放电变慢，开关速度变慢，同时skew也变大，还会引起时序违例问题。decap cell (电源的Power和Ground之间接入一个适当大小的capacitor，利用capacitor的通交流阻直流的特性，可以平缓电源电压的波动),decap Cell的内部实现很显然就是一个连接Power和Ground的capacitor;本质上还是减少电流，别让电压降的太厉害。

EM现象深刻影响着芯片寿命，因为芯片只要在使用，就会发生EM现象，使用的越久，EM所累积的效应就越多，金属变形会越来越严重。理论上来说芯片的寿命是有限的，只要工作的够久，EM总会使芯片失效。如何来量化EM的影响呢？EM 全称 electromigration（电迁移）它指的是：在通电导体中，由于电子的定向移动移动，会与金属线中的金属原子产生碰撞，导致金属原子移位，宏观上表现为金属线发热，变形，熔断，对于芯片中纳米级很细的导线来说，久而久之可能会使net发生短路或断路，进而造成芯片工作失效。