1.有两条线平行的是S极(源极)对面是D(漏极),中心是G极(栅极)
2.两个作用,开关(饱和状态下基本无压降),隔离(利用二极管)
3.关断条件GV<DV,状态下流向是二极管方向,开通条件GV大于DV,状态流向二极管反方向


参考:
MOSFET 导通条件
本文介绍了MOSFET的基本工作原理,包括如何通过源极(S)、漏极(D)和栅极(G)来确定其结构。阐述了MOSFET作为开关元件的工作方式,在饱和状态下实现低电压降,并利用二极管进行电气隔离。文中还详细解释了MOSFET的导通和关断条件,即栅源电压与漏源电压的关系。
1.有两条线平行的是S极(源极)对面是D(漏极),中心是G极(栅极)
2.两个作用,开关(饱和状态下基本无压降),隔离(利用二极管)
3.关断条件GV<DV,状态下流向是二极管方向,开通条件GV大于DV,状态流向二极管反方向


参考:
MOSFET 导通条件
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