Mos管的个人理解

本文介绍了MOSFET的基本工作原理,包括如何通过源极(S)、漏极(D)和栅极(G)来确定其结构。阐述了MOSFET作为开关元件的工作方式,在饱和状态下实现低电压降,并利用二极管进行电气隔离。文中还详细解释了MOSFET的导通和关断条件,即栅源电压与漏源电压的关系。

1.有两条线平行的是S极(源极)对面是D(漏极),中心是G极(栅极)
2.两个作用,开关(饱和状态下基本无压降),隔离(利用二极管)
3.关断条件GV<DV,状态下流向是二极管方向,开通条件GV大于DV,状态流向二极管反方向

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参考:
MOSFET 导通条件

基于数据驱动的 Koopman 算子的递归神经网络模型线性化,用于纳米定位系统的预测控制研究(Matlab代码实现)内容概要:本文围绕“基于数据驱动的Koopman算子的递归神经网络模型线性化”展开,旨在研究纳米定位系统的预测控制问题,并提供完整的Matlab代码实现。文章结合数据驱动方法与Koopman算子理论,利用递归神经网络(RNN)对非线性系统进行建模与线性化处理,从而提升纳米级定位系统的精度与动态响应性能。该方法通过提取系统隐含动态特征,构建近似线性模型,便于后续模型预测控制(MPC)的设计与优化,适用于高精度自动化控制场景。文中还展示了相关实验验证与仿真结果,证明了该方法的有效性和先进性。; 适合人群:具备一定控制理论基础和Matlab编程能力,从事精密控制、智能制造、自动化或相关领域研究的研究生、科研人员及工程技术人员。; 使用场景及目标:①应用于纳米级精密定位系统(如原子力显微镜、半导体制造设备)中的高性能控制设计;②为非线性系统建模与线性化提供一种结合深度学习与现代控制理论的新思路;③帮助读者掌握Koopman算子、RNN建模与模型预测控制的综合应用。; 阅读建议:建议读者结合提供的Matlab代码逐段理解算法实现流程,重点关注数据预处理、RNN结构设计、Koopman观测矩阵构建及MPC控制器集成等关键环节,并可通过更换实际系统数据进行迁移验证,深化对方法泛化能力的理解
### 使用MOS管控制CAN总线终端电阻 为了实现通过MOS管来控制CAN总线上的终端电阻,在硬件设计方面需要考虑几个关键因素。首先,理解为何要使用120Ω作为标准终端电阻值至关重要;这主要是因为该阻值能够提供良好的阻抗匹配效果,从而减少信号反射并提高通信质量[^1]。 当涉及到利用MOS场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)动态地开关这些终端电阻时,则可以通过改变施加于栅电压的方式使能或禁用特定路径中的电流流动。具体来说: - **选择合适的MOSFET**:应选用逻辑电平驱动型的NMOS器件,这类元件可以在较低的工作电压下被激活,非常适合用于微控制器单元(MCU)直接控制的应用场景。 - **构建基本电路架构**:如下图所示,展示了基于N沟道增强模式MOSFET Q1和Q2构成的一对互补配置,用来分别管理两条独立的数据线路(CAN_High 和 CAN_Low) 上串联接入的120Ω终端电阻 Rterm1 及 Rterm2 。这里假设Vcc为系统的供电电源,GND代表公共接地端子。 ```plaintext Vcc (+) | ---|>|--- CAN_High (to bus) | Q1(N-MOSFET) GND ---|<|--->(Rterm1=120Ω)---> Node A | MCU I/O Pin (Control Signal) Vcc (+) | ---|>|--|<|--->(Rterm2=120Ω)---> Node B | MCU I/O Pin (Control Signal) ``` 在这个设计方案里,MCU 的I/O引脚负责向对应的MOSFET发送高低电平指令以决定是否闭合回路让电流流经外部连接着的120Ω电阻。当给定高电平时,相应的MOSFET导通使得NodeA/B处形成完整的电气连接至地面(GND),此时便实现了有效的终端负载加载功能;反之则断开此链路取消影响。 值得注意的是,在实际部署前还需仔细评估所选MOSFET的最大允许漏源击穿电压(Vds_max), 阈值开启电压(Vgs(th))以及其他参数规格书内提及的重要指标,确保其满足预期工作条件下的性能需求。 此外,考虑到电磁兼容性和噪声抑制等因素的影响,建议在靠近PCB板边缘位置安装上述组件,并尽可能缩短走线长度减小寄生电感带来的不利后果。 最后提醒一点就是关于软件层面的操作流程——即如何编写程序代码去操控GPIO接口完成对MOSFET状态切换的任务。这部分内容通常依赖具体的开发平台环境和个人偏好有所不同,因此不在本文讨论范围内。
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