本征半导体和杂质半导体

最新推荐文章于 2025-08-04 19:52:09 发布
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分类专栏： 电子技术基础 文章标签： 笔记
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本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/weixin_47195080/article/details/137732066
本文介绍了本征半导体的特性，如硅原子的电子结构及本征激发过程，同时阐述了杂质半导体如P型和N型的形成原理，通过掺杂其他元素改变半导体中的多子类型。

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本征半导体：首先硅原子的最外层电子结构为2 8 4，等到或失去4个电子就能形成稳定结构；
本征激发：受温度影响，分离出空穴和电子的过程；
杂质半导体：掺杂其他的元素，例如P、B元素，掺杂为P时。
由于P最外层为5个电子，与硅结合，还剩1电子，此时半导体中多子是电子。所以带负电荷，称为N型半导体；
由于B最外层为3个电子，与硅结合，还剩1空穴，此时半导体中多子是空穴。所以等效成带正电荷，称为P型半导体；

模电——半导体
ManagerUser的博客
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本篇博客主要记录了什么是半导体，以及本征半导体，N型半导体，P型半导体，半导体的单向导电性，影响半导体稳定性的主要因素。
半导体基础知识—PN结
weixin_47750052的博客
02-28 850
随外加电压变化，有电荷积累和释放的过程，与电容充放电相同，其等效电容为势垒电容Cb。温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。均有变化，也有电荷的积累与释放过程，其等效电容为扩散电容Cd。，并非常量，若外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性。图1、本征半导体结构示意图及载流子。，故在本征半导体中，均是运载电荷的。纯净的、具有晶体结构的半导体；扩散路程中载流子的浓度及其梯度。，常温下仅极少数价电子由于。物质的导电性能决定于。本征半导体相邻原子间。，挣脱共价键束缚成为。
半导体物理学——（三）半导体中载流子的统计分布
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11-12 1万+
产生导带电子和价带空穴的方式：杂质电离与本征激发。 本征激发：在一定温度下，电子直接从价带跃迁到导带，形成导带电子和价带空穴。 杂质电离：当电子从施主能级跃迁到导带时产生导带电子，电子从价带激发到受主能级时产生价带空穴；当然，电子也可以能高能量的量子态跃迁至低能量的量子态，即电子向下跃迁到施主能级与价带，释放出能量，此时，价带中的空穴逐渐减少，称为载流子的复合。这一过程称为热平衡状态，热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。其浓度随温度变化。 状态密度：在半导体的导带和价带中，有很多能级存在，但相邻能
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QW168168168的博客
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