STM32读写内部flash注意点

最新推荐文章于 2025-04-12 11:01:12 发布

zichenla

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分类专栏： STM32F4 文章标签：单片机 stm32

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/weixin_46146288/article/details/114323029

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STM32进行内部Flash操作时需要注意解锁、清除flag、擦除和写入的顺序，且擦除最小单位为扇区。电压范围选择VoltageRange_3，写入数据需四字节对齐，读取时使用__IO修饰临时变量。使用库函数操作简单，但内部Flash寿命有限，约为10万次。

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STM32读写内部flash注意点

先说注意点
怎么写
怎么读的
总结

先说注意点

1、写之前的第一步是要先解锁flash，解锁后最好清除下所有的flag，然后是擦除操作，然后是写，最后写完加锁保护flash。写有个写双字库函数（FLASH_ProgramDoubleWord）不能用，因为没有外部Vpp，怎么才有外部Vpp看点3。

2、flash擦除的最小单位是扇区。

3、flash擦除操作正常情况下使用电压使用VoltageRange_3就行，只所以不使用VoltageRange_4如下：

VoltageRange_4: when the device voltage range is 2.7V to 3.6V + External Vpp, 
                the operation will be done by double word (64-bit)

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STM32之flash(读写保护)加密

m0_51695041的博客

01-04

3268

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STM32读写内部FLASH

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01-19

718

因此，要避免频繁的擦写操作，可以通过一些算法来减少擦写次数，比如日志结构存储，将新数据存储在新的位置，而不是更新原有的数据位置。上述代码是基于STM32F1系列的标准库编写的，对于其他系列（如STM32F4、STM32F7等），虽然基本原理相似，但在寄存器的使用和函数的细节上可能会有所不同，需要根据具体的芯片手册和标准库进行调整。，先擦除对应的扇区，如果擦除失败程序会陷入死循环，然后将数据写入该地址，如果写入失败程序也会陷入死循环，最后读取该地址的数据。☁愿你的生命中有够多的云翳,来造就一个美丽的黄昏。

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2.单片机flash操作注意事项

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1.在flash擦写的时候需要关闭中断，不然会出现不可预料的现象 char a=__get_PRIMASK();//获取是否开启中断 __disable_irq(); //关闭中断 ////////////////////// if(a) __disable_irq(); else __enable_irq(); 2.创建备份区降低擦写时掉电数据丢失的风险...

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页和扇区是存储介质（如 Flash、硬盘）中管理和操作数据的基本单位，但它们的定义和应用场景有所不同。0x0801 0000页；那么他擦的就是0x0801 0000 - 0x0801 07FF；对齐数据允许CPU通过单次内存操作完成读写，而非对齐数据可能需要多次访问并拼接，显著降低效率。是0x0801 0000 - 0x0801 07FF；”意味着该数据的起始内存地址必须是4的倍数（在STM32中，访问未对齐的32位数据可能导致异常。能看到页Page的大小为2KB (0x800)

STM32中Flash的操作

Johsnon的博客

03-26

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STM32中Flash的操作 FLASH写入 void writeFlashTest(void) { /* 1/4解锁FLASH*/ HAL_FLASH_Unlock(); /* 2/4擦除FLASH*/ /*初始化FLASH_EraseInitTypeDef*/ /*擦除方式页擦除FLASH_TYPEERASE_PAGES，块擦除FLASH_TYPEERASE_MASSERASE*/ /*擦除页数*/ /*擦除地址*/ FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;

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2200

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hurryddd

09-07

4712

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1)资料下载:点击资料即可下载2)对正点原子Linux感兴趣的同学可以加群讨论：9354467413）关注正点原子公众号，获取最新资料更新http://weixin.qq.com/r/hEhUTLbEdesKrfIv9x2W (二维码自动识别)STM32F4 本身没有自带 EEPROM，但是 STM32F4 具有 IAP（在应用编程）功能，所以我们可以把它的 FLASH 当成 EEPROM 来使...

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