关于三极管集电极电压1V以上后伏安特性曲线不右移

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#电学

本文探讨了集电极电压对基级电子吸收的影响。当集电极电压小于1V时，基级电子更多地流向集电极；而超过1V时，集电极已吸收所有基级电子，无法再吸收。这一过程涉及到半导体器件中电子的流动规律，其中关键参数是基级电压和集电极的电子收集能力。

在这里插入图片描述
当集电极电压增大时，吸收基级电子的能力增大，
.<1V时 使基级的电子更多的向集电极运动
.>1V时 集电极已经将基级的电子吸收殆尽，再增大也没有电子可吸收，于是不会再右移

集电极收集电子的
在这里插入图片描述
基级电压让下面N的电子流向P，假设流出了100个
其中两个流出基级，98个流向上面的N（集电极）

4.23学习计划
hap2y的博客
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三极管特性
Ammon_Zhang的博客
07-13 4132
输入特性曲线：　 在三极管共发射极连接的情况下，当集电极与发射极之间的电压UCE维持不同的定值时，uBE和iB之间的一簇关系曲线，称为共射极输入特性曲线。一般情况下，当UCE≥1V时，集电结就处于反向偏置，此时再增大UCE对iB的影响很小，也即UCE＞1V以后的输入特性与UCE＝1V的一条特性曲线重合，所以，半导体器件手册中通常只给出一条UCE≥1V时的输入特性曲线，如图所示。输入特性曲线的数
模拟电子技术学习-三极管的伏安特性
weixin_53171295的博客
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小白的模拟电路初步学习20日打卡(7)
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晶体管的输入输出特性，与三个工作区域 一.输入特性 第1条曲线：Uce=0，为什么曲线很像PN结的伏安特性曲线。 这是因为Uce=0时，相当于c，e相连在一起，形成短路，即相当于b基接两个二极。 第2条曲线：当Uce=0.5v时，Uce的增加使收集电子更加多，使Ib不变时，发射极必须发射更多电子才能满足集电极的需求，因此在相同的Ib情况下，Ube必须增大。 第3条曲线：而当uae>=1时，...
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10-08
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### 三极管伏安特性曲线的图像与解释 #### 什么是三极管伏安特性曲线？ 三极管的伏安特性曲线描述了其工作状态下的电气行为，具体来说，它展示了集电极电流 \(I_c\) 和集电极-发射极电压 \(V_{ce}\) 的关系，在不同的基极电流 \(I_b\) 条件下[^1]。 #### 曲线的主要组成部分 伏安特性曲线通常分为三个主要区域： 1. **截止区 (Cut-off Region)** 当基极电流 \(I_b \approx 0\) 或者 \(V_{be} < 0.7\, \text{V}\)（硅三极管），此时三极管几乎无电流通过，表现为开关断开的状态。在这个区域内，\(I_c\) 接近于零[^1]。 2. **饱和区 (Saturation Region)** 这一区域发生在当 \(V_{ce}\) 较小时，即使增加 \(I_b\)，也无法显著提升 \(I_c\)。这是因为三极管已经进入完全导通状态，类似于闭合的开关。在此状态下，\(V_{ce}\) 被限制在一个较低值，典型范围为 \(0.1\,\text{V}-0.3\,\text{V}\)[^1]。 3. **放大区 (Active Region)** 此区域是三极管作为放大器工作的核心部分。在这里，\(I_c\) 主要由 \(I_b\) 控制，并遵循如下关系： \[ I_c = \beta \cdot I_b \] 其中，\(\beta\) 是三极管的增益系数。在这一区域内，\(V_{ce}\) 可以自由变化而不会影响 \(I_c\) 的大小，前提是保持足够的偏置条件。 #### 图像说明 以下是典型的三极管伏安特性曲线示意图： ```plaintext | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . | . |____._________________________________> V_ce (Volts) ``` - 横轴代表 \(V_{ce}\)，即集电极-发射极间的电压； - 纵轴代表 \(I_c\)，即流经集电极的电流； - 不同颜色或虚实线条对应不同基极电流 \(I_b\) 下的工作情况。 #### 实际应用中的意义 通过对伏安特性的理解，工程师能够更好地设计和优化电路性能。例如，在放大器设计中，选择合适的偏置点使得三极管始终运行在其线性范围内是非常重要的。 ---
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