对整个电路中电感的研究往往比较复杂,当对于回路中其他部分还不太清楚的时候,我们可以构造一个纯粹的数学概念----局部电感。
1、局部电感
在计算磁力线圈时,假设一段导线所属电流回路的剩余部分中不存在电流,把这段电流所产生的电感称为局部电感。
需要强调的是,实际中,局部电流是不存在的,因为电流必须有回路。但局部电感的概念对于理解和计算电感的相关特征非常有用,所以引入局部电感的概念。
相对于电感分为自感和互感,局部电感也可分为局部自感和局部互感。
对于局部自感,有一些特殊形状的导体可以近似计算。如直圆杆导线,近似计算如下:
其中,L表示导线的局部自感,单位nH,r表示的导线的半径,单位in,Len表示导线长度,单位in。
例如,30AWG线规导线的直径近似为10mil,假如线长1in,则其局部自感为:
由上可知:导线的局部自感约为25nH/in或者1nH/mm。
以此,可估算一个电容器的一端到过孔约50mil长的表面走线,其局部自感约为:25nH/in * 0.05in = 1.2nH;深度为64mil的电路板上的一个过孔,其局部自感约为:25nH/in * 0.064mil = 1.6nH。
由上面的公式可以看出:
1)当导体长度增加时,局部自感会增大;
2)当导体截面积增大时,局部电感将减小。也就是说,如果加大导线的半径,电流就会扩展开,从而局部电感减小。
对于局部互感,就是源自其中一条导线并完全环绕在另一条导线周围的磁力线匝数。两条导线之间的局部互感仅是其各自局部自感的一小部分。
两条直的圆杆导线之间的局部互感近似式为:
其中,M表示导线之间的局部互感,单位nH,Len表示两圆杆的长度,单位in,s表示两导线的中心距,单位in。上式是当s<<Len时的一阶表达式。
例如,100mil长的两条键合线,其各自的局部自感均为2.5nH。如果它们之间的间距为5mil,则局部互感为1.3nH。换句话说,如果其中一条键合线中有1A的电流,则在另一条键合线周围就会有:1.3nH * 1A = 1.3nWb的磁力线圈。这时局部互感约为任一键合线的局部自感的50%。
当两个导线段的间距远大于导线长度时,两段导线之间的局部互感小于任一导线局部自感的10%,通常可忽略不计。
2、有效电感、总电感或净电感以及地弹
有效电感、总电感或净电感这三种说法的意思是一样的,指的是回路中的电流为单位安培时,环绕在回路中某一段线路周围的磁力线匝总数,其中包括源于整个回路中任何电流段的磁力线匝数。
如图1所示,回路的两个支路a和b都有相应的局部自感,分别记为La和Lb;两条支路之间存在互感,记为Lab;回路中的电流记为I,且支路a和b中的电流大小相等,但方向相反。
以支路b为例,支路b周围的磁力线圈一部分源于支路b的电流,即自磁力线圈,其磁力线匝数为:Nb=I * Lb;同时,支路b周围的另一些磁力线圈是源于支路a电流的互磁力线圈,其匝数为:Nab=I * Lab。
由于a和b中的电流方向相反,所以互磁力线的方向与支路b的自磁力线方向相反。于是,支路b周围磁力线匝总数为:Ntotal = Nb - Nab = (Lb - Lab) * I。
其中,(Lb - Lab)称为支路b的总电感、净电感或有效电感。
如果这第二条支路是返回路径,则称在该返回路径上产生的电压为地弹。
返回路径上的地弹电压降为:Vgb = Ltotal * dI/dt = (Lb - Lab) * dI/dt。
其中,Vgb表示地弹电压,Ltotal表示返回路径的净电感,I表示回路中的电流,Lb表示返回路径支路的局部自感,Lab表示返回路径和初始路径之间的局部互感。
3、如何减小地弹
地弹是产生开关噪声和电磁干扰的主要原因,主要与返回路径的总电感和共用返回电流路径有关。
为了减小地弹电压噪声,比较有效的措施有:
1)通过使用短而宽的互连以减小返回路径的局部自感;
2)将电流及其返回路径尽量靠近以增大两支路之间的互感。
运用前面的近似计算,假如每条键合线的直径均为1mil,长度均为100mil,则其局部自感约为2.5nH。当中心距s大于100mil,则每条键合线的有效电感就近似等于其各自的局部自感;当中心距为5mil时,互感会明显增加,有效电感可减少至1.3nH,降幅高于50%。
有效电感越小,键合线两端的电压降就越低,芯片中的地弹电压噪声也就越低。
假如键合线的有效电感为2.5nH,电流为100mA,电流切换时间为1ns,不考虑其他电流的影响,则键合线两端产生的地弹电压为:Vgb = 2.5nH * 100mA/1ns = 250mV。
如果有效电感降至1.3nH,则地弹电压噪声将减小为:Vgb = 1.3nH * 100mA/1ns = 130mV,明显减小。
参考文献:《信号完整性与电源完整性分析》(第三版)