MOSFET：结温Tj(junction)与封装外壳表面温度Tc(case)

已于 2022-11-16 23:13:09 修改
阅读量1.6w 收藏 76
点赞数 7
分类专栏： 器件特性 文章标签： 硬件工程
于 2022-11-16 23:11:47 首次发布
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/weixin_43166304/article/details/127895136
版权
本文详细介绍了如何根据MOSFET的IPL60R060CFD7参数进行热阻计算。通过理解 datasheet 中的Tj到case的热阻0.57°C/W，可以结合测试的case温度Tc，估算出MOSFET的结温Tj。关键在于计算MOSFET的功率损耗，包括驱动功率、开关损耗和导通损耗，并确保总功率远小于器件手册给出的耗散功率。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

 一、定义：

 

 

二、下面以IPL60R060CFD7参数说明：

 

 

 当测试Thermal时，已经从测试Thermal设备中读出case温度Tc，上图datasheet中给出的Tj到case的热阻为0.57°c/W，所以只需要算出该MOS消耗的功率P【驱动功率+开关损耗+导通损耗；应当远小于器件手册中给出的耗散功率Power dissipation】，就可以利用公式Tj= Tc+P*Tthjc 得到大致的结温Tj。

三、参考文献：https://blog.youkuaiyun.com/chenhuanqiangnihao/article/details/112554161

电子元器件的结温壳温与环境温度经验总结
m0_65045582的博客
11-10 2483
随着电路功能和性能的提升，单位电路板面积内的电子元器件越来越密集，电子元器件的温度成为硬件设计中必须考虑的重要指标。在产品设计论证阶段，就需要对关键电子元器件的结温，壳温和环境温度进行充分考虑，并仿真分析。本文总结这三种温度的相关的一些实用经验原则。
芯片的结温究竟应该如何评估，结温Tj=Ta（环境温度）+Rja（结到环境的热阻）*功耗？不要再被误导了
m0_37704695的博客
04-26 7341
以塑封的功率mos来举例，假设该mos产生的损耗为1W，这个1W就必须通过传导热、辐射来散掉，否则芯片温度会越来越高，直到烧毁，这显然是不会的，不然就没法用了，那么这个1W是怎么散掉的呢，一般手册里会有几个热阻参数，Rja（结到环境的热阻）、Rjc（结到壳体的热阻，功率mos的壳体一般就是散热焊盘）、Rjl（结到引脚的热阻）等，可能还有一些其他热阻。但是不管是什么热阻，其说明的都是散热的阻力。为了更好理解这个热阻，可以与电路的电阻概念进行类比，电阻作用是阻碍电子从电路中流过的速率，电阻越大，阻碍能力越大。
MOSFET温升计算工具.xls
11-15
无密码
【硬件】芯片温度/功耗计算
Roger_717的博客
09-17 2万+
本博客参考：一纸沙漏的博客 芯片的四个温度 内核温度、封装表面温度、空气周边温度以及PCB板温度。 TJ（Die Junction Temp） 芯片的硅核温度，就是芯片内部核心的温度，从英文缩写就可以看出，这是个死亡温度，设计者是绝对不能跨越的。 Ta （Ambient Air Temp） 芯片周围的空气温度。不带散热片的小功率器件一般以这个为计算参数。 Tc（Package Case Temp） 芯片封装表面温度。带散热片的大功率器件一般以这个为技术参数。 Tb（Ambient boar
一种基于管壳表面温度估算结温的方法
01-19
INFINEON公司技术人员总结的由IGBT等功率器件上表面温度估算结温的具体方法。
MOS管的结温估算
eydj2008的专栏
07-02 2785
MOS管表面温度（𝑇𝑠Ts​）的检测可以通过直接粘贴温度传感器如热敏电阻、热电偶或使用红外温度计进行非接触式测量来实现，如前文所述。
一种基于管壳表面温度计算结温的方法
02-20
本文说明了影响分立IGBT 和二极管的 结和管壳表面（MC）之间温差的一些常见 因素。这个温差是以底板背面的温度为参考 点，并受到一些相关参数的影响。这些参数 包括封装类型（TO220，TO220 full-pak 和 TO247）和芯片面积。本文最终给出了一套 完整的方法来计算结温。利用本文的结论， 设计工程师将能够准确而轻松地计算出器 件的近似结温。
晶体管的热阻，Rjc( Junction−to−Case)、Rja(Junction−to−Ambient )
qlexcel的专栏
05-01 3万+
晶体管(或半导体)的热阻与温度、功耗之间的关系为： Ta=Tj-*P(Rjc+Rcs+Rsa)=Tj-P*Rja 公式中，Ta(Ambient temperature)表示环境温度 Tj(Junction temperature)表示晶体管的结温，也就是封装内部半导体裸片的温度。硅片的最高温度一般为150度。 P表示功耗，即在此晶体管上消耗掉的功率。 Rjc(...
高性能P沟道SOT23-6封装MOSFET：SQ3427EEV-T1-GE3-VB特性与应用
- 稳态条件下的结温限制（Tj）范围为-55°C到150°C。 4. **热阻抗**： - J-Case到环境（RthJA）典型值为55°C/W，最大值为62.5°C/W，表示器件对热量的快速散热。 - 结到底座（Junction-to-Foot）的热阻（RthJF...
SUD08P06-155L-E3-VB MOSFET: 60V P沟道开关特性与应用解析
- 持续工作电流（连续漏极电流）ID在标准温度下（TJ=25°C）可达-30A，而在较高温度（TC=100°C）下为-25A。 - PulsedDrainCurrent（脉冲漏极电流）允许处理更大的瞬态负载，如-20A。 - 单脉冲雪崩电流...
FQP13N10-VB一款N沟道TO220封装MOSFET应用分析
01-08
该器件具有低温阻抗封装，高温结junction温度（175°C）和高溃压（100V）等特点，广泛应用于隔离DC/DC转换器等领域。 主要特点： * TrenchFET® Power MOSFET * 175°C Junction Temperature * Low Thermal ...
072N10N-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
07-11
- **Junction-to-Case (Drain) (RthJC)**：0.4°C/W，指MOSFET结到外壳的热阻（通过漏极）。 #### 静态参数 - **Drain-Source Breakdown Voltage (VDS)**：100V，当VGS=0V且ID=250μA时测得。 - **Gate Threshold ...
SUD25N06-45L-E3-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析
01-06
在绝对最大额定值方面，SUD25N06-45L-E3-VB具有±20V的门-源电压、23A的连续漏电流（TJ=175°C）、100A的脉冲漏电流以及最大功率耗散能力（TC=25°C）为100W，这些参数意味着该器件能够在承受较大的电流量和功率时...
芯片结温计算
小菜菜13的博客
10-26 2万+
结温参数介绍 RθJA 值越大，表示此 封装的散热效率越低，而值越小，表示器件散热效率越高。 封装尺寸越小，RθJA 值通常越大。如上图DCK(SCK70)热阻307.6°C/W，意味着芯片每消耗1W，芯片温度就会升高 307.6°C 。 结温计算 表中建议的芯片工作结温介于 -55°C 至 150°C 之间。 结温计算公式： 其中 TJ 为结温，TA 为环境温度，RθJA 为热阻（取自数据表），PD 为功耗，Iground 为接地电流（取自数据表）。 下面给出了一个简单示例，使用 TPS732 将
MOS 的TJ TA TC和功耗之类的计算
m0_60374803的博客
12-15 1万+
纯粹是为自己做笔记而写 谢谢 TA=环境温度 TC=壳体问题 TJ=芯片的结温 一般情况下 TC=TJ-P*Rjc 或者TA=TJ-P*Rja P是芯片最大的功耗 Rjc是结壳间的热阻Rja表示结与环境间的热阻 应用比较广泛的是计算二极管和MOS管的损耗和温度是否支撑的住我们一般计算都是室温下25 如果是放在温箱中TA带入就不能是25 比如一个器件室温下工作TA=TC=25度 功耗最大是1.5W Rja=Rjc=83.3 TJ=25+1.5*83.3=149.95 所以 TC=150...
功率放大管结温分析
Micro_ET
12-07 1604
设计功率放大器时其内部功放管的结温控制对输出功率影响较大，预先估计结温对功率放大器的顺利开发是必要的，预算步骤为：首先确定管子的输出功率，然后把工作电压乘以输出此功率的电流，再减去输出功率，得出耗散功率，再把此耗散功率乘以热阻后，加上对应的壳温（datasheet上的数据），即为此功率管的最大工作结温，对比厂家的工作结温数据，判断是否可用。小小总结，敬请指教。
MOS管参数每一个参数详解-收藏版
热门推荐
树卡花
09-27 15万+
MOS管参数 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。 MOSFET是电压型驱动器材,驱动的进程即是栅极电压的建立进程,这是经过对栅源及栅漏之间的电容充电来完成的,下面将有此方面的详细论述. gfs:跨导.是指漏极输出电流的改变量与栅源电压改变量之比,是栅源电压对漏极电流操控才能巨细的测量. gfs 与 VGS 的转移联系图如下图所示...
关于芯片结温
LIAOYUANGANG的博客
08-09 6748
芯片结温是芯片设计和应用中的一个关键参数，它直接影响芯片的性能、可靠性和寿命。有效的结温管理能够提高芯片的稳定性，延长其使用寿命，确保其在各种应用环境下的正常运行。理解和控制结温对于高性能和高可靠性电子产品的开发至关重要。
对于ARM开发各种手册的分类
最新发布
weixin_50127894的博客
05-27 513
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值