SRAM——静态存储器
DRAM——动态存储器
SDRAM——同步动态存储器
3D RAM——3维视频处理器专用存储器
CDRAM——高速缓存存储器
CVRAM——高速缓存视频存储器
EDO RAM——外扩充数据模式存储器
EDO SRAM——外扩充数据模式静态存储器
EDO VRAM——外扩充数据模式视频存储器
EDRAM——增强型动态存储器
内存(RAM,随机存储器)可分为静态随机存储器SRAM和动态随机存储器DRAM两种,电脑内存条指的是DRAM,SRAM接触的较少(大部分的FPGA是基于SRAM的):
静态随机存储器(SRAM)
静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此,它是靠触发器的自保功能存储数据的。
动态随机存储器(DRAM)
动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息,但由于栅极电容的容量很小,而漏电流又不可能绝对等于0,所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失,必须定时地给电容补充漏掉的电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”,因此DRAM内部要有刷新控制电路,其操作也比静态RAM复杂。尽管如此,由于DRAM存储单元的结构能做得非常简单,所用元件少,功耗低,已成为大容量RAM的主流产品。
Random-Access Memory(随机存取存储器),在计算机的组成结构中,有一个很重要的部分,就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件,对于计算机来说,有了存储器,才有记忆功能,才能保证正常工作。存储