浙江大学数据结构(7.1.1概述)

博客围绕最短路径问题展开,给出两个站点求最短路,可将权重设为距离、价格等,还可关注经过站点数量。对问题进行抽象,明确源点和终点。并将问题分为单源最短路径问题(包括无权图和有权图)和多源最短路径问题。

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最短路径问题

  1. 给两个站点A和B,求A到B的最短路(把权重定为距离)
  2. A到B最便宜的路(把权重定为价格)
  3. A到B经过站点最少(关心经过路径的数量,与权重无关)

最短路径问题的抽象

  • 在网络中,求两个不同顶点之间的所有路径中,边的权值之和最小的那一条路径
  • 这条路径就是两点之间的最短路径
  • 第一个顶点为源点(Source)
  • 最后一个顶点为终点(Destination)

问题分类

  • 单源最短路径问题:从某固定源点出发,求其到所有其他顶点的最短路径
  1. (有向)无权图
  2. (有向)有权图
  • 多源最短路径问题:求任意两顶点间的最短路径
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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