[mmu/cache]-ARMV8-aarch64的虚拟内存(mmu/tlb/cache)介绍-概念扫盲

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思考:
1、cache的entry里都是有什么?
2、TLB的entry里都是有什么?
3、MMU操作的页表中的entry中都是有什么? L1和L3表中的entry中分别都是有什么?

本文已有答案,学完之后,你能否知道,看造化了,哈哈…
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说明:
MMU/TLB/Cache等知识太过于零碎,各个模块直接又紧密相关,所以在介绍时会串着介绍,本文旨在介绍MMU的工作原理,学习cache请参考<ARM cache的学习笔记-一篇就够了>
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以下来自笨叔叔公众号中的提问:
1、cache的内部组织架构是怎么样的?能否画出一个cache的layout图?什么是set,way?
2、直接映射,全关联和组相联之间有什么区别?优缺点是啥?
3、重名问题是怎么发生的?
4、同名问题是怎么发生的?
5、VIPT会不会发生重名问题?
6、什么是inner shareability 和outer shareability?怎么区分?
7、什么是PoU?什么是PoC?
8、什么是cache一致性?业界解决cache一致性都有哪些方法?
9、MESI状态转换图,我看不懂。
10、什么cache伪共享?怎么发生的,如何避免?
11、DMA和cache为啥会有cache一致性问题?
12、网卡通过DMA收数据和发数据,应该怎么操作cache?
13、对于self-modifying code,怎么保证data cache和指令cache的一致性问题?

1、Memory attribute

armv8定义了device memory和normal memory两种内存,其中device memory固定的就是Outer-ShareableNon-cacheable,而normal memory有多种属性可选。
说明一下:在B2.7.2章节中有这么一句话“Data accesses to memory locations are coherent for all observers in the system, and correspondingly are treated as being Outer Shareable”, treated as被看作是(但不是),所以在一些的文章中就认为device memory是没有shareable属性的。其实也能够理解,一段memory设置成了non-cacheable,然后再去讨论该memory的shareable属性,好像也没有意义。 不管怎么样,我们还是按照下方表格的来理解吧,device memory固定为Outer-ShareableNon-cacheable
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对于device memory,又分下面三种特性:
Gathering和non Gathering(G or nG):表示对多个memory的访问是否可以合并,如果是nG,表示处理器必须严格按照代码中内存访问来进行,不能把两次访问合并成一次。例如:代码中有2次对同样的一个地址的读访问,那么处理器必须严格进行两次read transaction
Reordering(R or nR):表示是否允许处理器对内存访问指令进行重排。nR表示必须严格执行program order
Early Write Acknowledgement(E or nE):PE访问memory是有问有答的(更专业的术语叫做transaction),对于write而言,PE需要write ack操作以便确定完成一个write transaction。为了加快写的速度,系统的中间环节可能会设定一些write buffer。nE表示写操作的ack必须来自最终的目的地而不是中间的write buffer

针对上面的三种特性,给出下面四种配置

  • Device-nGnRnE : 处理器必须严格按照代码中内存访问来进行、必须严格执行program order(无需重排序)、写操作的ack必须来自最终的目的地
  • Device-nGnRE : 处理器必须严格按照代码中内存访问来进行、必须严格执行program order(无需重排序)、写操作的ack可以来自中间的write buffer
  • Device-nGRE : 处理器必须严格按照代码中内存访问来进行、内存访问指令可以进行重排、写操作的ack可以来自中间的write buffer
  • Device-GRE : 处理器对多个memory的访问是否可以合并、内存访问指令可以进行重排、写操作的ack可以来自中间的write buffer
部分属性的含义
Shareable内存是共享的
non-Shareable内存不共享,一般只可被单个PE访问
cacheable内存会被缓存
non-cacheable内存不会被缓存

PoU/PoC/Inner/Outer的定义
简而言之,PoU/PoC定义了指令和命令的所能抵达的缓存或内存,在到达了指定地点后,Inner/Outer Shareable定义了它们被广播的范围。
例如:在某个A15上执行Clean清指令缓存,范围指定PoU。显然,所有四个A15的一级指令缓存都会被清掉。那么其他的各个Master是不是受影响?那就要用到Inner/Outer/Non Shareable
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有了上面的这些定义,那么我们再来看inner Shareable和outer Shareable

Shareable
inner Shareable内存在inner范围内是共享的
outer Shareable内存在outer范围内是共享的

读分配(read allocation)
当CPU读数据时,发生cache缺失,这种情况下都会分配一个cache line缓存从主存读取的数据。默认情况下,cache都支持读分配。

写分配(write allocation)
当CPU写数据发生cache缺失时,才会考虑写分配策略。当我们不支持写分配的情况下,写指令只会更新主存数据,然后就结束了。当支持写分配的时候,我们首先从主存中加载数据到cache line中(相当于先做个读分配动作),然后会更新cache line中的数据。

写直通(write through)
当CPU执行store指令并在cache命中时,我们更新cache中的数据并且更新主存中的数据。cache和主存的数据始终保持一致。在这里插入图片描述

写回(write back)
当CPU执行store指令并在cache命中时,我们只更新cache中的数据。并且每个cache line中会有一个bit位记录数据是否被修改过,称之为dirty bit(翻翻前面的图片,cache line旁边有一个D就是dirty bit)。我们会将dirty bit置位。主存中的数据只会在cache line被替换或者显示的clean操作时更新。因此,主存中的数据可能是未修改的数据,而修改的数据躺在cache中。cache和主存的数据可能不一致。

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在ARMV8定义这些属性的寄存器和linux kernel或optee软件代码中使用的示例,请点击此处
<ARMV8 MMU内存管理中的Memory attributes和Cache policies>

2、cache的一些基本概念

cache是一个高速的内存块,它包含了很多entries,每一个entrie中都包含: memory地址信息(如tag)、associated data

cache的设计考虑了两大原则:
空间域(spatial locality): 访问了一个位置后,可能还会访问相邻区域, 如顺序执行的指令、访问一个结构体数据
时间域(Temporal locality):内存区域的访问很可能在短时间内重复,如软件中执行了一个循环操作.

为了减少cache读写的次数,将多个数据放到了同一个tag下,这就是我们所说的cache line
访问缓存中已经存在的信息叫做cache hit,访问缓存中不存在的数据叫做cache miss

cache引入的潜在问题:
内存的访问不一定同编程者预期的一样;
一个数据可以存在多个物理位置处

3、Cache内存访问的模型:

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Memory coherency的术语定义:
Point of Unification (PoU), Point of Coherency (PoC), Point of Persistence (PoP), and Point of Deep Persistence (PoDP).

4、MMU的介绍

在ARMV8-aarch64体系下,ARM Core访问内存的硬件结构图如下所示:
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其中,MMU由TLB和Table Walk Unit组成的.

TLB:Translation Lookaside Buffer (TLB),对应着TLB指令
Table Walk Unit,也叫地址翻译,address translation system,对应着AT指令

5、VMSA 相关术语:

➨ VMSA - Virtual Memory System Architecture
➨VMSAv8
➨VMSAv8-32
➨VMSAv8-64

➨Virtual address (VA)
➨Intermediate physical address (IPA)
➨Physical address (PA)

Translation stage can support only a single VA range
➨48-bit VA, 0x0000000000000000 to 0x0000FFFFFFFFFFFF
➨ARMv8.2-LVA : 64KB granule :52-bit VA,0x0000000000000000 to 0x000FFFFFFFFFFFFF

Translation stage can support two VA ranges
➨48-bit VA: 0x0000000000000000 - 0x0000FFFFFFFFFFFF , 0xFFFF000000000000 to 0xFFFFFFFFFFFFFFFF
➨52-bit VA: 0x0000000000000000 - 0x000FFFFFFFFFFFFF , 0xFFF0000000000000 to 0xFFFFFFFFFFFFFFFF

Address tagging / Memory Tagging Extension / Pointer authentication

6、address translation system (AT)
(1)、地址翻译的过程

MMU的地址翻译工作是一种自动行为,当填好页表、配置好系统寄存器之后,cpu发起的虚拟地址读写操作,将会经过MMU自动转换成物理地址,然后发送到AXI总线上完成真正的内存或device的读写操作. 如下列举了ARM在不同exception level中的地址翻译的模型.

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在一般的情况下,我们是不会启用stage2的,除非enable了EL2、实现了hypervisor,那么这时候才会开启stage2,如下图所示:
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(2)、和mmu相关的System registers

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在armv8-aarch64体系下,TCR(Translation Control Register)寄存器有

  • TCR_EL1
  • TCR_EL2
  • TCR_EL3
  • VTCR_EL2

它们的含义:地址翻译的控制寄存器

  • TCR_EL1, Translation Control Register (EL1)
    The control register for stage 1 of the EL1&0 translation regime.

  • TCR_EL3, Translation Control Register (EL3)
    The control register for stage 1 of the EL3 translation regime

  • TCR_EL2, Translation Control Register (EL2)
    The control register for stage 1 of the EL2, or EL2&0, translation regime

  • VTCR_EL2, Virtualization Translation Control Register
    The control register for stage 2 of the EL1&0 translation regime

对应的bit map为
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(3)、Enable mmu and endianness的相关寄存器

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在ARMV8-aarch64架构下有三个sctlr寄存器

  • SCTLR_EL1
  • SCTLR_EL2
  • SCTLR_EL3
    以SCTLR_EL3,该系统寄存器的SCTLR_EL3.EE(BIT[25])定义了MMU访问页表的方式:小端方式读、还是大端方式读
    在这里插入图片描述
(4)、Address size configuration
  • Physical address size – 告诉cpu,当前系统的物理地址是多少位
  • Output address size – 告诉mmu,你需要给我输出多少位的物理地址
  • Input address size – 告诉mmu,我输入的是多数为的虚拟地址
  • Supported IPA size – stage2页表转换的部分size,暂不介绍

. Physical address size
在这里插入图片描述
b. output address size
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c . Input address size

  • TCR_ELx.T0SZ定义使用TTBR0_ELx时,VA地址的size
  • TCR_ELx.T1SZ定义使用TTBR1_ELx时,VA地址的size
    在这里插入图片描述
    注意最大的size为:2^(64-x),x为TCR_ELx.T0SZ或TCR_ELx.T1SZ
    d. Supported IPA size
    由VTCR_EL2.SL0 and VSTCR_EL2.SL0寄存器决定
(5)、granule sizes

a. state 1 granule sizes
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b. state 2 granule sizes
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(6)、granule size对地址翻译的影响

granule size的配置不同,将会影响到页表的建立,不同的granule size的页面有着不同的页表结构,例如下表所示的:
在这里插入图片描述

(7)、disable mmu

disable mmu之后,the stage 1 translation,For the EL1&0:
For Normal memory, Non-shareable, Inner Write-Back Read-Allocate Write-Allocate, Outer Write-Back Read-Allocate Write-Allocate memory attributes

7、Translation table
(1)、TTBR0/TTBR1

ARM文档说:因为应用程序切换时要切换页表,页表经常改变,而kernel切换时不需要切换页表,页表几乎不改。所以ARM就提供了 a number of features,也就是TTBR0和TTBR1两个页表基地址. TTBR0用于0x00000000_00000000 - 0x0000FFFF_FFFFFFFF虚拟地址空间的翻译,TTBR1用于0xFFFF0000_00000000 - 0xFFFFFFFF_FFFFFFFF虚拟地址空间的翻译

EL2/EL3只有TTBR0,没有TTBR1,所以EL2/EL3的虚拟地址空间是:0x0000FFFF_FFFFFFFF

(2)、页表的entry中包含哪些信息

MMU除了完成地址的翻译,还控制的访问权限、memory ordering、cache policies.

如图所示,列出了三种类型的entry信息:
在这里插入图片描述

bits[1:0]表示该输出是block address,还是next level table address,还是invalid entry

(3)、granule sizes

有三种granule sizes的页表:4kb、16kb、64kb
在这里插入图片描述

(4)、Cache configuration

MMU使用translation tables 和 translation registers控制着cache policy、memory attributes、access permissions、va到pa的转换

8、 ARM mmu三级页表查询的过程

在这里插入图片描述

  • (1)、在开启MMU后,cpu发起的读写地址是一个64bit的虚拟地址,
  • (2)、该虚拟地址的高16bit要么是全0,要么是全1. 如果是全0,则选择TTBR0_ELx做为L1页表的基地址; 如果是全1,则选择TTBR1_ELx做为L1页表的基地址;
  • (3)、TTBRx_ELn做为L1页表,它指向L2页表,在根据bit[41:29]的index,查询到L3页表的基地址
  • (4)(5)、有了L3页表的基地址之后,在根据bit[28:16]的index,查询到页面的地址
  • (6)、最后再根据bit[15:0]查找到最终的物理地址
9、Translation Lookaside Buffer (TLB)
(1)、TLB entry里有什么?

TLB中不仅仅包含物理地址和虚拟地址,它还包含一些属性,例如:memory type、cache policies、access permissions、ASID、VMID
注:ASID - Address Space ID, VMID - Virtual Machine ID

(2)、contiguous block entries

TLB拥有固定数目的entries,所以你可以通过减少外部内存地址转换的次数来提升TLB hit率.
在ARMV8 architecture中有一个TLB中的feature叫contiguous block entries,它表示一个entry可以对应多个blocks. 一个entry找到多个blocks,再通过index来查找具体是哪个block。 页表的block entries中,也有一个contiguous bit。这个bit为1,则表示开启了TLB的contiguous block entries feature。
contiguous block entries feature要求alignment,例如:
• 16 × 4KB adjacent blocks giving a 64KB entry with 4KB granule. 缓存64kb blocks,只需16 enties
• 32 × 32MB adjacent blocks giving a 1GB entry for L2 descriptors, 128 × 16KB giving a 2MB entry for L3 descriptors when using a 16KB granule.
• 32 × 64Kb adjacent blocks giving a 2MB entry with a 64KB granule.

如果支持了contiguous bit,那么:
TLB查询后的PA = TLB entry中的PA + index。

(3)、TLB abort

如果开启了contiguous bit,而要转换的table entries确不是连续的,或者entries的output在地址范围之外或没有对齐,那么将会产生TLB abort

(4)、TLB一致性

如果os修改了页表(entries),那么os需要告诉TLB,invalid这些TLB entries,这是需要软件来做的. 指令如下:

TLBI <type><level>{IS} {, <Xt>}
10、VMSAv8-64 translation table format descriptors

这里的table format descriptors,其实就是本文开头“思考”中提到的entry,在页表中的entry, 要么是invalid,要么是table entry,要么是block entry

  • An invalid or fault entry.
  • A table entry, that points to the next-level translation table.
  • A block entry, that defines the memory properties for the access.
  • A reserved format

如果是table entry,其attribute描述如下:
在这里插入图片描述
如果是block entry,其attribute描述如下:
在这里插入图片描述
如果是stage2的entry,无论是table entry还是block entry,其attribute描述如下:
在这里插入图片描述
其实用如下的一张图来描述更清晰:
在这里插入图片描述
这里的bit[1:0]用于定义entry的类型(invalid? block ? table? reserved)
bit[4:2]指向 MAIR_ELn寄存器中的其中的一个字节,用于定义内存(main memory和device memory)的类型

MAIR_ELn寄存器拆分成8个bytes,每个byte定义一种内存类型
(MAIR_ELn, Memory Attribute Indirection Register (ELn))
在这里插入图片描述
每一个byte(attrn)的含义如下:
在这里插入图片描述
各个bit位的具体含义
在这里插入图片描述
例如optee中的内存属性配置如下:

#define ATTR_DEVICE_INDEX		0x0
#define ATTR_IWBWA_OWBWA_NTR_INDEX	0x1
#define ATTR_INDEX_MASK			0x7

#define ATTR_DEVICE			(0x4)
#define ATTR_IWBWA_OWBWA_NTR		(0xff)

mair  = MAIR_ATTR_SET(ATTR_DEVICE, ATTR_DEVICE_INDEX);
mair |= MAIR_ATTR_SET(ATTR_IWBWA_OWBWA_NTR, ATTR_IWBWA_OWBWA_NTR_INDEX);
write_mair_el1(mair);

<think>好的,我现在要帮助用户了解ARMv8架构中MMU的工作原理和配置方法。首先,我需要回忆一下自己对ARMv8 MMU的基本知识,并确保信息准确。可能需要查阅一些资料或官方文档,比如ARM的编程指南或者技术参考手册。 首先,用户提到的参考引用是ARM Cortex-A系列程序员指南的第13章,关于启动代码的部分。虽然这个引用主要涉及启动流程,但MMU配置通常在启动阶段完成,所以可能有关联。不过,用户的问题更侧重于MMU本身,所以可能需要更深入的信息。 ARMv8架构的MMU负责虚拟地址到物理地址的转换,使用页表结构。需要明确MMUARMv8-A中的工作模式,比如AArch64和AArch32的区别,但用户问的是ARMv8,可能主要指64位模式。 接下来,我需要整理MMU的关键组成部分:页表结构、转换流程、地址转换的各级描述符,以及相关的系统寄存器配置。比如,在ARMv8中,页表通常采用四级页表结构,每个页表项的大小是8字节,支持不同的页大小,如4KB、16KB、64KB等。 然后,配置MMU的步骤可能包括:设置页表基地址寄存器(TTBR0/TTBR1),配置内存属性(MAIR寄存器),设置转换控制寄存器(TCR),最后启用MMU。需要详细解释每个步骤的作用,并可能给出代码示例,比如使用汇编指令来操作这些寄存器。 同时,需要提到地址转换的过程,比如从虚拟地址通过页表逐级解析到物理地址,TLB的作用,以及内存属性(如可缓存性、共享性)的配置。 另外,可能需要注意不同异常级别(EL)下的MMU配置差异,比如在EL1(操作系统内核)和EL3(安全监控)下的不同设置。此外,还需要解释内存访问权限的控制,如用户态和内核态的权限区别。 可能遇到的问题包括页表对齐要求、不同粒度页表的配置、以及内存屏障的使用以确保配置生效。需要确保这些细节的准确性,可能需要参考ARM官方文档或可靠的资料。 最后,生成相关问题时要考虑用户可能进一步想知道的内容,比如如何调试MMU配置错误、不同页大小的优缺点,或者与ARMv7 MMU的区别等。这些问题可以帮助用户深入理解MMU的相关知识。</think>### ARMv8 MMU工作原理及配置方法 #### 1. MMU基础功能 ARMv8MMU(Memory Management Unit)通过**多级页表**将虚拟地址转换为物理地址,并控制内存访问权限与属性。其核心流程包括: - **地址转换**:采用4级页表结构(48位虚拟地址) - **权限检查**:执行/读/写权限验证 - **属性控制**:缓存策略、共享域等配置 #### 2. 关键寄存器配置 | 寄存器 | 功能描述 | |--------|----------| | `TTBR0_EL1` | 用户空间页表基地址 | | `TTBR1_EL1` | 内核空间页表基地址 | | `TCR_EL1` | 页表格式控制 | | `MAIR_EL1` | 内存属性编码 | 典型配置代码示例(汇编): ```assembly // 设置内存属性 mov x0, #0xFF // 配置属性索引 msr MAIR_EL1, x0 // 配置TCR寄存器 ldr x0, =0x2B559351D // 页表格式参数 msr TCR_EL1, x0 // 加载页表基地址 ldr x1, =tt_lvl0_base // 页表物理地址 msr TTBR0_EL1, x1 ``` #### 3. 页表结构 ARMv8支持最多**4级页表遍历**,标准48位地址划分如下: $$ \text{Virtual Address} = \begin{cases} \text{Level0索引[47:39]} \\ \text{Level1索引[38:30]} \\ \text{Level2索引[29:21]} \\ \text{Level3索引[20:12]} \\ \text{页内偏移[11:0]} \end{cases} $$ 每个页表项包含: - 输出地址(下一级页表或物理页) - 访问权限(AP[2:0]) - 内存属性(AttrIndex) - 类型标记(Table/Block) #### 4. 启动流程关键步骤 1. 初始化页表内存区域(需**64字节对齐**) 2. 配置`MAIR_EL1`定义内存类型 3. 设置`TCR_EL1`指定地址范围与粒度 4. 加载页表基地址到`TTBR0_EL1` 5. 设置`SCTLR_EL1.M`启用MMU #### 5. 地址转换异常处理 当发生转换错误时,系统会触发**Data Abort**异常,相关寄存器提供调试信息: - `ESR_EL1`:异常分类码 - `FAR_EL1`:出错虚拟地址 [^1]: ARM官方文档指出,MMU配置是启动阶段的关键任务,需要与缓存配置协同工作
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