2021年景德镇高考成绩查询时间,2021年景德镇陶瓷大学高考录取结果什么时候出来及查询系统入口...

2020年高考志愿填报后,很多报考景德镇陶瓷大学的考生很焦急的等待录取结果什么时候出来,那么如何查询景德镇陶瓷大学录取结果呢,录取结果一般会在什么时候公布,一起来了解关于景德镇陶瓷大学的正规录取流程吧。

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一、2020年景德镇陶瓷大学高考录取结果什么时候出来

高考院校录取时间,是按照各批次先后录取的,首先录取的是本科提前批,预计在8月上旬,在到本科一批、二批以及本科批的征集志愿等预计录取时间在8月中下旬,专科批录取时间会一直持续到9月份,所以考生可以根据此时间段来对照自己填报的批次了解景德镇陶瓷大学的具体录取结果什么时候出来,如果想要知道景德镇陶瓷大学的录取确切时间,可以致电该校的招生办电话。

二、景德镇陶瓷大学志愿填报录取状态解析

景德镇陶瓷大学的志愿填报后整改录取流程,是分各个阶段的,考试可以根据此流程知道自己的志愿处于什么状态。

1、模拟投档:每批次正式投档之前,省招办按照高校确定的投档比例进行模拟投档。

2、确定投档比例:模拟投档后省招办及时向高校报送生源分数段分布情况,高校根据模拟结果决定是否追加计划,是否调整投档比例。

3、正式投档:省招办按照高校调档的要求和考生填报的志愿,将符合高校调档条件的考生的电子档案在网上投递给高校。平行志愿按考生成绩从高到低只进行一次投档。

4、阅档:招生高校在规定时间内从网上下载考生的电子档案数据进行审阅,审阅内容包阅括考生的成绩、专业志愿、是否服从调剂选项、体检表以及诚信记录等。

5、预录取:招生高校按照相关规定和招生章程等,将符合录取条件的考生进行预录取,并将预录取和退档的结果上传至省级招办。

6、录取检查:省招办对高校欲退档考生的情况进行审核,如无异议,则录取结束。

7、打印录取名单:省招办根据招生高校的录取结果打印录取新生名册,加盖省招办录取专用章后寄送招生高校。

8、填发录取通知书:招生院校根据录取考生名册填写录取通知书,加盖该校公章后连同入学报到须知、资助政策办法等相关材料一并寄送被录取考生。

三、景德镇陶瓷大学专业及重点专业名单

景德镇陶瓷大学 -开设专业院系设置所有专业管理与经济学院市场营销

公共事业管理

物流管理

电子商务

工商管理

国际经济与贸易

金融工程

财务管理

会计学

材料科学与工程学院无机非金属材料工程

环境工程

能源与动力工程

材料化学

材料物理

粉体材料科学与工程

新能源材料与器件

设计艺术学院公共艺术

数字媒体艺术

产品设计

环境艺术设计

视觉传达设计

动画

马克思主义学院

外国语学院英语

翻译

日语

机械电子工程学院机械电子工程

机械设计制造及其自动化

材料成型与控制工程

电子科学与技术

自动化

通信工程

电子信息工程

陶瓷美术学院中国画

雕塑

绘画

书法学

陶瓷艺术设计

信息工程学院计算机科学与技术

信息管理与信息系统

信息与计算科学

应用统计学

数字媒体技术

法学系法学

知识产权

艺术文博学院文化遗产

文物保护技术

美术学

考古学

景德镇陶瓷大学 -重点特色专业学院重点特色专业材料科学与工程学院无机非金属材料工程

陶瓷美术学院陶瓷艺术设计

机械电子工程学院机械设计制造及其自动化

四、景德镇陶瓷大学相关文章分享

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/d0b0340d5318 在模拟集成电路设计中,模拟CMOS集成电路是核心技术之一,其核心在于N沟道场效应晶体管(NFET)和P沟道场效应晶体管(PFET)的运用。本问题重点研究这两种器件在漏源电压(VDS)保持不变时,漏电流(ID)随栅源电压(VGS)变化的规律,主要以NFET为例进行分析。 当VDS固定为3 V时,NFET的漏电流与VGS的关系可通过以下步骤确定:首先,绘制NFET的电路图,此时器件处于关闭状态(off condition),漏电流ID近乎为零。其次,漏电流的通用表达式为ID = μnCox(W/L)(VGS - VT)^2(VDS - VGS),其中μn为电子迁移率,Cox为单位面积栅氧化层电容,VGS和VDS分别表示栅源电压和漏源电压,VT为阈值电压,λ为通道长度调制系数,W为宽度,L为长度(此处L = 0.5微米)。接着,计算Cox的表达式,它是氧化层介电常数εox与栅氧化层厚度tox的乘积。然后,将εox和tox的具体数值代入Cox公式,并从教科书表2.1中获取其他参数值,如μn、VT、λ等,以计算ID。之后,将所有数值代入ID公式,得到ID随VGS变化的函数关系,并针对VGS从0.8 V到3 V的不同取值,计算出对应的ID值,将这些数据整理成表格。最后,利用这些数据绘制VGS与ID之间的曲线,形成NFET的漏电流曲线。 对于PFET,其工作原理与NFET相似,但PFET仅在VGS > VTP时导通,VTP为P沟道的阈值电压。计算PFET的漏电流ID时,需考虑其特有的参数,如空穴迁移率(μp),并采用类似的步骤处理VGS和VDS的关系,最终绘制漏电流曲线。 通过这种分析,设计者能够理解并预测模拟CMOS集成电路中NFET和PFET在不同工作条件下的性能表现,这对于优化电路设计、降低功
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