《大话数据结构》笔记 第二章 算法(下)

本文深入探讨了算法的渐近增长概念,介绍了如何通过大O记法评估算法的时间复杂度,并对比了不同算法间的效率差异。此外,还讲解了算法的空间复杂度计算方法,帮助读者更好地理解和优化算法。

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2.5 函数的渐近增长

给定两个函数 f(n) 和 g(n),如果存在一个整数 N,使得对于所有的 n > N,f(n) 总大于 g(n),那么我们说 f(n) 的增长渐近快于 g(n)。

例如,算法 A 要 2n+3 次操作,而算法 B 要 3n+1 次。随着 n 的增大,比较运行次数时,我们可以忽略加法常数。
再例如,算法 C 是 4n+8,而算法 D 要 2n2n2+1。随 n 的增大,我们可以发现运行次数与最高项相乘的常数并不重要。
然后,例如,算法 E 是 2n2n2+3n+1 算法 F 是 2n3n3+3n+1。随 n 的增大,最高次项的指数大的,结果增长特别快。
最后一个例子,算法 G 是 2n2n2, 算法 H 是 3n+1,算法 I 是 2n2n2+3n+1。随着 n 的增大,H 算法会越来越少于 G 和 I 的次数,G 也会越来越趋近于 I 。于是得出结论判断一个算法的效率时,函数中的常数和其他次要项常常可以忽略,而更应该关注主项(最高阶项)的阶数。


2.6 算法时间复杂度

定义:

在进行算法分析时,语句总的执行次数 T(n) 是关于问题规模 n 的函数,进而分析 T(n) 随 n 的变化情况并确定 T(n) 的数量级。算法的时间复杂度,也就是算法的时间量度,记作:T(n)=O(f(n))。它表示随问题规模 n 的增大,算法执行时间的增长率和 f(n) 的增长率相同,称作算法的渐近时间复杂度,简称为时间复杂度。其中 f(n) 是问题规模 n 的某个函数。

这样用大写 O( ) 来体现算法时间复杂度的记法,我们称之为大 O 记法。
一般情况下,随着 n 的增大,T(n) 增长最慢的算法为最优算法。

推导大 O 阶:
1. 用常数 1 取代运行时间中的所有加法常数。
2. 再修改后的运行次数函数中,只保留最高阶项。
3. 如果最高阶项存在且不是1,则除去与这个项相乘的常数。
得到的结果就是大 O 阶。

常数阶:循环的时间复杂度为O(1)。
注意:不管这个时间复杂度为多少,只要是常数,我们都记作 O(1),而不能是 O(3)、O(12) 等其他任意数字。
线性阶:循环的时间复杂度为 O(n)。
对数阶:循环的时间复杂度为 O(log2nlog2n)。
平方阶:循环的时间复杂度为 O(n2n2)。

理解大 O推导不算难,难的是对数列的一些相关运算,这更多的是考察数学知识和能力。
看例子,对于帆帆发调用的时间复杂度如何分析。、

int i,j;
for (i = 0; i < n ; i++)
{
    function(i);    
}

void function(int count)
{
    int j;
    for(j = count; j < n; j++)
    {
        /* 时间复杂度为O(1)的程序步骤序列 */
    }
}

这个例子最终的时间复杂度为 O(n2n2)。
再看下面这段相对复杂的语句:

n++;                       /* 执行次数为 1 */
function(n);               /* 执行次数为 n */
int i,j;
for(i = 0; i < n; i++)     /* 执行次数为 n^2 */
{
    function(i);
}
for(i = 0; i < n; i++)     /* 执行次数为 n(n+1)/2 */
{   
    for(j = i; j< n; j++)
    {
        /* 时间复杂度为O(1)的程序步骤序列 */
    }
}

它的执行次数为f(n)=1+n+n2+n(n+1)2=32n2+32n+1f(n)=1+n+n2+n(n+1)2=32n2+32n+1,根据推导大 O 阶的方法,最终这段代码的时间复杂度也是 O(n2n2)。

常见的时间复杂度
按消耗的时间从小到大依次为:

O(1) < O(lognn) < O(n) < O(nnlogn) < O(n2n2) < O(n3n3) < O(2n2n) < O(n!n!) < O(nnnn)


2.7 最坏情况与平均情况

最坏情况运行时间是一种保证,那就是运行时间将不会再坏了。在应用中,这是一种最重要的需求,通常,除非特别指定,我们提到的运行时间都是最坏情况的运行时间。
平均运行时间是所有情况中最有意义的,因为他是期望的运行时间。
一般在没有特殊说明的情况下,都是指最坏时间复杂度。


2.8 算法空间复杂度

算法的空间复杂度通过计算算法所需的存储空间实现,算法空间复杂度的计算公式为:S(n) = O(f(n)),其中,n 为问题规模,f(n) 为语句关于 n 所占存储空间的函数。

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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