嵌入式系统 存储体系和存储介质

1、RAM（random access memory）：（都属于易失性存储器）

SRAM：静态随机存储器，6个晶体管存储一位数据，功耗大，面积大

DRAM：动态随机存储器，一个晶体管和一个电容存储一位数据，便宜简单，需要刷新

SDRAM：同步动态随机存储器，需要同步时钟，需要刷新

DDR（double data rate） SDRAM：双通道同步SDRAM。一个时钟可以读取两个数据

2、存储器层次结构：

暂存器（Register，也译为寄存器）：在处理器内，用来设定处理器的功能，主要是“暂时储存”设定值的地方。

快取存储器（Cache memory，翻译版本有缓存，快取缓存区，快取存储器；台湾翻译为快取。）：在处理器内，执行程序时“暂时储存”程序与资料的地方，通常以 SRAM 制作。

主存储器（Main memory）：在处理器外，“暂时储存”程序与资料的地方，通常以 DRAM 制作，目前已经改良成 SDRAM 或 DDR。

辅助存储器（Assistant memory）：在处理器外，“永久储存”程序与资料的地方，包括：快闪存储器、磁盘机、光盘机、磁带机等。

3、NAND flash 和 nor flash

         nor flash ：写速度较慢（擦很慢），读快。提供完整的寻址与数据总线，允许随机存取存储器上的任何区域，字节寻址。可以直接CPU启动，不需要拷贝到RAM中。适合小容量的启动内存，固件。具有和SRAM相同的接口，可以寻址。

时间：

RT1064使用的W25Q32flash器件：

page:256字节. 每四字节6.25us

 STM32：

GD32： 

 

      nand flash ：要在NandFlash上面读写数据，要外部加主控和电路设计；擦写快；存储密度高，成本低；适合大容量的存储设备。【固态硬盘】

区别：NAND 和NOR 的读都可以以字节为单位，但NAND 的写以page 为单位，而NOR 可以随机写每一个字节；NOR Flash为并行，NAND Flash为串行；NOR Flash为分离的地址线和数据线，而NANDFlash为复用的；

【补充】

emmc ：相当于 NandFlash+主控IC ，对外的接口协议与SD、TF卡一样；提供标准接口并管理闪存；