MOSFET 导通条件（转）

最新推荐文章于 2025-04-11 13:32:17 发布
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分类专栏： 分立器件
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MOS管导通条件概述-过程-压降-提高效率等详解
树卡花
12-03 1万+
MOS管导通特性概述 金属-氧化层半导体场效晶体管，简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为“N型”与“P型”的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOSFET、PMOSFET、等。 MOS管导通过程 导通时序可分为tot1、t1t2、 t2~t3 、t3~t4四个时间段，这四个时间段有...
n沟mos管导通条件
07-13
n沟mos管导通条件 场效应管导通与截止由栅源电压来操控，关于增强场效应管方面来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就OK了。 可是，场效应管分为增强型和耗尽型，增强型的管子是必须需求加电压才干导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状况，加栅源电压是为了使其截止。 开关只有两种状况通和断，三极管和场效应管作业有三种状况，1.截止，2.线性扩大，3.饱满（基极电流持续添加而集电极电流不再添加）。使晶体管只作业在1和3状况的电路称之为开关电路，一般以晶体管截止，集电极不吸收电流表明开关；以晶体管饱满，发射极和集电极之间的电压差挨近于0V时表明开。开关电路用于数字电路时，输出电位挨近0V时表明0，输出电位挨近电源电压时表明1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状况。 n沟道mos管导通过程 导通时序可分为to~t1、t1~t2、t2~t3、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。 1）t0-t1：CGS1开始充电，栅极电压还没有到达VGS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。 2）［t1-t2］区间，GS
MOSFET 导通条件
9527的博客
04-13 3万+
MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。 如何分辨三个极？D极单独位于一边，而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。它们的位置是相对固定的，记住这一点很有用。请注意：不论NMOS管还是PMOS管，上述...
三极管以及mos管
最新发布
2302_81895027的博客
04-11 397
三极管是电流控制电流器件，是一种三端有源器件，三个电极分别为基级（记为B）,集电极（记为C）,发射极 (记为E),基级是控制级，集电极是受控级，是使用基级电流IB的大小控制集电极IC的大小。三极管中有2个PN结，分别称为发射结和集电极结，按材料划分为硅材料三极管（硅管），锗材料三极管（锗管），按极性可分为NPN型，PNP型。IB和IC都流向IE，根据电流方向IE要接GND,所以是高电平导通。3流向2（高电平导通）3接负载跟VCC。1流向2（高电平导通）1为控制级。2流向3（高电平导通）
MOS管基础
123
12-29 3万+
  MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）   场效应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。   JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。   MOSFET英文全称是Metal-Oxide-Semiconduct
一文弄懂MOS管的导通过程及损耗分析
dyx1993的博客
03-15 1万+
MOS管在平时的电源电路和驱动电路的设计中使用非常广泛，只有深入了解其工作原理和规格书参数才能保证设计的稳定可靠。
元器件应用中的业界导通电阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET
11-10
导通电阻的降低意味着在相同的工作条件下，SiE876DF能够在开关过程中产生更少的热损耗，进而提高整体系统的能效。这对于需要处理大电流的应用来说尤其重要，因为传导损耗是导致系统发热和效率下降的主要原因之一。 ...
参考资料-基于功率MOSFET导通压降的短路保护方法.zip
01-17
"参考资料-基于功率MOSFET导通压降的短路保护方法.zip" 这个标题表明，这是一个关于电子工程领域的技术文档，重点在于介绍如何利用功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通压降特性来实现电路的短路保护...
推荐了多个详细教程：场效应管的导通条件
09-21
这份文档提供了MOSFET导通条件的详细技术说明，包括导电通道的形成过程和影响因素。 4. **MOS管(场效应管)导通条件** - semcoding - 博客园 (cnblogs.com) 博客园上的这篇教程详细介绍了MOSFET的导通和截止状态，...
MOSFET导通、关断过程详细分析、损耗分析、米勒效应、datasheet解释
热门推荐
学海无涯的专栏
08-25 5万+
一，MOSFET导通、关断过程详细分析（转）详见下 https://zhuanlan.zhihu.com/p/161092380 二，弄懂mosfet的导通过程和损耗分析 详见下 http://www.360doc.com/content/20/0805/00/36242867_928563929.shtml 三、MOSFET datasheet 的数据解释 https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA4NzU5MTIzNg==&mid=2457589995&.
P沟道mos管作为开关的条件（GS >GS（TH））
小白编程
12-23 3210
P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V 如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw 那么mos管不导通，D为0V， 所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。 那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使m...
NMOS与PMOS的导通条件与使用方法
luolt42的博客
01-04 3万+
如果MOS管用作开关时，（不论N沟道还是P沟道），一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或接地。如图2所示 由于寄生二极管直接导通，因此S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。常见的有：AOL1448，AOL1428A，AON7406，AON7702，MDV1660，常见的有：AOL1448，AOL1428A，AON7406，AON7702，MDV1660，比如常见的：2N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FDV301N。要么都由S指向D，要么都由D指向S。
NMOS和PMOS电流流向以及导通条件
深圳市泛海微电子有限公司
03-29 1936
这是因为在NMOS晶体管中，沟道是由电子形成的，当栅极电压降低时，它会吸引沟道中的电子，使得沟道变窄，从而允许电流从源极流向漏极。PMOS，一般使用PMOS作为上管，S极直接接电源VCC，S极电压固定，只需G极电压比S极低，Vgs小于一定的值就会导通。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
nmos导通流向_MOS管
weixin_30509193的博客
02-19 7732
MOS管Ｐ管。通常S接电源。G控制信号，D接负载。当G等于S时。S和D不导通当G小于一定S D和S导通。N管S接地，G接控制，D接电流节点1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四...
简记_详解MOSFET的开通及关断过程
zhuang19891021的博客
12-27 2万+
详解MOSFET的开通及关断过程
NMOS管
Freesial_的博客
08-23 4412
4、一般的MOS管DS极之间会自带一个肖特基二极管 MOS由于自身结构会有一个寄生二极管，有的厂家生产时会故意把这个二极管做大，增强MOS的性能。状态2： 单片机输出高电平，Q22导通，A点为低电平， 电流方向如图所示，Q20截至，Q23导通，B为低电平 MOS关断，电机的自感电流流过D7。状态1： 单片机输出低电平，Q22截至，A点为高电平， 电流方向如图所示，Q20导通，Q23截至，B为高电平 MOS导通，电机转动。Q22的作用：电平变换，把单片机的0V/5V电平变为12V/0V电平。
48V-110V转5V12VDC降压芯片
weixin_48665390的博客
09-23 4060
48V-110V转5V12VDC降压芯片 关于开关电源芯片，要设计一个输入电压直流Dc48V到110V。 输出 ：电压直流dc 5V、12V、15V、24V的开关电源，只要用一个我们公司的AH862的开关电源就可以做到，芯片输入电压范围48V/60V/72V/80V/90V/110V/120V，是种成本最低的电源电路，输出功率为15W，可以输出不同的电压3V-36V，且有较好的电压调整率，较大的宽电压输入范围15V-200V,工作电流1A-3A,因此可大大提高电源的转换效率应用较为广泛如电动自行车控制器 ◆
pmos导通条件
03-15
<think>好的，我现在需要回答用户关于PMOS晶体管导通条件的问题。首先，我得回忆一下PMOS的基本工作原理。PMOS是P型金属-氧化物半导体场效应晶体管，属于MOSFET的一种。用户提到想了解导通条件，所以我应该重点讲解栅源电压、阈值电压等关键因素。 根据引用中的信息，特别是引用[1]提到PMOS采用-24V供电，CMOS-PMOS接口的电压选择在10～12V。这说明PMOS的工作电压是负的，可能需要栅极电压低于源极才能导通。另外，引用[3]提到PMOS的导通特性和高端驱动应用，这可能涉及电压极性的问题。 首先，PMOS的结构是P型沟道，源极连接到高电位，漏极到低电位。导通条件是栅源电压（V_GS）必须小于阈值电压（V_th），而PMOS的阈值电压通常是负值。例如，当V_GS < V_th（比如V_th为-2V时，V_GS需要比-2V更负，即更低的电压），这样沟道形成，电流可以从源极流向漏极。 接下来，我需要确认导通时的电压极性是否正确。当栅极电压相对于源极足够低时，才能形成导电沟道。比如，源极接VDD（正电压），栅极接比源极低至少|V_th|的电压，这样栅极和衬底之间形成足够强的电场，吸引空穴形成沟道。 此外，引用[2]提到体二极管的存在，这可能影响导通特性，但用户的问题主要集中在导通条件上，所以可能不需要深入讨论体二极管，除非它影响导通。但需要确保说明在导通时，电流方向是由源极到漏极，而体二极管在截止时起到作用。 还要注意用户提供的引用中提到的PMOS集成电路适合低频应用，这可能与其导通电阻较大有关，但导通条件本身更多是关于电压的阈值。因此，回答应集中在电压条件，以及如何施加栅源电压来满足这些条件。 最后，生成相关问题时要围绕导通条件、应用场景、与NMOS的区别等方面，确保问题有助于用户进一步学习。</think>### PMOS晶体管的导通条件 PMOS（P型金属-氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件与其栅极-源极电压$V_{GS}$和阈值电压$V_{th}$相关。以下是具体条件： 1. **电压极性要求** PMOS的源极（S）通常接**高电位**（如正电源$V_{DD}$），漏极（D）接低电位。导通时需满足栅极（G）电压**低于源极电压**，即$V_G < V_S$。 2. **阈值电压条件** PMOS的阈值电压$V_{th}$为**负值**（典型值为$-2\text{V}$至$-1\text{V}$）。导通需满足： $$ V_{GS} = V_G - V_S < V_{th} $$ 例如，若$V_{th} = -2\text{V}$，当$V_{GS} \leq -2\text{V}$时，沟道形成，电流从源极流向漏极[^3]。 3. **电流方向** 导通时，电流由源极（S）流向漏极（D），与NMOS相反。其体二极管（寄生二极管）在截止状态下对电路起保护作用，但导通时主要依赖沟道电流[^2]。 4. **应用中的电压配置** 在PMOS集成电路中，常采用**负电压供电**（如$-24\text{V}$）以满足导通条件。与CMOS接口时，$10\text{V}$至$12\text{V}$的电压可匹配输入电平需求[^1]。 --- ### 相关问题 1. PMOS与NMOS的导通条件有何区别？ 2. 如何通过实验测量PMOS的阈值电压？ 3. 为什么PMOS在高端驱动电路中更具优势？ 4. PMOS的体二极管在电路中起什么作用？
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