存储介质（外存Flash&Rom 和 内存Ram）的分类解析

1. 存储原理

1. 磁存储：软盘、硬盘、光盘、CD、磁带：大部分为磁存储。
2. 电存储：现代存储发展方向为flash存储，闪存技术是利用电学原理来存储1和0。

2. 外存

2.1、常用外存：

2.1.1、纯粹的Flash（一级）：对存储单元做了最基本的读写接口，需要外部SoC来提供flash的读写控制器和时序。

1. NorFlash：
   总线式访问，接到SROM bank，优点是可以直接总线访问，一般用来启动。
2. NandFlash：
   分为SLC（容量小，较贵，容易）和MLC(容量大，成本低，麻烦，坏块多)

2.1.2、Flash（二级）：内部是flash存储颗粒，比nand芯片多一些外部封装和接口

1. SD卡/TF卡/MMC卡/MicroSD
2. MMC标准比SD标准早，SD标准兼容MMC标准。

2.1.3、Flash（三级）：存储芯片，集合了SD卡的优点，此外多了引脚、可以直接焊接在板子上。

1. eMMC/iNand/moviNand：eMMC（embeded MMC）
   a. iNand是SanDisk公司出产的eMMC
   b. moviNand是三星公司出产的eMMC
2. oneNAND ：oneNand是三星公司出的一种Nand
3. eSSD：embeded SSD固态硬盘

2.2、ROM：read only memory 只读存储器

2.2.1、简述