android 起始地址 40000000,使用selector除了默认GridView/List...- 浅谈arm开发板SD卡跟NAND的启...- arm core中寄存器CPSR的每一位的具体...

浅谈arm开发板SD卡和NAND的启动过程

开发板：smdk6410

大家发现错误要告诉我，大家一起学习；

SD卡启动：

SD卡内存空间分布图：

————

|    1K       |    预留1K，内部空白

————

|    8K       |    用于存放bootloader第一阶段的代码

————

|    16K    |    保存环境变量

————

|    256K  |    bootloader全部代码，包括前8K代码

————

|    ...       |

———-

一上电就会地址映射，启动原理：

(1)pc 被置为0，0 地址被映射到IROM的起始位置；

(2)此时将开始执行，pc 会跳转到SD 卡启动的代码处；

(3)将SD卡的前8K代码放到IRAM(SRAM的一种，6410中物理地址0x0c000000~0x0c002000-1,共8K)中；

(4)pc指向IRAM的起始地址0x0c000000，开始执行bootloader；

启动步骤：

(1)初始化sp， sp = 0x0c002000

(2)映射外设端口，即告诉程序数据该走哪个端口，地址该走哪个端口；6410外设和内存统一编址，分界线是0x70000000,低地址为内存，高地址为外设

(3)关掉看门狗(WDT)，否则系统会定时重启

(4)初始化DDRC(内存控制器)

(5)调用movi-read函数，将SD 内256K 空间存的代码读到内存中0x57e00000(u-boot的链接地址，在编译u-boot 的时候可改)

——————————————< 至此第一阶段的代码 >—————————————

(6)跳转到movi-read 函数的下一个函数，比如说a 函数(这里执行的a 函数就是内存中的a 函数了)

(7)UART(串口)初始化

NAND启动：

NAND 内存空间分布图：

———--

|    ...        |

———--    0x40000,256K

|               |

————   0x2000

|    8K      |

————    0

启动原理：

(1)通过stepping stone controller(IRAM控制器)，去读NAND 中前8K的代码；

--->这种方法已经基本不用了，如今通过NAND 控制器去读 NAND 中前8K 的代码

(2)将NAND 的前8K 代码放到IRAM 中

(3)pc 被置为0,此时的0 地址被映射到IRAM的起始地址，开始执行代码

启动步骤(大致思路和SD 卡相同)：

(1)初始化栈，sp = 0x2000

(2)映射外设端口，即告诉程序数据该走哪个端口，地址该走哪个端口；6410外设和内存统一编址，分界线是0x70000000,低地址为内存，高地址为外设

(3)关闭看门狗(WDT)，默认WDT 会定时重启系统

(4)中断初始化

(5)初始化时钟(clock)；DDR 在使用之前必须配置好时钟

(6)初始化DDR

(7)初始化NAND

(8)调用nand-read函数，将全部代码放到内存中

—————————————< 至此第一阶段的代码>—————————————

(9)跳转

(10)初始化串口(UART)，打印shell

注：在写bootloader 时，第一阶段和第二阶段代码的链接地址是不同的，解决办法有两种，

a.将第一阶段和第二阶段代码分开编译，但这种方法比较麻烦

b.保证第一阶段代码位置无关即可