说说左连接出现重复记录的问题

 举个例子两个表主表为A  从表为B

A       

aidplace
1大连
2上海
3北京

 

 

 

 

B

bidaidtypename
11学生
21老师
32领导
41学生
52老师

 

 

 

 

 

下面我想查询type为学生的A表和B表的所有信息

.....

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转载于:https://www.cnblogs.com/moon1223/p/5929215.html

<think>好的,用户想了解在8086最小模式下使用SRAM6264组成16K字存储器的硬件连接方法和管脚设计。我需要结合之前的回答和用户提供的引用内容来详细解答。首先,用户的问题涉及到8086最小模式下的存储器扩展。根据之前的回答,用户已经知道需要用两片SRAM6264来组成16K字的存储器,因为每个SRAM6264是8K×8位,两片组合成16位数据宽度,所以总容量是8K×16位,即16K字。这里需要确认的是硬件连接的具体细节,包括地址线、数据线、片选信号和读写控制信号。接下来,参考引用中的内容,特别是引用[3]提到的8086分段机制和地址形成方式。用户需要明确如何将逻辑地址转换为物理地址,以及如何通过段地址和偏移地址来访问16K字的存储器。起始地址是10000H,这对应段地址1000H,偏移地址0000H。然后,考虑硬件连接。地址线方面,8086的A0-A12连接到每个SRAM的A0-A12,因为每个SRAM6264有13根地址线,可以寻址8K字节。为了扩展到16K字(即32K字节),需要使用A13和A14进行片选。可能需要使用译码器,比如74LS138,将高位地址线译码生成片选信号。这样,两片SRAM分别负责低字节和高字节的数据,同时通过A13和更高位地址线来选择不同的芯片组。 数据线连接方面,每个SRAM的数据线需要连接到8086的数据总线低8位和高8位,这样两片组合成一个16位的数据宽度。需要注意8086在最小模式下,数据总线是分时复用的,但SRAM的数据线是直接连接的,所以可能需要锁存器来稳定地址信号,如使用74LS373锁存器。片选信号方面,根据引用[3]提到的全译码、部分译码和线选方式,这里可能需要部分译码来简化电路。例如,A13和A14通过译码器生成四个片选信号,但用户只需要两片SRAM来组成16K字,所以可能需要将A13作为最低位片选,或者结合其他高位地址线。读写控制方面,8086的RD和WR信号需要连接到SRAM的OE和WE引脚。同时,8086的M/IO信号用于区分存储器访问和I/O访问,在最小模式下,这个信号需要参与片选逻辑,确保只有在访问存储器时SRAM才被选中。 另外,用户提到的起始地址是10000H,即物理地址从10000H开始。这个地址对应的二进制是00010000000000000000,其中高四位是段地址1000H,剩下的16位由偏移地址构成。需要确保译码逻辑正确覆盖这个地址范围。最后,需要验证硬件连接是否正确,比如地址线是否全部连接,片选信号是否在正确的地址范围内激活,数据线是否分高低字节连接,控制信号是否正确接入。可能还需要考虑时序问题,确保8086的读写周期与SRAM的访问时间匹配。</think>### 8086最小模式下SRAM6264组成16K字存储器的硬件连接方法 #### 1. **芯片选择与容量分析** SRAM6264容量为$8K \times 8$位,需两片组成$16K$字(即$16K \times 16$位): - **字扩展**:通过片选信号将两片SRAM6264组合为$16K \times 8$位,再通过**位扩展**将两组$8K \times 8$位合并为$16K \times 16$位。 - **总需求**:共需4片SRAM6264(两组,每组两片)[^1]。 #### 2. **地址空间分配** - 起始地址为$10000H$(物理地址),对应逻辑地址为$1000H:0000H$。 - **地址范围**:$10000H$到$13FFFH$(共$16K$字,即$32K$字节)[^3]。 #### 3. **管脚连接设计** ##### **地址线连接** - 8086的$A_0$-$A_{12}$直接连接至所有SRAM6264的地址引脚$A_0$-$A_{12}$,用于片内寻址($2^{13}=8K$单元)。 - **高位地址译码**:$A_{13}$-$A_{19}$通过译码器生成片选信号: - 使用$A_{13}$和$A_{14}$作为译码输入(例如74LS138),选择不同的$8K$区块。 - 译码逻辑需覆盖$10000H$-$13FFFH$的地址范围[^3]。 ##### **数据线连接** - **低字节组**:第一组两片SRAM6264的$D_0$-$D_7$分别连接8086的$D_0$-$D_7$(低字节)。 - **高字节组**:第二组两片SRAM6264的$D_0$-$D_7$分别连接8086的$D_8$-$D_{15}$(高字节)[^1]。 ##### **控制信号连接** - **片选信号($\overline{CE}$)**:由译码器输出控制,确保每组SRAM仅在对应地址范围内激活。 - **读写控制**: - $\overline{OE}$(输出使能)连接8086的$\overline{RD}$(读信号)。 - $\overline{WE}$(写使能)连接8086的$\overline{WR}$(写信号)。 - **字节使能**:8086的$BHE$(高字节使能)和$A_0$(低字节使能)需参与译码,控制高低字节组的访问[^2]。 #### 4. **译码逻辑设计示例** 假设使用74LS138译码器: - 输入:$A_{13}$-$A_{15}$(假设$A_{16}$-$A_{19}$固定为$0001$对应$10000H$起始)。 - 输出: - $Y_0$选择第一组SRAM(地址范围$10000H$-$11FFFH$)。 - $Y_1$选择第二组SRAM(地址范围$12000H$-$13FFFH$)。 $$ \text{译码条件}:A_{19}A_{18}A_{17}A_{16}=0001,\ A_{15}A_{14}A_{13}=000 \text{至} 001 $$ #### 5. **硬件连接示意图** ``` 8086 CPU SRAM6264 (低字节组) SRAM6264 (高字节组) ----------- ------------------- ------------------- A0-A12 -----------> A0-A12 A0-A12 D0-D7 <----------> D0-D7 (低字节) D8-D15 <----------> D0-D7 (高字节) BHE -----+ +----- CE A0 -----+ | M/IO -----+--> 74LS138译码器 -------- CE RD/WR ----------> OE/WE ``` --- ### 验证与调试要点 1. **地址连续性**:确保译码逻辑覆盖全部$16K$字地址范围。 2. **字节对齐**:通过$BHE$和$A_0$控制高低字节访问。 3. **时序匹配**:SRAM6264的存取时间需小于8086的读写周期[^3]。 ---
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