HDU 3001 Travelling (三进制状态压缩 DP)

本文介绍了一种使用三进制状态压缩的动态规划算法,解决特定旅行商问题的变种。该问题要求从n个城市中选取一系列路径,每个城市访问不超过两次,以求得总权值最小的路径。文章通过代码详细解释了算法实现过程。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >



题意:有 n 个city,能够选择任一城市作为起点,每一个城市不能訪问超过2次,


城市之间有权值,问訪问所有n个城市须要的最小权值。



思路:由于每一个城市能够訪问最多两次,所以用三进制表示訪问的状态。


具体见代码凝视!

!!!



#include<cstdio>
#include<stdlib.h>
#include<string.h>
#include<string>
#include<map>
#include<cmath>
#include<iostream>
#include <queue>
#include <stack>
#include<algorithm>
#include<set>
using namespace std;
#define INF 1e8
#define inf 0x3f3f3f3f
#define eps 1e-8
#define LL long long
#define N 100001
#define mol 100000000

int dp[60000][15];//dp[i][j] 表示在状态 i 的情况訪问到 j 的最小值
int g[15][15];
int n,m;
int st[60000][11];//dp[i][j] i 状态的第 j 个城市能够訪问几次
int bit[12];//初始所有可能状态
int main()
{
	bit[0]=0;bit[1]=1;
	for(int i=2;i<=11;i++)
		bit[i]=3*bit[i-1];
	for(int i=0;i<59050;i++)
	{
		int t=i;
		for(int j=1;j<=10&&t;j++)
		{
			st[i][j]=t%3;
			t/=3;
		}
	}
	while(~scanf("%d%d",&n,&m))
	{
		int u,v,c;
		memset(dp,0x3f,sizeof(dp));
		memset(g,0x3f,sizeof(g));
		for(int i=0;i<=n;i++)
			dp[bit[i]][i]=0;//初始起点 为0
		while(m--)
		{
			scanf("%d%d%d",&u,&v,&c);
			if(c<g[u][v])
			{
				g[u][v]=c;
				g[v][u]=c;
			}
		}
		int ans=inf;
		for(int i=0;i<bit[n+1];i++)
		{
			int flag=1;
			for(int j=1;j<=n;j++)
			{
				if(!st[i][j])//i 状态不经过 j城市
				{
					flag=0;
					continue;
				}
				if(i==j) continue;//i 状态仅仅经过 j 城市(j 城市为起点)
				for(int k=1;k<=n;k++)
				{
					int l=i-bit[j];//i 状态在经过j城市之前的状态(到达j城市之前的状态)
					if(st[i][k]==0) continue;//假设i 状态不经过 k 城市,则不能利用k城市缩小到达j城市的值
					dp[i][j]=min(dp[i][j],dp[l][k]+g[k][j]);//l 状态经过j城市之后则变为i状态
				}
			}
			if(flag)//i 状态经过所有的n个城市
				for(int j=1;j<=n;j++)
					ans=min(ans,dp[i][j]);
		}
		if(ans!=inf)
			printf("%d\n",ans);
		else printf("-1\n");
	}
	return 0;
}



资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值