ARM920T系统总线时序分析

本文详细解析了Nor/Nand FLASH存储器的读写操作流程,从系统地址总线给出地址信息到处理器确定操作类型,再到数据准备与传输,最后数据锁定的整个过程,为读者提供了一次深入的存储器交互体验。

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一、系统总线时序图

二、分析

第一个时钟周期开始,系统地址总线给出需要访问的存储空间地址。

经过Tacs时间后,片选信号也相应给出,并且锁存当前地址线上地址信息。

再经过Tcso时间后,处理器给出当前操作是读(nOE为低)还是写(new为低)。

在Tacc时间内将数据数据准备好放之总线上,

Tacc时间后(并查看nWAIT信号,为低则延长本次总线操作),nOE 拉高,锁存数据线数据。

这样一个总线操作就基本完成。

参考网页:Nor/Nand FLASH的读写

 

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