一、实验目的与要求
目的:1、掌握静态存储器的工作特性及使用方法。
2、掌握半导体随机存储器怎样存储和读出数据。
要求:实验前,要求做好实验预习,掌握6116型RAM存储器的功能特性和使用方法。
实验过程中,要认真进行实验操作,仔细思考实验有关的内容,把自己想得不太明白的问题通过实验去理解清楚,争取得到最好的实验结果,达到预期的实验教学目的。
实验完成后,要求每个学生写出实验报告。
二、 实验方案
1.半导体静态随机存储器实验连线图如下:
2. 向存储单元写入数据。
3. 读出存储器单元内容。
三、.实验结果与数据处理
(1)填写各控制端的状态:
根据存储器的读写原理,填写各控制端的状态:
控制信号
写地址
写内容
读内容
SW-B
0
0
1
LDAR
1
0
0
CE
1
0
0
WE
0
1
0
(2)记录写入和读出操作过程:
1.先按写地址的操作:
(1)设置输入控制端的开关状态:将实验仪左下方“INPUTDEVICE”中的8位数据开关D7—D0设置为00000000
(2)设置有关控制端的开关状态
SW-B LDAR CE WE
0 1 1 0
(3)按下微动开关START
(4)关闭AR地址寄存器的存数控制信号:LDAR=0
2.再做写内容操作:将AAH(即二进制=10101010)存入单元00000000地址单元。
(1)设置输入控制端的开关状态:将实验仪左下方“INPUTDEVICE”中的8位数据开关D7—D0设置为10101010
(2)设置有关控制端的开关状态
SW-B LDAR CE WE
0 0 0 1
(3)按下微动开关START
(4)关闭片选信号和写命令信号:CE=1,WE=0
3.按照上面说的那两个写地址和写内容的操作;接着分别向输入存储器的01H,02H,03H,04H,05H,06H地址单元分别写入数据55H,33H,44H,66H,08H,F0H(十六进制)。最后结果如下表:
地址(十六进制)
内容(十六进制)
00
AA
01
55
02
33
03
44
04
66
05
08
06
F0
4. 读出存储器单元内容
(1)先做写地址操作,将00000000写入地址寄存器AR里
(2)再做读内容操作,开关状态为
SW-B LDAR CE WE
1 0 0 0
读出的数据为AA。这样不断循环操作即可读出各地址单元的内容。
四、.实验结果分析
经过实验证明,各存储单元所写入的内容与读出时的内容一致。
五、结论
(1)只有先完成写地址操作才知道数据存在哪里,即不能先连续输入所有的地址,再连续输入所有的内容或连续读出所有的内容。因为一个地址要对应一个内容,如果先连续输入所有地址再输入数据内容,会造成数据混乱,造成实验失败。若连续输入地址数据要输入正确则要每次输入完数据后读出下一个正确的地址再输入数据。
(2)SW-B、CE为低电平有效(SW-B=0,CE=0时有效),LDAR,WE为高电平有效(LDAR=1,WE=1时有效)。
(3)做写地址和写内容时都要脉冲信号。
(4)写地址操作完成后,要关闭LDAR。因为LDAR是AR地址寄存器的存数控制信号,若不闭
LDAR,输入的数据会把原来AR地址寄存器的数据冲刷掉,导致数据错误。
六、实验总结
(1)通过本次实验我掌握了静态存储器的工作特性及使用方法,掌握了半导体随机存储器怎样存储和读出数据。这次实验比第一次做实验信心多了很多,而且发现自己对计算机的实验感兴趣了。在做实验之前,需要把实验原理先弄清楚,也加强了自己的动手能力。当然耐心和细心是缺少不了的。
(2)有了之前做实验的经验,这次实验的开始工作做得挺好的。接线接得很快,因为已经
对线路位置有了多少的解了,不用像以前那样要一个一个的找。接着是搞清楚各控制端的状
态,这在老师的讲解和与同学的交流下,我也一一弄懂了。最后是向存储单元写入数据和读
出存储器单元内容,这是这次实验的重点。通过做这个操作我知道了如何写入和读出操作过
程,知道了不能先连续输入所有的地址,再连续输入所有的内容或连续读出所有的内容。
七、思考题
(1) A
(2) B
(3) A
(4) B
(5) B