POJ - 1947 Rebuilding Roads

本文介绍了一种使用动态规划解决树形结构问题的方法,即如何通过割边操作获得特定节点数的子树。通过定义状态转移方程,实现了一个有效的算法。

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传送门

 

有一颗N个结点的树,求需要割掉至少多少条边才能得到一颗恰好有P个结点的树

 

没做出来,看了大神的解法才懂怎么做的orz

用了dp[root][i]表示用一颗以root为根的树,需要割点多少条边才能得到以root为根的恰好有i个结点的树。这样以来就有子问题,可以进行dp。

最后的答案里,由于在这个过程中,我们默认了root为根,但如果实际它有父亲,得到的dp[root][P]应该再加一

 

状态转移:dp[root][i] = min(dp[root][i - k] + dp[child][k] - 1,dp[root][i]);

每次在dp时,边界的话是,dp[root][1] = G[root].size();(儿子的数量),此时我们对每个结点的值,已经将它与儿子的边割掉。对于root的第一颗子树,假设子树上有cnt个结点,将子树连接上来,那么这时我们处理的是一颗有cnt+1个结点的树,会得到dp[root][i]({i} ⊆[1,cnt + 1],当i>cnt+1时,值取INF。在接下来的子树中,就可以利用上前面的子树与根结点构成的树的值。

实际的操作过程中,是先得到一个根结点root,然后将它的一颗颗子树连接上来,并更新值,所以已经得到的树中取i-k个结点的值加上新子树取k个结点的值,最后才应该再减一,表示复原原本两个root与child间的边。

 1 #include <vector>
 2 #include <cstdio>
 3 #include <cstring>
 4 #include <algorithm>
 5 #define INF 0x3f3f3f3f
 6 using namespace std;
 7 
 8 const int maxn = 155;
 9 vector<int> G[maxn];
10 int deg[maxn], sum[maxn];
11 int dp[maxn][maxn];
12 int N, M;
13 
14 
15 void dfs(int node) {
16     for (int i = 0; i < G[node].size(); i++) {
17         int u = G[node][i];
18         dfs(u);
19         sum[node] += sum[u];
20         for (int j = sum[node]; j > 0; j--) {
21             for (int s = 1; s < j; s++) {
22                 dp[node][j] = min(dp[node][j], dp[node][j - s] + dp[u][s] - 1);
23             }
24         }
25     }
26 }
27 
28 int main(int argc, const char * argv[]) {
29     scanf("%d%d", &N, &M);
30     for (int i = 0; i <= N; i++) G[i].clear();
31     memset(dp, INF, sizeof(dp));
32     for (int i = 1; i < N; i++) {
33         int u, v;
34         scanf("%d%d", &u, &v);
35         G[u].push_back(v);
36         ++deg[u];
37     }
38     for (int i = 1; i <= N; i++) {
39         dp[i][1] = deg[i];
40         sum[i] = 1;
41     }
42     dfs(1);
43     int ans = dp[1][M];
44     for (int i = 2; i <= N; i++) {
45         ans = min(ans, dp[i][M] + 1);
46     }
47     printf("%d\n", ans);
48     return 0;
49 }

 

转载于:https://www.cnblogs.com/xFANx/p/7495552.html

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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