hdu 5713(状态压缩DP)

本文深入解析了动态规划技术在解决图论问题中的应用,通过两个递归DP过程,阐述了如何利用二进制表示选择点来计算不同连通块的边集可能性。文中还详细介绍了如何计算恰好包含特定点的连通块数量,以及如何通过迭代过程求解最终答案。

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要进行两次dp,

第一个,dp[i],1<=i<=(1<<n)

其中用i的二进制形式表示已选择的点。

dp[i] 用来保存i中的点构成一个连通块,边集多少种可能。

转移方程:

        save[0] = 1;//这里用save[i]表示dp[i]
        for(int i=1;i<(1<<n);i++)
        {
            int ti = i-lowbit(i); //一定选择最后一个点,使之有序
            int j = ti;
            long long tmp=0;//问题转化为对立问题,记录有多少不连通边集的情况,all[i]表示i中的点,边集的所有可能情况。
            for(;j>0;j=(j-1)&ti)
            {
                tmp += save[i-j]*all[j];
                tmp %= MOD;
            }
            save[i] = (all[i]-tmp+MOD)%MOD;
        }    

第二次dp,套路基本相同。

dp[i][j] 表示恰有(i+1)个连通块,且含j中的点的所有可能。

转移方程:

     for(int i=1;i<kk;i++)
        {
            for(int j=1;j<(1<<n);j++)
            {
                int tj= j-lowbit(j);
                for(int k=tj; k>0;k = (k-1)&tj )
                {
                    dp[i][j] += dp[i-1][k]*save[j-k];
                    dp[i][j] %= MOD;
                }
            }
        }

 

//
//  main.cpp
//  Astar160529
//
//  Created by 陈加寿 on 16/5/29.
//  Copyright © 2016年 chenhuan001. All rights reserved.
//

#include <iostream>
#include <stdio.h>
#include <string.h>
#include <math.h>
#include <algorithm>
using namespace std;

#define MOD 1000000009

long long dp[15][1<<14];
int mat[15][15];
long long save[1<<14];
long long s2[500];
long long all[1<<14];

int lowbit(int x)
{
    return x&(-x);
}

void test()
{
    int cnt=0;
    for(int i=0;i<(1<<14);i++)
    {
        for(int j=i;j>0;j=(j-1)&i)
        {
            cnt++;
        }
    }
    cout<<cnt<<endl;
    cout<<(1<<28)<<endl;
}

int main() {
    
    s2[0] = 1;
    for(int i=1;i <= 14*14;i++)
        s2[i] = (2*s2[i-1])%MOD;
    
    //test();
    int T;
    cin>>T;
    
    int tt=1;
    while(T--)
    {
        int kk,n,m;
        scanf("%d%d%d",&n,&m,&kk);
        int cnt0=0;
        memset(mat,0,sizeof(mat));
        for(int i=0;i<m;i++)
        {
            int a,b;
            scanf("%d%d",&a,&b);
            a--; b--;
            if(a==b) cnt0++;
            else
            {
                mat[a][b] = mat[b][a] = 1;
            }
        }
        
        memset(save,0,sizeof(save));
        memset(all,0,sizeof(all));
        memset(dp,0,sizeof(dp));
        
        for(int i=0;i<(1<<n);i++)
        {
            int tcnt=0;
            for(int j=0;j<n;j++)
            {
                if( ((1<<j)&i) !=0)
                {
                    for(int k=j+1;k<n;k++)
                    {
                        if( ((1<<k)&i) !=0 )
                        {
                            tcnt += mat[j][k];
                        }
                    }
                }
            }
            all[i] = s2[tcnt];
        }
        
        save[0] = 1;
        for(int i=1;i<(1<<n);i++)
        {
            int ti = i-lowbit(i);
            int j = ti;
            long long tmp=0;
            for(;j>0;j=(j-1)&ti)
            {
                tmp += save[i-j]*all[j];
                tmp %= MOD;
            }
            save[i] = (all[i]-tmp+MOD)%MOD;
            dp[0][i] = save[i];
        }
        
        
        
        
        for(int i=1;i<kk;i++)
        {
            for(int j=1;j<(1<<n);j++)
            {
                
                int tj= j-lowbit(j);
                for(int k=tj; k>0;k = (k-1)&tj )
                {
                    dp[i][j] += dp[i-1][k]*save[j-k];
                    dp[i][j] %= MOD;
                }
            }
        }
        printf("Case #%d:\n",tt++);
        
        
        cout<<dp[kk-1][(1<<n)-1]*s2[cnt0]%MOD<<endl;
        
    }
    
    return 0;
}
CODE

 

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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