常用的 Nand Flash 指令如下:

本文详细介绍了NandFlash的各种操作指令,包括显示、读取、写入、擦除及坏块标记等命令的使用方法。这些指令适用于嵌入式系统的开发人员进行NandFlash的管理和维护。

指令

功能

nand info

显示可使用的 Nand Flash

nand device [dev]

显示或设定当前使用的 Nand Flash

nand read  addr off  size

Nand Flash 读取命令,从 Nand 的 off 偏移地

址处读取 size 字节的数据到 SDRAM 的 addr

地址。

nand write        addr off  size

Nand Flash 烧写命令,将 SDRAM 的 addr 地

址处的 size 字节的数据烧写到 Nand 的 off 偏 移地址。

nand write[.yaffs[1]]         addr off size

烧写 yaffs 映像专用的命令,.yaffs1 for

512+16 NAND

nand erase [clean] [off size]

Nand Flash 檫除命令,擦除 Nand Flash 的 off

偏移地址处的 size 字节的数据

nand bad

显示 Nand Flash 的坏块

nand dump[.oob] off

显示 Nand Flash 中的数据(16 进制)

nand scrub

nand scrub 首地址 [长度]

彻底擦除整块 Nand Flash 中的数据,包括

OOB。可以擦除软件坏块标志。

nand markbad off

标示 Nand 的 off 偏移地址处的块为坏块

 

 
### Flash存储器读写时序图解析 Flash存储器的读写操作依赖于精确的时序控制,这些时序参数由具体的协议或厂商定义。以下是关于Flash存储器读写时序的技术细节及其相关解析。 #### 1. 基本概念 Flash存储器的操作通常分为三种基本模式:**读取(Read)**、**编程(Program/Write)** 和 **擦除(Erase)**。每种模式都有对应的时序要求,以确保数据传输的可靠性和稳定性[^3]。 #### 2. ONFI协议中的时序参数 ONFI(Open NAND Flash Interface)是一种常见的NAND Flash接口标准,规定了详细的时序参数。对于不同的接口模式(如SDR、NV-DDR、NV-DDR2等),存在多种时序模式: - SDR和NV-DDR接口模式下有6种时序。 - NV-DDR2及以上版本则扩展到22种时序模式。 上电后,默认进入模式0状态。如果需要切换至更高级别的时序模式,则需通过读取闪存的参数页来确认设备的支持情况。 #### 3. SPI Flash的读写时序 SPI Flash(Serial Peripheral Interface Flash)是另一种常用Flash存储器类型,尤其适用于嵌入式系统。以下是一个典型的SPI Flash读取时序图解析: ##### (1)读取命令序列 在SPI通信中,主机发送一条指令给目标器件以启动特定功能。例如,在STM32F1微控制器与外部Nor FLASH交互过程中,执行`NorFLASH_Read()`函数时会构建如下命令序列[^1]: ```c cmd[0] = 0x03; // READ instruction cmd[1] = addr >> 16; cmd[2] = addr >> 8; cmd[3] = addr >> 0; ``` 该序列表示向Flash发送一个READ指令(`0x03`),随后附带三个字节的目标地址信息。 ##### (2)CS信号的作用 片选信号(Chip Select, CS)在整个交易期间保持有效(低电平)。具体表现为: - 在数据传输之前将GPIO引脚设置为低电平 (`GPIO_ResetBits(GPIOB, GPIO_Pin_12)`)[^1]; - 数据接收完成后恢复高电平 (`GPIO_SetBits(GPIOB, GPIO_Pin_12)`)[^1]。 ##### (3)忙等待机制 为了防止访问冲突并保护硬件资源,程序实现了一个简单的忙检测循环 `NorFLASH_ReadBusy()` 来监控Flash的状态寄存器直到其变为就绪状态。 #### 4. 实际应用案例 假设我们正在测试一款W25Q16型号的Flash芯片,按照官方文档说明完成初始化配置之后即可调用相应的API进行实际操作[^4]。下面展示了一段完整的流程代码片段用于验证上述理论知识点的实际效果: ```c // 初始化外设及Flash模块 USART1_Init(); NorFLASH_Init(); // 设置初始条件 GPIO_SetBits(GPIOB, GPIO_Pin_12); delay_ms(); // 执行扇区擦除动作 NorFLASH_EraseSector(0); // 准备待写入的数据缓冲区 for (uint32_t i = 0; i < 4096; i++) { Wbuf[i] = 0x11; } // 将数据写入指定位置 NorFLASH_WritePage(Wbuf, 0); // 从指定偏移量处获取已保存的内容 NorFLASH_Read(Rbuf, 0x00, 256); // 使用UART端口输出结果以便观察一致性 for (uint32_t i = 0; i < 256; i++) { UART_Putchar(Rbuf[i]); } ``` 此例子清晰展示了如何利用软件手段配合硬件特性达成预期目的——即成功完成了针对某一块区域内的连续性读写周期演示过程。 ---
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