[物理学与PDEs]第1章习题1 无限长直线的电场强度与电势

本文详细解析了均匀分布着电荷的无限长直线所形成的电场强度与电势计算过程,通过积分方法求解,得出电场强度与电势表达式,并解释了其物理意义。

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设有一均匀分布着电荷的无限长直线, 其上的电荷线密度 (即单位长度上的电荷量) 为 $\sigma$. 试求该直线所形成的电场的电场强度及电势.

解答: 设空间上点 $P$ 到直线的距离为 $r$, 以垂足为原点 $O$, $\vec{OP}$ 方向为 $x$ 轴正方向建立直角坐标系, 则有 $$\beex \bea  {\bf E}(P)&=\cfrac{\sigma}{4\pi \ve_0} \int_{-\infty}^{+\infty} \cfrac{(r,-x)}{(r^2+x^2)^{\frac{3}{2}}}\rd x\\ &=\cfrac{\sigma}{4\pi \ve_0}\sex{\int_{-\infty}^\infty \cfrac{r}{(r^2+x^2)^\frac{3}{2}}\rd x,0}\\ &=\cfrac{\sigma}{4\pi \ve_0}\sex{\cfrac{2}{r},0}\\ &=\sex{\cfrac{\sigma}{2\pi\ve_0r},0}. \eea \eeex$$ 电势 $$\bex \phi(P)=-\int_1^r \cfrac{\sigma}{2\pi\ve_0s}\rd s =\cfrac{\sigma}{2\pi\ve_0}\ln\cfrac{1}{r}. \eex$$ 这里取到直线距离为 $1$ 处的电势为 $0$. 

内容概要:本文介绍了奕斯伟科技集团基于RISC-V架构开发的EAM2011芯片及其应用研究。EAM2011是一款高性能实时控制芯片,支持160MHz主频和AI算法,符合汽车电子AEC-Q100 Grade 2和ASIL-B安全标准。文详细描述了芯片的关键特性、配套软件开发套件(SDK)和集成开发环境(IDE),以及基于该芯片的ESWINEBP3901开发板的硬件资源和接口配置。文中提供了详细的代码示例,涵盖时钟配置、GPIO控制、ADC采样、CAN通信、PWM输出及RTOS任务创建等功能实现。此外,还介绍了硬件申领流程、技术资料获取渠道及开发建议,帮助开发者高效启动基于EAM2011芯片的开发工作。 适合人群:具备嵌入式系统开发经验的研发人员,特别是对RISC-V架构感兴趣的工程师和技术爱好者。 使用场景及目标:①了解EAM2011芯片的特性和应用场景,如智能汽车、智能家居和工业控制;②掌握基于EAM2011芯片的开发板和芯片的硬件资源和接口配置;③学习如何实现基本的外设驱动,如GPIO、ADC、CAN、PWM等;④通过RTOS任务创建示例,理解多任务处理和实时系统的实现。 其他说明:开发者可以根据实际需扩展这些基础功能。建议优先掌握《EAM2011参考手册》中的关键外设寄存器配置方法,这对底层驱动开发至关重要。同时,注意硬件申领的时效性和替代方案,确保开发工作的顺利进行。
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