第十五课：存储与状态

1. V₀₊=V₀ + (V_I -V₀) (1 - e ^-t/RC)

    电容真正存储的是电荷，但对于一个线性电容来说，它存储的也是电压,称其为state。

   状态：预测将来所需的所有输入的汇总

   电容的状态就是电压

    V_I 在零时刻以前的值无关紧要

    电容电压的未来值 是 电容初始状态和未来时间输入变化 的函数   V_c(t)  =  F（V_c(0), V_I(t)）

   电容所有t<0的状态都包含在V_c(0)中

2：只考虑两种情况

   当输入在t>=0时 V_I(t) 为常数，就得到了上面的方程。

   分离出两种形式：零状态响应  Vc_.ZSR =  V_I (1 - e ^-t/RC)

                         零输入响应   Vc._ZIR = V₀ (e ^-t/RC)

    电容的响应等于两者之和

2.基本的存储器抽象：

  存储单元的功能： 当存储指令到达时，存储单元会读取当前输入，并一直保持到下次存储指令来到 （采样） 

  这也是 DRAM的关键实现

  DRAM 的基本单元就是 mosfet 作为开关电路，后面连接电容

　　假设：存储脉冲宽度要大于时间常数RC

 　　电容的值不是永久保持的，它会逐渐降低。因此如果电容中存储1,它只会在有限的时间内保持1

      因此DRAM需要不断刷新

   改进方法：1.加缓冲

   存储器模型

   

    

 

   

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