内存条分类及规格参数介绍

最新推荐文章于 2025-06-16 00:50:16 发布

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原文链接：http://www.cnblogs.com/koreaseal/archive/2012/05/18/2507459.html

本文介绍了内存的基本分类，包括易失性和非易失性存储器的不同类型，并详细阐述了内存条的接口形式、工作方式及其性能评价指标。

内存可以根据储存能力与电源的关系可以分为以下两类：

易失性存储器（Volatile memory）指的是当电源供应中断后，存储器所储存的资料便会消失的存储器。主要有以下的类型：

RAM（Random access memory，随机访问存储器）
- DRAM（Dynamic random access memory，动态随机访问存储器）
- SRAM（Static random access memory，静态随机访问存储器）

非易失性存储器（Non-volatile memory）是指即使电源供应中断，存储器所储存的资料并不会消失，重新供电后，就能够读取内存资料的存储器。主要有以下的类型：

ROM（Read-only memory，只读存储器）
- PROM（Programmable read-only memory，可编程只读存储器）
- EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可编程只读存储器）
- EEPROM （Electrically erasable programmable read only memory，可电擦可编程只读存储器）
Flash memory（快闪存储器）

按内存条的接口形式，常见内存条有两种：

单列直插内存条（SIMM）和双列直插内存条（DIMM）

按内存的工作方式：

FPA EDO DRAM-------FPM（FAST PAGE MODE）RAM
EDO（EXTENDED DATA OUT）RAM
SDRAM（同步动态RAM）-----S（SYSNECRONOUS）DRAM
DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM

内存条性能评价指标：

存储容量：即一根内存条可以容纳的二进制信息量，如目前常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。
存取速度：即两次独立的存取操作之间所需的最短时间，又称为存储周期，半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。
存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。
性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容，性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。

SDR和DDR1/2/3全系列内存对照表：

single-sided和double-sided、single-rank和double-rank

如果1根ECC DIMM的9颗芯片都位于DIMM的同一面，就叫做single-sided（单面）。如果9颗芯片分布在DIMM的两面，就叫做double-sided（双面）。作为对single-sided和double-sided的补充，DIMM还被分为single-rank和double-rank（也就是我们在内存的lable上经常能看到的1R，2R）。

2R*8----R是rank,8是内存颗粒位宽；当颗粒位宽×颗粒数=64bits时，这个模组就是有一个RANK。