一种排序(nyoj8)(简单排序)

本文介绍了一种基于编号、长度及宽度进行排序的长方形数组排序算法,并提供了完整的C++实现代码。该算法首先读取一组长方形数据,然后通过自定义的比较函数进行排序,最后输出排序后的结果。

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一种排序

时间限制: 3000 ms  |  内存限制: 65535 KB
难度: 3
描写叙述
如今有非常多长方形。每个长方形都有一个编号,这个编号能够反复。还知道这个长方形的宽和长,编号、长、宽都是整数;如今要求依照一下方式排序(默认排序规则都是从小到大);

1.依照编号从小到大排序

2.对于编号相等的长方形,依照长方形的长排序;

3.假设编号和长都同样,依照长方形的宽排序;

4.假设编号、长、宽都同样,就仅仅保留一个长方形用于排序,删除多余的长方形。最后排好序依照指定格式显示全部的长方形;
输入
第一行有一个整数 0<n<10000,表示接下来有n组測试数据;
每一组第一行有一个整数 0<m<1000,表示有m个长方形;
接下来的m行。每一行有三个数 ,第一个数表示长方形的编号,

第二个和第三个数值大的表示长,数值小的表示宽,相等
说明这是一个正方形(数据约定长宽与编号都小于10000)。
输出
顺序输出每组数据的全部符合条件的长方形的 编号 长 宽
例子输入
1
8
1 1 1
1 1 1
1 1 2
1 2 1
1 2 2
2 1 1
2 1 2
2 2 1
例子输出
1 1 1
1 2 1
1 2 2
2 1 1
2 2 1
来源

经典题目

#include<stdio.h>
#include<algorithm>
using namespace std;
struct st
{
	int xh;
	int c,k;
}data[1010];
int cmp(st a,st b)//排序关键! 
{
	if(a.xh!=b.xh)return a.xh<b.xh;
	else if(a.c!=b.c)return a.c<b.c;
	else if(a.k!=b.k)return a.k<b.k;
}
int main()
{
	int test,i,n,t;
	scanf("%d",&test);
	while(test--)
	{
		scanf("%d",&n);
		for(i=0;i<n;i++)
		{
			scanf("%d%d%d",&data[i].xh,&data[i].c,&data[i].k);//注意比較长宽大小。 
			if(data[i].c<data[i].k){
				t=data[i].c;
				data[i].c=data[i].k;
				data[i].k=t;
			}
		}
		sort(data,data+n,cmp);
		for(i=0;i<n;i++)
		{
			if(!(data[i].xh==data[i+1].xh&&data[i].c==data[i+1].c&&data[i].k==data[i+1].k))
			printf("%d %d %d\n",data[i].xh,data[i].c,data[i].k);
		}
	}
	return 0;
}


资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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