NYOJ 45

 1 // 结果超过了long long,到32就超了 
 2 #include <iostream>
 3 #include <cstring>
 4 using namespace std;
 5 long long fun(int a,int b)
 6 {
 7     //if(0==b)
 8         //return 1;
 9     if(1==b)
10         return a;
11     //本以为会因尽快结束上城循环而加快速度,,谁知执行到return直接跳出函数 
12     long long temp;
13     temp = fun(a,b/2);
14     long long ans = temp*temp;
15     if(b&1)
16         return ans*a;
17     else
18         return ans;
19 }
20 int main()
21 {
22     int i,j,k,T;
23     cin>>T;
24     while(T--)
25     {
26         cin>>k;
27         long long ans = (fun(4,k)-1)/3;
28         cout<<ans<<endl;
29     }
30     return 0;
31 }
32               
#include <iostream>
#include <cstring>
#include <string>
#include <cstdlib>
using namespace std;
int ans[70];
int vis[70];
void fun(int a,int b)
{
    memset(ans,0,sizeof(ans));
    memset(vis,0,sizeof(vis));
    int i,j,k;
    ans[0] = 1;
    for(i=1;i<=b;i++)
    {
        int c = 0;
        for(j=0;j<70;j++)
        {
            int temp = ans[j]*a+c;
            ans[j] = temp%10;
            c = temp/10;
            //if(c==0)//可以算是一个比较大的优化,不仅省去内层无谓的执行,也省去了去掉前导0的时间 
               // break;
        }
    }
    while(ans[j]==0)
        j--;
    /*
    for(i=1;i<=len;i++) 
	{
		a[i]=a[i]-b[i]; 
		if(a[i]<0) 
		{ 
			 a[i+1]--;
             a[i]+=10; 
		} 
	} 
	*/
    ans[0]--;//因为4^n最后一位是4或者6 
    int temp=0,t = 0;
    for(i=j;i>=0;i--)//除以3 
    {
        temp = temp*10 + ans[i];
        vis[t++] = temp/3;//中间不可加上if(temp>=3){temp=0} 
        temp = temp%3;
    }
    int num = 0;
    while(vis[num]==0)//为什么产生前导0,因为如果temp第一次不大于3,就会产生 
        num++;
    for(i=num;i<t;i++)
        cout<<vis[i];
    cout<<endl;
}  
int main()
{
    int i,j,k,T;
    cin>>T;
    while(T--)
    {
        int num;
        cin>>num;
        fun(4,num);
    }
    //system("pause");
    return 0;
}

 

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/9648a1f24758 在 JavaScript 中实现点击展开与隐藏效果是一种非常实用的交互设计,它能够有效提升用户界面的动态性和用户体验。本文将详细阐述如何通过 JavaScript 实现这种功能,并提供一个完整的代码示例。为了实现这一功能,我们需要掌握基础的 HTML 和 CSS 知识,以便构建基本的页面结构和样式。 在这个示例中,我们有一个按钮和一个提示框(prompt)。默认情况下,提示框是隐藏的。当用户点击按钮时,提示框会显示出来;再次点击按钮时,提示框则会隐藏。以下是 HTML 部分的代码: 接下来是 CSS 部分。我们通过设置提示框的 display 属性为 none 来实现默认隐藏的效果: 最后,我们使用 JavaScript 来处理点击事件。我们利用事件监听机制,监听按钮的点击事件,并通过动态改变提示框的 display 属性来实现展开和隐藏的效果。以下是 JavaScript 部分的代码: 为了进一步增强用户体验,我们还添加了一个关闭按钮(closePrompt),用户可以通过点击该按钮来关闭提示框。以下是关闭按钮的 JavaScript 实现: 通过以上代码,我们就完成了点击展开隐藏效果的实现。这个简单的交互可以通过添加 CSS 动画效果(如渐显渐隐等)来进一步提升用户体验。此外,这个基本原理还可以扩展到其他类似的交互场景,例如折叠面板、下拉菜单等。 总结来说,JavaScript 实现点击展开隐藏效果主要涉及 HTML 元素的布局、CSS 的样式控制以及 JavaScript 的事件处理。通过监听点击事件并动态改变元素的样式,可以实现丰富的交互功能。在实际开发中,可以结合现代前端框架(如 React 或 Vue 等),将这些交互封装成组件,从而提高代码的复用性和维护性。
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