WP7 silverlight XNA 混合编程

本文探讨了在Silverlight应用中使用XNA Game对象进行混合编程的技术细节。通过正确初始化并利用XNA的Graphics.ApplyChange()方法创建device,可以在Silverlight环境中实现图形渲染,并保持良好的性能表现。

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先看一下结果

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结论是混合编程没问题,也不是很复杂。

关键点在这里 在silverlight应用一开始 创建一个 XNA的Game对象。调用Game.Graphics.ApplyChange(),让他创建一个device。

这个部分我做了很多测试,如果你不一开始做这些事,game的初始化会破坏silverlight的显示,神马都没了。

我试过自己创建device,device的构造函数被微软屏蔽了,自己创建不成功。

拿到这个device以后,创建一个rendertarget,往rendertarget上绘制。最后用silverlight的writeablebitmap。rendertarget创建用Color,数据格式一样的,直接copy就是。

性能尚可,我用的贴图大小是800*480,模拟器上有一定实用价值。

 

我对silverlight不熟悉,不知道怎么把文件弄到titlecontainer能访问的位置,看资料XNA上用titlecontainer在这里不行了,要换嵌入资源。

如果真没有titlecontainer,content也就废了,虽然我本来就不用content。

后来知道是可以用的,只能在主项目里加文件,设置为content(内容)

这个研究权当抛砖引玉,微软百般限制我们这样干,这就有危险会不让发布,另外我也实在没想出什么项目需要这个功能。

只是那天和马宁(一个微软的高人)聊起来,让我不自觉的发散了。

 

 

另外求如何访问文档的方法,找了一晚上了(比如adobe的pdf阅读器可以访问邮件中的pdf文件,这个接口在哪里)

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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